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关于2022年度河北省科学技术突出贡献奖、科学技术合作奖提名候选人（组织）的公示
根据《河北省科学技术奖励办法》（河北省人民政府令[2021]第4号）、《河北省科学技术奖励办法实施细则》（冀科成市规[2022]1号），现将拟受理人（组织）向社会公示，公示期15天。自公布之日起15日内，任何个人、单位对公示内容持有异议的，可以书面形式向我厅实名提出，并按要求提供身份证明、有效联系方式以及必要的证据材料或者调查线索，逾期不予受理。
河北省科学技术厅
2022-10-24
海南省科学技术厅关于2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单的公示
根据《海南省科学技术厅关于印发的通知》（琼科规〔2022〕42号）相关规定，现将2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单予以公示，公示期为7月24-28日。
省科学技术厅
2023-07-21
青海省科学技术厅关于2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议结果的公示
根据《青海省科学技术奖励办法》及其实施细则的规定，现将通过2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议的1名科学技术重大贡献奖建议获奖人，40项建议获奖项目予以公示。
青海省科技厅
2023-08-04
关于召开第三届高校教师教学发展与创新人才培养论坛的通知
为深入贯彻落实全国教育大会和新时代全国高等学校本科教育工作会议精神，落实立德树人根本任务，立足新时代，着眼新未来，聚焦高等学校教师教学发展和创新人才培养，促进教师队伍建设和人才培养质量提升，推动高等教育高质量内涵式发展，经研究，中国高等教育学会决定举办第三届高校教师教学发展与创新人才培养论坛。该论坛是2021年5月21—23日在青岛举办的第56届中国高等教育博览会的组成部分。
中国高等教育学会
2021-04-21
关于召开第五届中国高等教育智慧教学与课堂教学改革论坛的通知
为深入学习贯彻全国教育大会精神和新时代全国高等学校本科教育工作会议精神，落实《关于深化本科教育教学改革全面提高人才培养质量的意见》有关要求，促进信息技术与教学深度融合背景下智慧教学与课堂教学改革创新，全面提升人才培养能力，实现高等教育高质量内涵式发展。经研究，中国高等教育学会决定举办“第五届中国高等教育智慧教学与课堂教学改革论坛”。该论坛是2021年5月21-23日在青岛举办的第56届中国高等教育博览会的组成部分。
中国高等教育学会
2021-04-13
关于召开第五届中国高等教育智慧教学与课堂教学改革论坛的通知
为深入学习贯彻全国教育大会精神和新时代全国高等学校本科教育工作会议精神，落实《关于深化本科教育教学改革全面提高人才培养质量的意见》有关要求，促进信息技术与教学深度融合背景下智慧教学与课堂教学改革创新，全面提升人才培养能力，实现高等教育高质量内涵式发展。经研究，中国高等教育学会决定举办“第五届中国高等教育智慧教学与课堂教学改革论坛”。该论坛是2021年5月21-23日在青岛举办的第56届中国高等教育博览会的组成部分。
中国高等教育学会
2021-04-13
关于召开第三届高校教师教学发展与创新人才培养论坛的通知
为深入贯彻落实全国教育大会和新时代全国高等学校本科教育工作会议精神，落实立德树人根本任务，立足新时代，着眼新未来，聚焦高等学校教师教学发展和创新人才培养，促进教师队伍建设和人才培养质量提升，推动高等教育高质量内涵式发展，经研究，中国高等教育学会决定举办第三届高校教师教学发展与创新人才培养论坛。该论坛是2021年5月21—23日在青岛举办的第56届中国高等教育博览会的组成部分。
中国高等教育学会
2021-04-21
2022年天津市社会发展与农业领域重点研发计划拟立项项目名单公示
根据《天津市科技计划项目管理办法》，经初审、形式审查、专家评审等程序，天津市科技局局长办公会审议通过了2022年社会发展与农业领域重点研发计划拟立项项目。
天津市科学技术局
2022-10-25
东南大学仪器科学与工程学院信号源发生器采购公开招标公告
东南大学仪器科学与工程学院信号源发生器采购 招标项目的潜在投标人应在东南大学采购中心网（https://dnzb.seu.edu.cn/）获取招标文件，并于2022年06月24日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。
东南大学
2022-06-01
功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授课题组在Nature Electronics上发表论文
随着忆阻器在非易失性存储器、模拟人类大脑的深度学习等重要领域的研究逐步深入，忆阻器的研究得到越来越多的重视。在固态电子器件和电路中应用二维材料，将有助于扩展摩尔定律，并能获得优于CMOS的先进产品。基于二维材料的忆阻器能够应用于信息存储和神经态计算，具有高热稳定性，阈值型和双极型阻变共存，增强、抑制和弛豫的高度可控性，以及出色的机械稳定性和透明度等优点。 近日，功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授在Nature子刊《Nature Electronics》上发表了题为“Wafer-scale integration of two-dimensional materials in high-density memristive crossbar arrays for artificial neural networks”的封面文章。作者提出二维材料六方氮化硼（h-BN）可以作为高密度忆阻阵列的阻变材料，构建可用于图像识别的人工神经网络的器件。其获得h-BN基忆阻阵列器件成品率高达98%，且表现出超低的周期间差异性（低至1.53％）和出色的器件间差异性（低至5.74％）。图像分类器的仿真结果表明，所测得的器件I-V曲线的均一性足以匹配理想软件实现所需的精度。
苏州大学
2021-02-01