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椭圆机M-8808EL
产品采用高精度超大液晶显示屏和ECB磁控助力系统；
国际高精技术，运动轨迹完全符合人体结构和人体运动学原理；
产品采用爬坡式设计，兼容楼梯机功能；
超豪华PU发泡握把，TPR环保塑胶按键；
采用铝合金滑轨，大直径冠状培林轴承和8mm厚度的高强度钢板支撑结构；
面板支撑钢架采用3mm强化支撑钢管，极大的强化了椭圆机的运动稳定性和支撑安全性；
整机尺寸：2100×723×1755（mm）
包装尺寸：2180×810×990（mm）
产品净重：155kg
最大承重：150kg
山东迈宝赫健身器材有限公司
2021-08-31
超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池
超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。本发明 采用柔性超薄石墨片作为衬底材料，在石墨片上溅射一层铜，进行热处理。铜 扩散进入石墨形成掺铜石墨片。在掺铜石墨片上沉积一层碲，再沉积碲化镉并 进行退火处理。在碲化镉的沉积及退火处理过程中，在石墨片和碲化镉之间形 成重掺杂的CuxTe层而实现柔性石墨衬底与碲化镉之间的欧姆接触。然后依次 沉积硫化镉、透明导电薄膜和栅状铝电极获得柔性碲化镉薄膜太阳电池。本发 明解决了制备高效柔性碲化镉电池所需的较高工艺温度与常规柔性衬底耐受温 度低的矛盾。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
m6A修饰调控神经发育
轴突导向因子受体Robo3在调控轴突导向过程中发挥着重要作用。Robo3有两个选择性剪接体，Robo3.1和Robo3.2；它们分别在连合神经元穿越脊髓底板前和后的轴突中特异表达，从而分别控制轴突穿越底板。姬生健在美国工作期间参与的研究表明，Robo3.2可以在穿越后的轴突中局部翻译并受无义介导的RNA衰减（NMD）通路的调控（Colak, Ji et al., Cell）。 姬生健课题组接着对Robo3.1在连合神经元的穿越前轴突内高表达而在穿越后突触内消失这一现象进行了深入的机制研究。课题组首次发现Robo3.1蛋白质的半衰期非常短，其蛋白水平的维持需要持续性的翻译。接着，课题组发现Robo3.1的mRNA被m6A修饰，并可以和m6A阅读器蛋白YTHDF1结合。小鼠的体外和体内实验研究表明，Robo3.1的翻译受YTHDF1调控，从而控制连合神经元的轴突导向。
南方科技大学
2021-04-13
M30B信息交互终端
产品介绍
捷宇科技柜外清：M30B信息交互终端是一款针对金融或类金融窗口的无纸化应用产品，设备以定制化的安卓系统集电磁手写、电容触控、硬件密码键盘、软件乱序键盘、指纹仪、客户评价器、广告播放、数据加密存储等功能为一体。实现柜外设备“一柜清”，为业务窗口提供新型电子业务受理方式，实现无纸化办公，有效提升业务窗口服务品质和窗口形象。适用于金融、邮政、通讯、公检法、公共服务等智慧服务厅环境。
10.1寸真彩轻薄
1280*800分辨率24位真彩色，更好展示业务，提升客户体验。机身仅18mm厚度，演绎极致轻薄。
多种功能模块
采用安卓系统，支持电子签名、密码输入、信息交互、服务评价、多媒体广告等，提供增值服务.
丰富外设扩展
支持电容电磁双模屏，出厂前选配指纹仪、接触和非接IC卡，支持电子签名、远程授权、金融IC卡等业务应用。
统一管理平台
支持远程管理，批量下发升级包和视频图片，配置设备参数等，管理更高效快捷。
福建捷宇电脑科技有限公司
2021-08-23
M70移动电子签名终端
捷宇科技M70移动电子签名终端基于行业移动业务办理场景，针对身份核验和签批审核等集合应用需求，采用安卓系统，集电磁手写、电容触控、身份验证、指纹采集、客户评价等功能为一体的智能移动交互设备，有效实现无纸化移动办公，提升业务服务品质和形象。广泛应用于电子政务、金融、邮政、通讯、公检法、公共服务等智慧办公无纸化领域。
产品特点
◆大尺寸
10.1寸大屏幕，高分辨率（1280*800），24位真彩色，终端能更好展示业务，提升客户体验
◆高集成度
集成双目摄像头、身份证识别、指纹识别、笔迹书写、IC卡读写等诸多功能模块。终端集成设计完美实现功能与空间的结合，节约设备空间及设备成本，释放业务窗口柜台空间，窗口更加整洁有序
◆多应用服务
内置安卓系统，支持原笔迹签名回放、信息交互、身份识别、指纹识别、人像拍照、人证比对、卡片服务、服务评价、多媒体广告等多种成熟应用，并能提供软件定制服务
◆4G全网通
支持中国电信、中国移动、中国联通三家运营商的六种移动通信制式，包括TD-LTE、FDD-LTE、TD-SCDMA、CDMA（EVDO、2000）、WCDMA、GSM（GPRS）的六模
功能模块
◆双目活体检测模块
能够同时采集近红外和可见光两种图像，引导客户规定时间内完成制定的动作检测是否为真人
◆身份证识别模块
公安部二代证读卡器，可快速读取二代证信息，结合人像比对系统，可进行人证比对身份核验
◆指纹模块
采集指纹信息，合成到文档中，确保该文件的唯一性
◆电子签名模块
顾客可使用终端进行电子填单或信息确认，终端可保留顾客签名笔迹，支持原笔迹签名回放
◆信息交互模块
交易信息均由客户触控确认，提升客户安全体验感，避免业务办事员误操作纠纷
◆安卓系统
自带安卓系统，减少主机负载压力；处理效率高，运算能力强；在开机无通讯状态下可进行播放广告媒体
◆多媒体、服务评价
支持批量下载，播放视频广告。集成服务评价功能，保障业务连续性
◆SDK开发包
SDK开发包自主研发，帮助软件开发商提供定制化数据 SDK 开发包，包括人脸和身份证，电子签名，评价器，多媒体，信息牌等功能接口
福建捷宇电脑科技有限公司
2021-08-23
多功能机床M2系列
产品详细介绍多功能机床M2-550 8800.00 床身上工件最大回转直径 250毫米最大工件长度 550毫米主轴通孔直径 20毫米主轴内孔锥度 莫氏3号尾轴孔锥度 莫氏2号主轴转速（无级变速） 0-2000转/分±10℅拖板横向行程 110毫米拖板纵向行程 75mm可加工螺纹范围 公制 0.4-3.0毫米（12种规格）电机输出功率 800瓦电压 220V车床外形尺寸（长x宽x高） 1230X680X450毫米净重/毛重 145/180公斤包装尺寸（长x宽x高） 1200x680x610毫米 钻铣最大钻孔能力 13毫米最大端面铣能力 16毫米最大表面铣能力 30毫米主轴箱行程 （Z） 180毫米横向行程（X） 100毫米纵向行程（Y） 220毫米主轴中心线到立柱表面距离 170毫米立柱可倾斜角度 左右各45度主轴端面到工作台面的最大距离 280毫米主轴孔锥度 莫氏3号电机输出功率 500瓦主轴转速 100-2500转/分±10%工作台有效尺寸 390x100毫米T型槽尺寸 12毫米毛重 49KG
上海富沛森电子商务有限公司
2021-08-23
商用跑步机M-003
产品功率：3.0Hp（2.2kw）
速度范围：1-20km/h
坡度范围：0-20%
整机尺寸：2222×930×1700（mm）
跑步面积：1587×580mm
产品净重：244kg(LED) 247kg(TFT)
最大承重：150kg
山东迈宝赫健身器材有限公司
2021-08-31
体适能机M-8810
软性握把，多重把位
专业的软性握把，具有良好的舒适性，提升用户运动中的安全指数。
多重把手带动上肢运动达到全身运动。
11.6 超大LED显示屏
用户可通过触摸选择不同等级阻力和锻炼模式，操作更加直观、反应灵敏。
阻力系统：20 种阻力级别
踏步行程：250mm
跨步行程：700mm
整机尺寸：1535×920×1595（mm）
包装尺寸：1660×990×1580（mm）
净重/毛重：188/244kg
最大承重：150kg
山东迈宝赫健身器材有限公司
2021-08-31
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10