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X线数字直接成像系统
X线数字直接成像装置是我们多年科研工作的阶段性成果。这是一种利用现代数字成像技术和计算机图像处理系统，提高传统X线机的质量和档次的X线成像和明室透视装置。该装置采用了数字图像冻结技术，实现明室透视，改善了放射医生的工作环境。与普通X线透视相比，由于成像时间短，可以保持在屏幕上供医生仔细观察，从而降低了X线剂量。同X线电视系统相比，不仅价格低，而且可以得到同
西安交通大学
2021-01-12
X2录音录像设备
X2录音录像设备
录音录像设备现广泛应用于银行理财、保险销售、证券销售以及窗口柜面的业务操作流程录音录像监控。设备具有同步录音录像，音视频同步采集，同步输出，同路信号输出，同步绑定保存，纯硬件拼接，不可截取涂抹，超大广角镜头，畸变矫正，音视频清晰流畅等特点。可实现金融机构现有的办公业务系统对接兼容，实现互联互通。
（1）高清广角镜头，1080P高清视频，同步录音录像
（2）逆光补偿，宽动态WDR，白平衡BLC，支持半室外光线环境（69.5DB）
（3）支持H.264（芯片级）输出，芯片级鱼眼矫正
（4）3D降噪/ 人物畸变/ 颜色/ 亮度矫正
（5）支持Android系统
福建捷宇电脑科技有限公司
2021-08-23
X3身份核验终端
产品介绍
捷宇科技X3身份核验终端是一款集人脸识别、人证比对、指纹采集的多功能一体机。设备从居民身份证芯片中读取身份信息，现场采集指纹图像、人脸相片，获取验证结果，全程自动化，操作过程无需人工干预。从技术上解决了假证泛滥、冒名顶替、单位无法验证来访人员真伪等问题，使持假证企图蒙混过关者无处遁形。
产品特点
人脸采集
配置高清摄像头，智能逆光补偿，增强人脸轮廓边缘，有利于人脸识别，通过程序自动化采集人脸照片。
平面指纹采集
内置符合公安部标准的指纹采集模块采集平面指纹图像。
身份证信息采集
内置公安部新推出居民身份证阅读器自动读取居民身份证芯片中的文字、人脸及指纹特征信息。
图像质量评估
具有指纹和人脸图像质量评价图像检测及标准化裁剪功能，保证数据的可靠性、提高验证精度。
福建捷宇电脑科技有限公司
2021-08-23
X-D0学生电源
实验室电源，物理实验室电源，化学实验室电源，实验室学生电源
备注：以上是X-D0学生电源的详细信息，如果您对X-D0学生电源的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取X-D0学生电源的最新信息。
咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
X-D1学生电源
实验室电源，物理实验室电源，化学实验室电源，实验室学生电源
备注：以上是X-D1学生电源的详细信息，如果您对X-D1学生电源的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取X-D1学生电源的最新信息。
咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
X-210 专业音柱
产品详细介绍★2.0声道全频音箱放大器、麦克风音量与音乐音量独立调节、一路音频输入、一路录音输出、安装调试简单、扩音清晰、性能稳定。
广州市比丽普电子有限公司
2021-08-23
肾脏纵切(鼠-10X)
产品详细介绍
张家港市浪花生物制片有限公司
2021-08-23
加深X光影像背景的方法、X光影像打印系统与打印方法
本发明提供一种加深X光影像背景的方法，包括以下步骤：提供一影像至一打印工作系统，所述影像包括载有特定影像信息的特定影像部分和不包括特定影像信息的背景部分；所述打印工作系统以第一色阶曲线生成定义所述X光影像的一第一指令数据；所述打印工作系统以第二色阶曲线生成定义所述X光影像的一第二指令数据，所述第二指令数据中过滤所述特定影像部分的信息；将所述第一指令数据和第二指令数据叠加后，驱动一打印机打印所述X光影像。本发明还涉及一种X光影像打印系统和X光影像打印方法，加深X光影像的背景，并降低打印成本。
青岛大学
2021-04-13
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11