瑞瀛物联2011年成立于杭州，是一家致力于研究并提供IoT Mesh系统解决方案的创新科技公司，专注智慧人居、智慧酒店、智慧能源领域，公司拥有超过10年对Zigbee、蓝牙Mesh等无线通信技术的钻研及行业应用经验，是国内最早提供物联网无线通信解决方案的高科技企业之一。瑞瀛物联提供优质的IoT Mesh无线通信模组、智能网关等产品及场景化解决方案，助力客户快速实现智能设备IoT Mesh组网、场景联动、云服务接入等功能，拥抱万物互联的智能时代。公司拥有大量完全自主知识产权的物联网无线通信技术和产品，严格遵循IEEE相关国际标准和国家行业标准，产品符合FCC、CE、REACH、RoHS等国际认证规范。

产品详细介绍 物联网综合实验箱ITS-WSNRA8 将模拟电子、数字电子、电路设计、信号处理、传感器原理与检测、单片机技术、计算机原理、网络通讯编程、无线电通讯等相关知识融会贯通，让学生可以灵活应用各科知识，发挥创新能力。 ITS-WSNRA8 由A8 核心板，实验箱底板，7 寸触摸屏，Zigbee 协调器，若干个Zigbee 节点，蓝牙设备，WIFI 设备，UHF 超高频部分、HF 高频部分、LF 低频125K 部分的RFID 读写模块和一个GPRS 模组构成。Cortex-A8 内核基于ARM v7 指令架构，适用于复杂操作系统及用户应用，运行速度可达1GHz，功耗在300mW 以下，而性能可高达2000MIPS。 ITS-WSNRA8 涵盖了目前市面上的RFID 种类技术，包含125KHz 的低频，13.56MHz 的高频，900MHz 的超高频；学生可以通过RFID 实验，掌握低频、高频、超高频RFID 读写器、原理机、标签的原理及应用。     产品特点 1. 针对性强：ITS-WSNRA8 由A8 核心板，实验箱底板，7 寸触摸屏，Zigbee 协调器，标配5 个Zigbee 节点，蓝牙设备，WIFI 设备， 条形码扫描模块，UHF 超高频部分、HF 高频部分、LF 低频125K 部分的RFID 读写模块和一个GPRS 模组构成，提供丰富的外设资源满足设计的需求。 2. 实现多学科综合实践：ITS-WSNRA8 将模拟电子、数字电子、电路设计、信号处理、传感器原理与检测、单片机技术、计算机原理、网络通讯编程、无线电通讯等相关知识融会贯通，让学生可以灵活应用各科知识，发挥创新能力。 3. 系统基础实验：提供系统基础实验，掌握高性能主控芯片开发环境的使用及内部资源配置，并通过实验实现各外部设备的连接、使用，达到可以自行开发标准。 4. RFID 应用程序开发：包含低频、高频、超高频识别系统的典型应用频率对应的基础实验，通过验证、读、写、擦除标签信息等系列实验，了解RFID 系统的系统组成及系统工作原理。 5. 大量RFID 实际应用案例：通过对应用案例的学习和开发，掌握项目开发流程，积累实际项目开发经验。提供的应用案例是经过细心挑选、精心编排的实训系统，几乎涵盖了RFID 在各个行业的应用，旨在让学生尽可能多的将所学知识应用到实际项目开发中，更多了解行业需求及应用现状。 6. 层进性强：模块化学习体系、由基础到系统逐步学习。 7. 功能强大：提供大量的测试点，培养学生观察、调试、判断分析问题的能力 8. 易于学习：提供参考设计代码和软件的接口API 函数使编程学习更容易。        

物联网技术综合实验系统III型（CES-IOT6818）配置高性能的嵌入式ARM Cortex-A53八核CPU S5P6818网关及丰富的扩展应用接口，并多达45个传感器模块、8个控制器模块可供选择，均采用统一接口，可插拔。另外，平台配置了4G、WiFi、GPS、蓝牙、摄像头等模块及10.1英寸高清电容式触摸液晶显示屏，支持Android 5.1.1 Lollipop操作系统。 物联网技术综合实验系统III型采用模块化设计，整个系统由高级物联网网关、ZigBee无线模块、传感器模块及RFID射频开发套件四部分组成。实验系统提供多达数十种课程实验，课程实验提供开放的软件及硬件资源，着重培养学生的实际动手能力，可实现教学、科研等物联网相关课题。

近日，刘志伟在Light: Science & Applications杂志上发表了题为“Lanthanide complexes with d-f transition: new emitters for single-emitting-layer white organic light-emitting diodes”的论文，该工作合成了具有d-f跃迁发光性质的天蓝光发射的铈(III)配合物Ce-TBO2Et和橙红光发射的铕(II)配合物Eu(Tp2Et)2，利用两种发光材料构建的SEL-WOLEDs发光效率高且发光颜色稳定。研究表明，主体材料不参与传能过程且低能量的橙红光材料的质量掺杂浓度可高达5wt%，体现了d-f跃迁稀土发光配合物应用于SEL-WOLEDs时可简化传能过程和器件制备工艺的优势。

本发明提供一种表面富含二氧化铱的氧化铜掺杂二氧化铱钛阳极及其制备方法。该阳极通过以下步骤制备：1）钛基体的预处理2）配制涂覆溶液：将CuO的前驱体和IrO₂的前驱体溶于乙醇和异丙醇的混合溶剂中制成前驱体涂覆液；3）热分解法制备涂层：利用浸渍提拉法在预处理后的钛板上均匀覆盖上述涂覆溶液，焙烧、冷却；如此涂覆、烘干、焙烧、冷却过程循环多次，最后一次在300‑500℃下焙烧1‑3h，然后自然冷却到室温；4）后处理：将上一步制备好的涂层电极放入浓硫酸中浸渍或者放入稀硫酸中进行电化学处理即得。该阳极的电催化活性和稳定性都得到显著提高。 （注：本项目发布于2017年4月）

【发 明 人】唐于平；华永庆；李伟霞；禹良艳；钱大玮；段金廒【技术领域】本发明涉及一种当归和川芎的中药组合物，具体涉及当归和川芎组合物的提取物在制备促进卵巢颗粒细胞增殖药物中的新用途。【摘要】本发明公开了当归和川芎组合物的提取物在制备促进卵巢颗粒细胞增殖药物中的新应用。本发明对大量古今方剂和中医应用数据进行深入研究，并根据中医药理论和卵巢功能失调和卵巢颗粒细胞生长不足的发病机制，充分利用中药资源，在当归和川芎药对现有研究的基础上，通过大量药理实验，开发出当归和川芎药对在治疗卵巢功能失调和促进卵巢颗粒细胞增殖中的新用途，并且本发明通过大量实验筛选出活性最强的当归和川芎组合物的重量配比，临床作为治疗卵巢功能失调和卵巢颗粒细胞增殖促进药物具有疗效好、有效成分明确、副作用小、服用方便等优点。  

本专利（专利号：ZL201310124826.4 ,发明人系荣昌校区教师，长期从事新中兽药的研发），及中药组 合物，特别涉及防治兔A型魏氏梭菌病的中药组合物,还涉及这种中药组合物的提取物和制备方法，还涉及由 提取物制得的制剂及其应用。目的在于提供预防和治疗防治A型魏氏梭菌病的中药组合物，配方独特,原料来 源广泛，成本低廉。具有清热解毒、凉血止血,能够很好的预防和治疗A型魏氏梭菌病。A型魏氏梭菌病，是常见的一种急性致死性腹泻病，其发病率和死亡率均高，对养殖业的危害极大。祖 国医学认为此病是外邪入里而出现的里热症，其致病机制是热炽盛，犯及气血、致瘀、致热，外窜经络，内 伤脏腑，气阴损伤。饲养管理不良，饲料突然改变、搭配不当、粗纤维不足，使肠道内环境发生改变，肠道 正常菌群破坏,使得A型魏氏梭菌大量繁殖，并产生A型魏氏梭菌外毒素,使感染动物中毒死亡。因此临床上 急需一种中药组合物,能够增强的免疫力,抑制A型魏氏梭菌的生长,中和A型魏氏梭菌产生的夕卜毒素。本专利拟以独占许可方式转让给相关兽药企业,因此，如果本专利能被采用成功上市，将会提高犬细小 病毒病的治疗效果,加之中药残留低,毒副作用小，应用前景非常可观。

亚氨基二乙酸(IDA)是生产除草剂草甘膦的重要中间体。它也被用于生产新型两性铬络合 品红染料、漂白活化剂、顺铂类抗癌药物等。目前生产亚氨基二乙酸主要有化学合成法和生物 合成法。利用高效、高酶活、稳定的产腈水解酶生产亚氨基二乙酸，符合绿色化学的发展方 向，有着化学方法无可比拟的优越性。本项目筛选到一株高效、高酶活、稳定的产腈水解酶的 菌株，一步水解得到所需的亚氨基二乙酸。 本项目通过筛选适合的菌株、对菌株发酵优化以及整个催化过程的优化，最后分离纯化得 到亚氨基二乙酸。整个反应过程条件温和、操作简单、无副产物产生。

超临界二氧化碳对有机物的溶解性随溶质极性、分子量、密度等不同而不同，容易溶解非极性或极性弱、分子量小的有机物。分散染料一般分子极性弱，分子量也不大，因而易溶于超临界二氧化碳。溶于超临界二氧化碳的染料分子是杂乱分散的。因此在这种状态下染色，染浴中的染料活泼，能快速到达纤维表面，接着能较容易地渗入到纤维内部，从而达到染料上染纤维的目的。该项技术的原理在于气体在超临界状态下形成的流体密度低，染料能自动溶解且具有较高的扩散性；染料在超临界二氧化碳中的溶解度随着流体密度的增加而增加，由压力和温度来控制二氧化碳流体密度从而控制染料在超临界二氧化碳流体中的溶解度；提高温度来降低流体的密度和染料在溶液中的数目，促进染料扩散到纤维中去。因此该系统控制参数可比常规水相工艺较为快速的进行调节。该工艺无需助剂，二氧化碳无毒，可循环使用；残留的染料可以粉末状态回收，无废水和废弃物，无需染色后处理和染后烘燥，可节能?0%左右。该工艺染色速度比传统工艺快好几倍，染色效率高。

首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。