二、成果介绍1、 成果简介：（500字以内） 本项目针对国内外对特种高分子树脂及膜材料的重大需求，在传统聚芳醚酮和聚醚砜树脂的基础上，制备高附加值和高性能的功能型改性聚芳醚树脂及功能膜材料。具体的研究内容和完成情况包括：（1）功能型聚芳醚树脂合成、化学改性及放大；（2）适合耐高温树脂的膜制备工艺；（3）针对功能膜材料在分离膜、质子交换膜、功能涂层和生物医用材料方面的应用性开发。研制

一种环形高温超导磁体传导制冷装置，属于超导磁体传导制冷 装置，通过制冷机进行传导制冷，解决现有环形磁体传导制冷结构存 在的导冷效率低、磁体热稳定性差的问题。本发明包括上导冷盘、下 导冷盘、导冷棒和 N 个导冷单元，导冷棒两端分别与上、下导冷盘固 接，导冷棒上端端部固接有铜块，铜块和上、下导冷盘组成超导环形磁体的主要热沉；N 个导冷单元排列成环形位于上、下导冷盘之间； 上、下导冷盘之间还穿有内侧、外侧导冷杆，用于所述上、下导冷盘 之间导热。本发明可以在制冷机冷量充足的情况下使超导磁体降至预 定的温度，

本发明公开了一种高温超导磁体线圈及其绕制工艺。线圈包括 环氧筒和多层线圈单元，各线圈单元均由依次布置的低温胶层、聚酰 亚胺薄膜层和超导带材层组成。首先将超导线圈的骨架固定好并对绕 制位置做好标记，在骨架表面均匀涂抹低温胶并用聚酰亚胺薄膜缠绕， 然后等间距铺设聚酰亚胺带，拉紧固定；准备好带材绕线盘之后，将进线端固定于骨架表面，均匀密绕一层超导带材，完成后在带材表面 涂上一层低温胶，同时缠绕一层聚酰亚胺薄膜，并将聚酰亚胺带拉紧、 回铺，重复以上操作至完成整个线圈的绕制。本发明保证了对超导带 材施加了一定

本实用新型公开了一种高温超导线圈磁通泵设备，包括磁路、三相电绕组、直流电线圈、超导线圈定子和超导线圈，磁路首尾相连形成封闭线路，并依次被分为第一段、第二段、第三段和第四段，第一段和第三段上下对应设置，第二段和第四段左右对应设置，第一段上设有线圈绕槽，线圈绕槽位于磁路构成的封闭线路内侧，三相电绕组绕制在线圈绕槽上，直流电线圈分别设置在磁路的第二段和第四段上，超导线圈设置在磁路外侧与超导线圈定子相连并形成闭合回路，磁路的第三段从超导线圈定子与超导线圈构成的封闭回路内侧穿过。解决高温超导磁体在持续电流模式下运行的难题，同时解决高温超导磁体直流电源设备昂贵，制冷系统负担大，制冷成本高的问题。

本实用新型涉及一种含焦油高温煤气分级冷凝回收装置，包括Ⅰ级、Ⅱ级冷却塔以及两者之间的煤气管道，所述冷却塔设有换热机构，底部设有焦油收集池，所述换热机构包括至少一层剑鞘管束层，所述剑鞘管束层穿设在冷却塔，两端分别连通换热介质管的入口和出口。该装置能够有效地防止换热装置表面粘结焦油，从而避免因焦油搭桥而堵塞设备。

依托“湖南大学碳材料研究所”，建成国内沥青基碳纤维生产基地，逐步用碳纤维复合材料取代铝合金、钢筋等，促进建筑行业、汽车行业的“产业革命”，打造百亿、千亿的产业集群，把湖南长沙打造成全球第四家拥有整套高性能沥青基碳纤维制备技术的生产基地，确立长沙中国“碳谷”地位。目前已研发出高性能沥青基连续长丝炭纤维。 相关研究成果已应用于航天、航天、承载一体化、冲击载荷下微结构、兵器材料等，为我国武器装备发展和国防科技工业进步提供了基础支撑。合作单位包括国防科工局、中科院近代物理所、中国兵器工业第二0一研究所、中国工程物理研究院、航天科工集团、航天科技集团、中国兵器集团等国防军工单位。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。