本发明公开了一种带富氧设备的全预混冷凝式壁挂炉，包括：通过管路彼此连接的风机、空气控制阀、富氧设备和空气进气管，通过管路彼此连接的燃气进气管、燃气控制阀和燃气比例阀，以及燃烧室、换热器、混合器和整体控制系统，其中当接收来自控制系统的指令时，风机启动并引入空气，空气流经富氧设备提高其氧气含量后，与所引入的燃气在混合器内混合均匀，最后进入燃烧室点火燃烧；与此同时，供暖用水流经换热器被加热，并经供暖水出口流出以便使用。

锂离子（或铅酸）动力电池在大电流充电过程中存在着发热、充电速率低等问题。成果提供的充电方法可提高充电速率50%以上，减小了电池发热，延长了电池循环寿命。在整体上分为多个不同等级的恒流充电段，每个充电段由多个幅值逐渐减小的等效正负脉冲组成，在负脉冲阶段电池进行短暂放电还原以减小发热，且可以将放电电能存储到馈能电容中，在正脉冲到来时重新加以利用，且正脉冲幅值很高，既提高了充电速率又提高了电能的利用率。随着新能源发电储能及新能源汽车的发展，锂离子（或铅酸）动力电池的用量每年达千亿只以上，且每年以30%的速度增长，市场迫切需求一种大电流快速充电而不损害电池寿命的新的充电系统及方法，而本发明可以提升充电速率50%以上，可以有效延长电池寿命，每年创造产值可高达数亿元以上，这对于节能环保、发展低碳经济有着重要的意义，应用前景十分广阔。

本发明公开了一种静电激发袋式除尘器的脉冲清灰性能数学建模方法，涉及一种新型的以压力损失 系数（pressure?reduction?factor,?[PRF]）为核心的非稳态轴对称数学模型，通过试验测试数据与数值模 拟计算相结合的方法对在静电激发条件下动态脉冲清灰过程进行影响因素简化，确定清灰周期与 PRF、 压力损失、滤袋静压与脉冲压力等清灰定性参数之间的关系。克服了仅通过有限的测试数据与影响因素 考虑不周所致的清灰性能分析的局限性，描述了在静电激发条件下影响因素更趋复杂的动态清灰过程。 

本发明公开了一种利用高压电脉冲水中放电破碎多晶硅棒的反 应槽，包括导向固定筒、筛选筛、电极结构、水槽以及传送带。电极 结构包括电极架板、电极杆以及电极头，电极架板上开有调整槽，可 以保证电极间距和电极高度可调，能满足破碎不同直径硅棒的需要。 电极杆上包有绝缘层，防止电极杆之间发生放电和泄露电流造成的能 量损失。电极材料采用不锈钢材料，能保证破碎用电极所需要的电流 耐受能力和机械强度，同时放电对电极造成的损耗也较小。筛选开有比预期破碎多晶硅块略大的孔，以便破碎后的成品露出，由传送 带传送至下一级。&n

本发明公开了一种重复频率脉冲下的金属化膜电容器的寿命测 试系统及方法。该系统包括充电电源和脉冲放电回路；其中，充电电 源包括充电模块、防反模块和检测控制模块；充电模块中，三相交流 电通过前级三相不控整流电路输出直流电压，并经过全桥逆变电路逆 变为交流电压，然后通过高频变压器升压，再经过单相全桥整流电路 将交流电压整流为直流电压输出。通过在充电模块中引入高频变压器， 使得金属化膜脉冲电容器的充放电能获得较高的重复频率(0.1～ 100Hz)，从而有利于研究 ms 级脉冲放电领域的金属化膜脉冲电容器的

本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获国家发明专利授权（ZL201320031915.X），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘脉冲频率调制V2型控制方法及其装置，根据基准电压Vref和输出电压Vos经过误差补偿器后生成的控制电压Vc与输出电压Vos的关系，结合预设的恒定导通时间或恒定关断时间，产生三段时间t1、t2和t3，每个周期依次采用t1、t2、t3组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等开关变换器，其优点是：负载瞬态响应速度快，稳压精度高，稳定性好。

本发明公开了一种金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工 方法，该方法首先采用射频振荡产生等离子体磁流体通道，对待抛光 加工的金属表面凸起部位进行脉冲放电，产生的等离子弧经过磁流体 通道后，得到强度和密度增强的等离子弧，该增强等离子弧对金属表 面凸起部位进行轰击，使该部位形成阳极斑点后蒸发去除，并通过放 电极性的调节实现去除凸起的光亮化，实现该位置的抛光加工。本发 明方法解决了常规金属表面抛光方法的加工效率低、易产生加工应力 和表层损伤等问题。能够在大气压下进行，可实现粗抛、细抛和精抛， 不需要在金属抛光表面涂上任何研磨液和化学反应物，精密化抛光后 形成的表面粗糙度小，可达到 Ra0.2μm。

本发明设计了一种集成宽带小型化和差相位比较网络的单脉冲天线阵列，包括小型化宽带平面和差相位比较网络和平面八木阵列天线；小型化宽带平面和差相位比较网络由双面平行带线构成，包括第一级网络和第二级网络，第一级网络包括第一级环形耦合器，第二级网络包括两个第二级环形耦合器，耦合器环形部分设置有反相器，反相器上下两层之间通过金属化通孔形成电连接。 本发明增加了和差相位比较网络的带宽，并具有更小的结构尺寸，比一般的T型功分馈电网络的尺寸还小，同时不需要馈电网络到天线间的过渡结构；采用平面结构大大简化了整体构造，加工难度低，易于大规模生产，且易于同其它平面电路集成，尤其适合集成在雷达系统中，安装调试极为方便。

一种纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化反应制备法,以纳米氧化钛和纳米碳黑为原料,工艺步骤依次为配料、混料、干燥、装料、高温碳氮化、球磨、过筛。此法工艺简单,成本较低,较一般碳热还原法节约能源,容易实现规模化工业生产。通过控制反应温度、保温时间、氮气压力(或流量)、碳钛配比等工艺因素可以合成各种氮含量的氮碳化钛纳米晶超细粉。用此法制备的氮碳化钛粉末为球形,分散性较好,平均粒度为100～200NM,平均晶粒度为20～50NM,纯度达99%以上。

北京大学量子材料中心王健研究组与合作者在钛酸锶（SrTiO3）衬底上外延生长的单原胞层厚（0.55 nm）铁硒（FeSe）薄膜中观测到了具有磁激发迹象的玻色模式和强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。两项发现为超导机制备受争议的单原胞层铁硒薄膜提供了异号配对的重要实验证据，表明在该体系中尽管界面电–声耦合被认为可以增强超导特性，自旋涨落对于库珀对的配对有着不可忽略的作用，或对铁基高温超导机理的统一理解提供重要参考。 提升超导转变温度和理解库珀配对机制是超导领域两个最重要的研究方向。在以往的铁基超导研究中，基于电子–空穴费米口袋嵌套的s±波配对被广泛接受。然而对于AxFe2−ySe2 (A = K, Rb, Cs, Tl)、(Li1−xFex)OHFe1−ySe，尤其是单原胞层 FeSe/SrTiO3等一系列重电子掺杂铁硒化合物，重电子掺杂会导致费米能级上移，进而导致布里渊区中心Γ点的空穴费米口袋降至费米能级以下，使得电子–空穴费米口袋嵌套理论失效。因而，铁基超导中的s±配对图像受到严峻挑战。 钛酸锶衬底上外延生长的铁硒薄膜具有铁基超导家族最简单的分子结构和最高的超导转变温度（能隙闭合温度的典型值为65 K），自2012年被清华大学薛其坤团队发现以来在国际凝聚态物理领域掀起了研究热潮。前期，北京大学王健研究组与薛其坤研究组合作采用电输运和抗磁性测量首次报道了单层铁硒中高温超导的直接证据（Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014)，被Science编辑选择文章Science 343, 230 (2014)报道）。然而，其中的超导配对机制，一直存在争议，始终悬而未决。 为了揭示单层铁硒中的超导配对机制，王健研究组开展了一系列系统的实验。实验中的单层铁硒超薄膜采用分子束外延技术生长于钛酸锶衬底。通过原位超高真空（~10−10 mbar）原位扫描隧道谱探测，研究组发现超导能隙外存在由电子–玻色子耦合导致的鼓包（hump）结构。系统的扫描隧道谱实验揭示以该鼓包为特征的玻色模式更接近磁激发信号（图1），极有可能是充当配对媒介、且连接布里渊区近邻角落（M点）电子费米口袋的(π,π)自旋涨落。超导序参量作为复数，其在费米面上的分布存在同相位（保号：sign-preserving）与反相位（异号：sign-reversing）两种情形。杂质散射作为一种相位敏感技术，已广泛应用于以往超导配对研究。其中非磁性杂质尤为特殊，其选择性地局域破坏s±波、d波等异号配对，实验上表现为诱导超导能隙内的束缚态，而对传统保号s波配对无明显效应，因此可用于区分异号和保号配对图像。王健研究组采用沉积于单层铁硒表面的强非磁性杂质铅（Pb）吸附原子作为散射中心，实验中发现相对于正常超导谱形，铅原子在超导带隙边界附近诱导出电子型谱权重增强，同时超导能隙减弱（图2）。该特征是‘隐’束缚态的典型信号。系统的势散射强度调节（图2(d)）等实验也印证了这一观点，有力地说明单层铁硒超导能隙函数存在异号。同时，基于异号配对图像，如扩展s±波（图2(e)），南京大学王强华教授与南京师范大学高绎教授理论上定性复现了非磁性杂质诱导的超导谱形重构。上述的玻色模式与非磁杂质散射两项研究成果一致支持单层铁硒中存在以自旋涨落为媒介的异号配对，为最终澄清单层铁硒的界面高温超导机制奠定了重要基础，同时也预示具有不同费米面构型的铁基高温超导体或存在统一解释。图1. 单原胞层 FeSe中具有磁激发迹象的玻色模式。(a) 单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示超导能隙外由电子–玻色子耦合导致的鼓包结构；(b) Ω/2Δ1与Δ1的统计负关联（Ω：玻色模式能量；Δ1：内超导能隙）。图2. 单原胞层 FeSe中强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。(a) Pb吸附原子的STM形貌图；(b) Pb吸附原子和正常单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示9.5 mV处存在‘隐’束缚态；(c) 跨Pb吸附原子的扫描隧穿线谱；(d) 101组Pb吸附原子扫描隧穿谱（黑实线下方）与无吸附原子时的扫描隧穿谱（黑实线上方）对比；(c) 扩展s±波图像下非磁性杂质的模拟局域态密度谱。 两项工作分别于2019年5月22日和2019年7月15日发表于Nano Letters（Nano Lett. 19, 3464−3472 (2019)）、Physical Review Letters（Phys. Rev. Lett. 123, 036801 (2019)）。论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b00144、https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.036801。 其中Nano Letters文章北京大学博士生刘超飞为第一作者，北京大学王健教授为通讯作者；Physical Review Letters文章，北京大学博士生刘超飞、王子乔和南京师范大学高绎教授为共同第一作者，北京大学王健教授和南京大学王强华教授为共同通讯作者。 以上工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心、中科院卓越创新中心、北京市自然科学基金、江苏省自然科学基金等经费的支持。王健特别感谢谢心澄、王垡、徐莉梅、任泽峰以及量子物质科学协同创新中心在北大超高真空分子束外延与低温扫描隧道显微镜实验室搭建过程中给予的支持。