本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二 PMOS 管和第三、第四 PMOS 管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS 管和第七、第八 PMOS 管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余

集成电路设计      南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集成电路、射频集成电路、SoC系统集成设计等方面提供技术服务。      我们具有10余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践的软硬件条件，建

本发明公开了一种低射频功率检测电路，该检测电路将射频输 入信号连接至匹配负载，然后经过基于检波二极管的峰值检测电路处 理，峰值检测电路的输出连接至峰值补偿电路，使得补偿之后的直流 电平与射频信号峰值基本一致。补偿电路的输出连接至乘法器的两个 输入端，乘法器的输出经滤波、放大、零位补偿之后，在检测电路输 出端得到一个与待测信号功率成正比的直流信号。该发明的特点是： 各功能电路相对独立，调试方便；补偿电路可精细调节，在一定频率 和功率范围内测量准确度较高；通过设定电路参数，响应速度灵活可 调；能满足高达

产品详细介绍桑塔纳空调电路实习台 紫光基业本台按照汽车标准线路安装而成。外形美观，操作方便，透明直观。全车电线束、仪表盘、各种开关、前后灯光分电器、点火线圈、调节器、继电器、中央线路板、中央控制器、节气门组件，均用实物装成，各缸点火清楚可见，转速可快慢调节，自动充电，电喷、ABS各传感器和执行器均可用万用表测试电压或电流信号，（其中电喷实验台可用试管测量喷油量大小）。教师在实验台上任何部件制造故障有学生自行排出，拆掉各路保险丝、继电器、台面上电器街头，有学生按早电路图自行安装可达到实习目的。

   集成电路设计实验系统，利用真实工程案例拆分出微小中型案例，植入学校人才培养，作为主干课程实验、课程设计、实习实训、毕业设计等所需项目资源，切实提升学生实践动手能力。

集成电路制造工艺虚拟仿真是模拟实际工厂，对集成电路产业的晶圆制造、芯片制造和封装制造工艺，与真实生产操作环境和工艺环境下的虚拟现实仿真。

封闭式结构、可简单演示和模拟演示声控灯系统的原理及方法。

可设计组装红外遥控小车，具有前进、后退等功能。

本发明公开了一种具有空间立体电路的电路板 3D 打印方法，其 包括如下步骤：利用三维建模软件设计电路板结构模型和电路线路； 利用切片软件将电路板结构模型分层切片，识别切片层中结构和电路 线路信息；将每层识别的信息输入至设有双喷头的 FDM 设备中；双喷 头根据每层的结构信息和电路线路信息，逐层进行沉积成形，在成形 过程中，每完成一切片层的沉积成形，使成形件下降一个设定层厚的 高度，双喷头继续在已成形的切片层上沉积下一

成果描述：10GPa以上的超高压静态压缩条件将可使绝大多数高强度金属及陶瓷材料进入整体塑性区，材料内部微区偏压力分布趋向稳定，并意味着其压缩行为数据在外推至更高压力区间时的可靠性显著提高。然而，发展与堆源相匹配的大腔体超高压原位中子衍射技术，要求在设计原理、关键技术及关键部件的研制上进行创新。本成果针对堆源中子散射谱仪，研究适用于原位子中子衍射的大腔体超高压加载技术和系统集成技术,包括大尺寸多晶金刚石复合压砧研制、压力加载及控制、高压腔样品封装与压力标定、中子束准直、衍射样品的精确定位与控制、衍射信号采集及背底消除等。将通过自行设计及研制高压加载关键技术及部件，并结合中子粉末衍射谱仪开展系统集成与实验验证研究，进一步提升现有的高压原位中子衍射实验平台的样品环境压力区间，发展具有自主知识产权的大尺寸多晶金刚石超硬复合压砧制备技术，在1毫米尺寸样品腔内实现约30GPa的超高压条件，为新一代超高压原位中子衍射实验研究平台的建立提供技术基础。研发和设计的平台及配套技术可以使毫米级样品在超高压下进行原位中子衍射，以实现超高压原位中子衍射技术的国际领先，并可应用到其它中子衍射平台，快速提升国内高压原位中子衍射平台的实验研究能力。本项目所研制的装置及相关技术，将显著扩展中子探测手段的应用领域，可开展对国防材料（包括重金属材料、含能材料）、能源材料（储氢材料与气水合物等）、非晶态材料（如玻璃、熔体等）、地学材料（如含水矿物等）与纳米材料等在高压下的结构、性能及行为的研究，并将在广阔的科学和工程领域发挥作用。 另一方面，本成果还将将大腔体二级增压技术发展成为了一种与国产六面顶一级压腔相兼容的通用嵌入式系统，方便国内六面顶大腔体静高压装置的升级。所研制装置用于合成超硬材料的二级大腔体静高压装置具有自主知识产权，与国外同类设备相比具有结构简单、操作方便、稳定可靠、运行成本低等优点，可产生40GPa以上高压、2000K以上高温，已成为具有明显技术创新优势的大腔体静高压系统，可广泛应用于材料的高温高压合成、凝聚态物质在高温高压极端条件下的行为与物性研究，并可快速推动我国的大腔体静高压技术迈入世界前列，在高压物理、地学研究等领域有相当的国内外潜在用户。市场前景分析：本成果所设计制造的先进大腔体静高压装置具有自主知识产权，可广泛应用于材料的高温高压合成、凝聚态物质在高温高压极端条件下的行为与物性研究，并可快速推动我国的大腔体静高压技术迈入世界前列，在高压物理、地学研究等领域有相当的国内外潜在用户。本成果所研制的装置及相关技术，将显著扩展中子探测手段的应用领域，可开展对国防材料（包括重金属材料、含能材料）、能源材料（储氢材料与气水合物等）、非晶态材料（如玻璃、熔体等）、地学材料（如含水矿物等）与纳米材料等在高压下的结构、性能及行为的研究，并将在广阔的科学和工程领域发挥作用。与同类成果相比的优势分析：新型一级大腔体静高压装置适用于堆源的原位中子散射，压力可达到30GPa、温度1500K，满足进一步国防研究需求。 二级大腔体静高压装置与国产六面顶一级压腔相兼容的通用嵌入式系统，方便国内六面顶大腔体静高压装置的升级，该二级大腔体静高压装置可产生40GPa以上高压，及2000K以上高温。 国内领先。