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一种环保型高掺量尾矿免烧免蒸砖及其制作方法
本发明属于建筑材料技术领域,具体涉及一种环保型高掺量尾矿免烧免蒸砖及其制作方法。包括无害化处理剂、水泥、尾矿砂和水,经筛选、搅拌、陈化、再搅拌、干压成型、自然养护,按其工艺制得环保型高掺量尾矿免烧免蒸砖;所述的无害化处理剂采用细度为400目的氯化镁、生石灰、石膏粉、氯化钙、硫酸铝、硅酸盐和硅灰等的复合料,所述的水泥采用PO42.5号,其特征在于:所述的各原料所占重量百分比为无害化处理剂2~6%、水泥5~10%、尾矿砂80~85%、水5~8%。本发明长期使用后不会产生墙面产生鼓包、隆起或墙面粉刷层脱落
安徽建筑大学 2021-01-12
一种高硫肥煤改质处理的方法及其在炼焦配煤中的应用
(专利号:ZL 201310153992.7) 简介:本发明提供一种高硫肥煤的热溶抽提处理及其在炼焦配煤中利用的新技术。该新技术是将高硫肥煤在适当的条件下,采用有机溶剂在固定床反应器中连续热抽提或在间隙式反应釜中进行热溶抽提,经热态过滤分离后得到高收率的低硫低灰的热溶物,并应用于炼焦配煤。通过本热溶抽提处理后,热溶物脱除了全部的灰分和无机硫,相对原高硫肥煤,其黏结性能得到改善,含硫量明显降低,并全部为有机硫,在后续的炼焦过程中易于脱除。将
安徽工业大学 2021-01-12
一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法与设备
本发明公开了一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及设备。方法根据待成形金属构件切片轮廓形状确定成型缸的内部 结构,使各铺粉层的金属粉末尽量只处于待成形金属构件切片轮廓形 状对应的区域,以大幅度减少金属粉末的用量,并提高高能束增材制 造的功效。设备包括一个或多个成型缸,该成型缸的内部结构与待成 形金属构件切片轮廓形状相匹配。本发明通过使用镶块以及与金属构 件切片轮廓形状相适应的异形基板,实现了针对不同金属构件
华中科技大学 2021-04-14
提高 700MPa 强度级高合金化 7000 系铝合金抗腐蚀性能的方法
项目简介 一种提高 700MPa 强度级高合金化 7000 系铝合金抗腐蚀性能的方法,其特征是它由 预回复( 250 ℃×24 h+300 ℃×6 h+350 ℃×6 h+400 ℃×6 h )、 固 溶 (450℃×2h+460℃×2h+470℃×2h 保温后室温水淬)、预变形(2%的塑性变形)和时效 (121℃×24h)组成。 产品性能、指标 本发明能在不降低合金强度的情况下,显著提高合金的抗晶间腐蚀和抗剥落腐蚀性158 能。 合作方式
江苏大学 2021-04-14
一种紫花苜蓿刈割后株高再生能力鉴定方法、分子标记及应用
本发明提供了一种紫花苜蓿刈割后株高再生能力鉴定方法、分子标记及应用,属于分子标记技术领域,本发明通过测定刈割四周后紫花苜蓿再生的株高来体现紫花苜蓿刈割后一定时间内植株再生的能力。所述分子标记的核苷酸序列如SEQ ID NO.4或SEQ ID NO.5所示,插入或缺失片段的核苷酸序列如SEQ ID NO.3所示。用于扩增分子标记的引物对,其核苷酸序列如SEQ ID NO.1~2所示。本发明所述分子标记对应的引物对能够鉴定或辅助鉴定紫花苜蓿刈割后株高再生能力。同时本发明还提供了利用所述分子标记快速鉴定紫花苜蓿刈割后株高再生能力的方法,该方法简便快捷,鉴定结果准确,具有良好的推广应用前景。
兰州大学 2021-01-12
地下水位在线监测设备 监测液位温度,液面到泵端水位变化的连续测量
WH311简述地下水位监测实施方法地下水位在线监测系统被广泛应用于地下水深井水位测量,矿山水位计深井测量,地热井水位测量。其测量范围能够达到100米,300米甚至1000米,主要是基于WH311内置超强抗高压高密封性传感器芯片,一体成型结构,三重防雷工艺。信号传输采用级别的抗拉抓力钢丝电缆,确保测量信号能实时的,高精度稳定的输出显示。 地下水位在线监测设备 监测液位温度,液面到泵端水位变化的连续测量   WH311地下水位在线监测系统工作原理:    WH311地下水位在线监测系统根据压力与水深成正比的静水压力原理,运用水压敏感集成元器件做深井水位测量仪传感器探头,当传感器探头固定在水下某一测点时,该测点以上水柱压力高度加上该点的高程,即可间接测量出水位高低(水面到井口的距离);直接测量出的是传感器探头以上深井的液位实际高度。     WH311地下水位监测仪主要技术指标     WH311地下水位监测仪生产工艺:    深圳市东方万和仪表有限公司引进欧洲的三重防雷,和六道防水工艺,保证了长期深井水下工作的IP68防护等级。     WH311地下水位监测仪产品特点   1、特别适合深井或地下水位监测   2、采用静压式原理,激光标定零点、满量程   3、厂级别铠装钢丝电缆   4、三重防雷模块,保障野外测量更安心   5、液位温度一体式,可同时测量温度和液位   6、量程可做到1000米深井液位测量   WH311地下水位监测仪应用   1实时监测深井地下水的实际水深,然后低位停泵(防止深井泵空转烧坏)。   深井液位监测因为其测量的特殊性,超声波等非接触的无法有效传输信号,磁翻板,气泡式无法做这么深的量程,故只有选择WH311投入式深井液位探头,保证在1000米水下(承受100Bar水下压力还要保证密封性).    WH311地下水位监测仪信号传输采用级别的聚氨酯钢丝电缆(放的过程中,一定要注意对电缆的保护),确保测量信号实时的,高精度稳定的输出。然后显示器会有两个继电器开关量输出,在低位的时候(这个值用户可以根据工艺自行设置)自动停泵。   地热温泉井温度液位一体式测量   很多地热温泉井需要实时监测实时的液位和温度变化,WH311-DZ温度液位一体式测量仪根据地热温泉井的特性而特殊设计,温度液位一体式探头直接传输温度和液位双信号,双4-20mA传输也可以RS485通讯协议输出。配套WH6双通道显示器,上面实时显示水位,下面实时显示温度。   WH311地下水位监测仪获得了欧盟,美国等多国认证   应用案列分析:    东方万和仪表的工程师帮助了贵州地质局,吉林大学地球学院,新疆地震局等数十家用户实现了深井液位实时监测和低位停泵功能。   SGS通标标准技术服务有限公司(通标、SGS中国、SGS通标)是全球公认检验、、测试和认证机构,WH311地下水深井水位测量仪通过了SGS通标的校准证书,证书编号:200006512,证书记载东方万和WH311的误差为0.009mA,实际精度超过千分之一,达到了万分之六误差范围之内。    东方万和仪表的工程师帮助了中铁四局,中国建筑第二工程局,葛洲坝南京地下空间等数十家用户实现了水位实时监测并带记录功能,数据可以用U盘直接导出。现在我们重点分析一下葛洲坝南京地下空间记录监测方案   WH311地下水位监测仪拥有了很多用户,从2013年到现在6年间,就已经有超过100000家用户选型WH311水位测量仪,解决深井液位显示报警的问题。东方万和仪表先后为贵州地质局500-1000米深井液位监测系统,武汉地震局80米地下水位监测项目,清华大学,吉林大学地球学院地下水深井液位监测.万和仪表致力于给用户工程师提供高精度,高稳定的测量方案,为用户解决深井液位测量难的问题。
深圳市东方万和仪表有限公司 2026-01-09
基于六维力传感器和双目视觉的机器人打磨装置及打磨方法
本发明公开了一种基于六维力传感器和双目视觉的机器人打磨装置及打磨方法,打磨装置包括机械臂、传感器固定座、六维力传感器、工业相机、柔性连接件、电机固定座、打磨电机和双轴加速度传感器;六维力传感器通过传感器固定座与机械臂的末端关节固定连接;六维力传感器通过柔性连接件与电机固定座柔性连接,打磨电机安装在电机固定座上;工业相机对称设在柔性连接件的两侧;双轴加速度传感器分别设在机械臂的末端关节和打磨电机上。打磨方法包括步骤1,深度点云图生成;步骤2,打磨时机控制;步骤3,PI控制打磨和步骤4,机械臂位置补偿。本发明简单稳定,易于控制,打磨效果好,效率高;同时,还能补偿打磨过程中的位置偏移,提高加工质量。
东南大学 2021-04-11
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中,借助常见 的可与硫族单质(S,Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度,以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的,利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C,并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟,完成 TMDs 
武汉大学 2021-04-14
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