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一种船舶双向曲率板一体作用自动成型方法
本发明公开了一种船舶双向曲率板一体作用自动成型方法,包括下列步骤：a)构建一体作用成型加载系统；b)针对待成型的板材，根据成型工艺要求，建立成型的基础数据与加工数据之间的对应关系；c)根据建立的基础数据与加工数据的对应关系，编制成型软件并在控制装置上安装成型软件，启动成型软件对板材执行加载，以使板材产生双向曲率塑性变形；d)对已塑性变形的板材的成型效果进行监测，并比较和反馈已成型形状、曲率与目标形状、曲率之间的差异。本发明便于操控，同时具有智能化、高精度、应用范围广的优点，因而尤其适用于鞍形板、帆形板和扭曲板之类及其组合形状的大曲率板的自动化成型。
华中科技大学
2021-04-14
3528 5050 贴片机,灯条板贴片机QS-1200
产品详细介绍3528 5050 贴片机,灯条板贴片机QS-1200 http://www.qinsidianzi.com/
深圳市勤思科技有限公司
2021-08-23
成都培源 吸尘擦板器 电动黑板刷 无尘板刷
产品详细介绍该产品主机由超静音，滤微尘的真空吸尘器（又名化毒、消烟、吸尘装置），通过伸缩管（或直管）连接专用刷头组成。该设备采用目前世界最先进的“真空静音吸尘,离心水膜净化”原理。在引风机的作用下，刷下的粉尘全部被吸走，并经该机多次离心除尘和水膜除尘，直到粉尘全部吸到水里去,无二次污染后，排出机箱外。如果在过滤液中加入适量“84”消毒液或“过氧化氢”溶液，对吸入该机空气中流感和甲流感病毒（H1N1）将有强烈的杀灭作用。电话：028-87780985手机：13208184419
成都市培源科技开发有限责任公司
2021-08-23
无铅压电陶瓷与聚乙烯醇压电复合材料及其制备方法
本发明涉及一种铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚乙烯醇(PVA)压电复合材料及其制备 方法。该方法按通式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料，以分析纯无水 碳酸盐或氧化物为原料，用传统陶瓷制备工艺制得陶瓷粉末；将陶瓷粉末与聚乙烯醇按 体积比5/90～95/5的比例配成混合粉料后加入去离子水，再加热使PVA溶解；然后超声分 散，将混合粉料烘干后经压片机冷压成型，再用马弗炉加温处理，最后在其表面溅射金 属电极，经硅油浴极化，即制得铌酸钠钾基无铅压电陶瓷-聚乙烯醇压电复合材料。该 压电复合材料为纯钙钛矿晶相，无杂相；且具有良好的压电性能与介电性能。
四川大学
2021-04-11
负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法，该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以组成阳离子的氧化物为起始原料，球磨，经过多次煅烧，加入有机粘结剂造粒成型后，烧制而成，烧成片状样品后，两端面上银电极，电极烧渗后，在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料，在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学
2021-01-12
低温无压烧结纳米陶瓷用高烧结活性复合纳米ZrO2粉末微球
研发阶段/n本发明涉及一种低温无压烧结纳米陶瓷用高烧结活性复合纳米ZrO2粉末微球的一步合成法，其利用乳浊液法控制团聚粉末的形状（球形），利用均匀沉淀法控制一次纳米颗粒的大小、团聚和粒径分布，利用共沉淀法控制团聚粉末的成分与结构的均匀性，从而一步合成复合纳米ZrO2(CaO,MgO)软团聚粉末微球，将制粉和造粒过程一步完成。本发明涉及的方法可以有效解决低温无压烧结制备纳米陶瓷这一难题，大大加快纳米ZrO2陶瓷的实用化进程。
湖北工业大学
2021-01-12
一种用于液流电池的不对称无机陶瓷膜及其制备方法
本发明公开了一种用于液流电池的不对称无机陶瓷膜及其制备方法，属于电池隔膜技术领域。用于液流电池的不对称无机陶瓷膜包括基底层、过渡层和选择层；基底层为厚度为0.5~2 mm、孔径为0.5~3μm的氧化铝陶瓷片；过渡层的材质为氧化铝，其厚度为10~30μm，孔径为80~120 nm；选择层为单层或多层结构，选择层中各层的材质为氧化铝、氧化钛和氧化锆中的至少一种，每一层的厚度为0.5~5μm，孔径为2~10 nm。本发明的用于液流电池的不对称无机陶瓷膜携带大量的羟基基团，这些呈电负性的羟基基团通过道南效应可以排斥锌酸根离子，从而有效避免金属锌的不规则沉积，进而有效抵御锌枝晶对隔膜的刺穿。
南京工业大学
2021-01-12
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
基于小波分析和有限高斯混合模型EM方法的模拟电路故障诊断方法
近年来已经建立了基于故障字典，模糊理论，专家系统，神经网络，支持向量机，信息融合，小波分析，粒子群等各种技术的不同故障诊断方法，并在模拟电路的实际检验中取得了良好的效果。然而，电路从正常到故障之间存在中间过渡状态，怎样定义这个中间状态以及其对电路有怎样的影响，如何准确描述这种影响，通过查阅文献，到目前为止还没有一种合理的方法能够解决这个问题。
辽宁大学
2021-04-11
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10