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双向扭转型铅剪切阻尼器
本发明是一种利用相对转角位移耗能机制的双向扭转型铅剪切阻尼器，阻尼器主体由内外双层钢质镂空圆筒构成，在两个圆筒之间灌注铅作为阻尼层，圆筒上下两端通过螺栓与钢压板相连。在沿圆筒轴向荷载作用下，内外两个圆筒产生方向相反的相对扭转变形，在较小的变形下，使嵌入两侧镂空钢质圆筒内的铅产生显著的剪切变形，从而消耗能量。
扬州大学
2021-04-14
无砂无冒口绿色铸造技术
“无冒口铸造成套技术”根据流变铸造和液态模锻原理，对铸件生产工艺与装备进行改造，实现无冒口零缺陷铸造，旨在根除传统铸造冒口大造成巨大的材料消耗和能源浪费的行业共性问题，实现质量与效益双提高。 技术特点: 该成果已经申报了国家专利，技术成熟，处于针对铸件的具体规格范围进行推广应用的阶段，可以提供工艺、工装和设备的一体化成套技术。整体技术处于国际领先水平。 主要技术指标： 工艺出品率：由现在的60-70%左右提高到95～100％；收缩缺陷发生率：小于0.5％；综合质量：比同材质铸件稳定提高10％－20％以上。 应用范围： 其适用于铸钢件、球墨铸铁件和有色合金铸件。也适用于各种铸造轧辊，如整体铸造的铸钢和铸铁轧辊、复合浇注的铸钢和铸铁轧辊、离心铸造的各种铸钢和铸铁轧辊。 该技术适用于新建铸造厂，也适用于已有铸造厂进行工艺技术改造。
北京交通大学
2021-04-13
一种铜焊盘的表面喷锡处理方法
本发明提供一种铜焊盘的表面喷锡处理方法，所述喷锡处理时，使用锡铟合金，在220?240℃进行喷锡作业，按重量百分比计，所述锡铟合金中铟含量为1?5wt％；本发明还提供一种基于上述喷锡处理的铜焊盘表面处理方法，包括：焊盘清洗处理：采用水平喷淋Fel3彻底清洗焊盘表面氧化层及有机污染物，腐蚀深度为0.5～1.0微米，腐蚀后水洗热风快速吹干；焊盘预热及助焊剂涂敷，预热带长度为1.2米，采用红外加热的方式，预热温度为120～150℃，助焊剂采用有机弱酸作为活化剂的助焊剂；上文所述的喷锡处理；冷却与后清洗处理：采用气浮式传输方式对线路板缓慢冷却，采用上述技术方案，能够明显抑制界面金属间化合物的生长，提高焊点的使用可靠性。
东南大学
2021-04-11
一种利用锡须生长填充微孔的方法
本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
华中科技大学
2021-04-11
绿色热浸锌工艺及装备技术
热浸锌是防止钢铁被大气腐蚀的常用方法。本团队将表面纳米技术引入传统热浸锌行业，研发了锌镍合金镀层技术、高耐蚀锌铝 及锌铝镁镀层技术、绿色热镀锌生产线技术、连续热浸锌合金钢筋生产线技术、无铬钝化技术、助镀液除铁再生技术、储锌罐技术等。
华南理工大学
2023-05-08
珠光功能色母料
可以量产/n本项目采用高分子相分离技术，以热塑性高分子材料为载体，对珠光颜料进行表面修饰处理，制备功能珠光母粒，主要用于免喷涂家电共挤PVC异型材、免喷涂注塑ABS、HIPS等高档家电及包装产品。免喷涂技术是家电、包装产品表面装饰的一次技术革命，实现了环保、节能、降耗，工艺技术先进。生产成本2.8万元/吨，售价4.0万元/吨，具有很好的经济和社会效益。主要技术指标：拉伸强度≥ 50 Mpa，断裂伸长率≥40 Mpa，弯曲强度≥65 Mpa，弯曲模量≥2100 Mpa，简支梁缺口冲击强度≥ 6.0KJ
湖北工业大学
2021-01-12
数控前送料剪板机
1、横梁式机构,燕尾式夹钳,夹钳跨距可任意调整。
2、机床导轨间距大,侧翼配置自动升降辅助台,方便装卸板材。
3、采用气动长夹钳,工作效率高,加工死区小。
4、万向球与毛刷混合工作台面,摩擦力小、支撑效果好。
5、专用数控系统，操作灵活简单,无需人工编程，软件免费升级。 6、导轨、丝杠、气动元件及电器件采用进口品牌。 7、板材可在程序执行完毕后自动重复定位,定位准确。
青岛大东自动化科技有限公司
2021-09-13
一种不同形貌铝合金钎剂纳米粉的制备方法
（专利号：ZL 201310731891.3） 简介：本发明公开了一种不同形貌铝合金钎剂纳米粉的制备方法，属于焊接材料领域。该钎剂由一定比例的氯化铝(AlCl3)和氟化钾(KF)为原料，加入一定量的表面活性剂，通过硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、柠檬酸(C6H8O7)和醋酸(CH3COOH)中的一种酸调节pH，利用化学沉淀法分别制备K3AlF6和KAlF4两种纳米粉体，然后将K3AlF6和KAlF4两种纳米粉体按照6.445:1的质量比
安徽工业大学
2021-01-12
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。
华中科技大学
2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学
2021-04-11