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节能环保颗粒氧化铅移动床深度氧化快速冷却
该技术以油代电、在移动床中实现深度氧化和快速冷却,设备密闭,过程连续,是生产颗粒氧化铅的国际首创全新技术。东南大学在实验室研究、数学模型研究的基础上,与江苏天鹏化工集团有限公司合作,开发出颗粒氧化铅移动床深度氧化煅烧和快速冷却新技术,设计了两套年产各为1500吨的生产装置,经过调试,各项技术指标均达到设计要求。在此基础上,经过工业试验和审慎的放大设计,2000年两套年产各为15000吨的放大装置相继投入生产。
东南大学 2021-04-10
高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法
本发明公开了一种高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法,以还原性多糖为原料在氧化剂的作用下制取水凝胶,采用如下的工艺条件:以高碘酸钠作为氧化剂,以至少一种以下物质:盐酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、柠檬酸、具有Lewis酸性质的绿色溶剂离子液为催化剂;调节体系的pH在酸性范围在室温下避光反应4小时,经后处理得到不同氧化度的天然高分子多糖高强度水凝胶。本发明方法获得的产品具有氧化度高,与其它反应物之间的交联更加容易,形成的化学键更加牢固的优点,能形成高强度水凝胶,并且凝胶的降解速率可以得到控制,适合用于制备骨组织功能材料。
西南交通大学 2016-07-05
低温空气分离的超导磁分离器、分离装置及方法
本发明公开了一种低温空气分离的超导磁分离器、分离装置和方法,其中超导磁分离器包括外壳,以及设于外壳内的分离芯体,分离芯体包括:外磁体;至少一部分为多孔超导薄膜的分离元件,该分离元件设置在外磁体磁场内部;多孔超导薄膜一侧与自空气原料进口进入的空气原料接触,用于收集氧气,并通过氧气出口排出;超导体另一侧用于收集穿过孔结构的氮气,然后经氮气出口排出。相比于传统的磁力空气分离,本发明磁场强度、梯度更高,低温的原料空气中氧分子的磁化率成倍增大,并且可以提供磁体和薄膜维持超导状态所需的冷量,因此分离效率、产品纯度更高,在化工、冶炼、医疗等需要提供高纯度氧气的领域有着广阔的应用空间。
浙江大学 2021-04-13
一种有机聚合物/二氧化硅复合吸声隔热材料的制备方法
该专利产品是一种以多孔二氧化硅为基体,聚合物为增韧剂的多孔吸声隔热材料。由于该材料中含有大量的孔洞,因此具有很好的吸声功能,对消除噪音具有很好的效果;同时由于孔洞内部为空气,该材料的隔热性能远远低于其他固体材料,并可根据需要,可以通过对孔隙率的调节来调节导热系数。 该材料成分及制备工艺与在合成的过程中伴随着有机单体聚合,从而可达到无机物与聚合物在分子水平的结合,使该材料比其他无机材料具更大的韧性,同时聚合物具有一定的粘性,可以与钢筋混凝土墙体很好的粘合,且其防火性能远远高于有机材料。 将该材料作为隔热填料与涂料树脂相配合,配为隔热涂料,将涂层涂覆于墙体表面,形成吸声隔热涂层。材料为白色粉末,与墙体颜色基本一致。 将制备的材料在压机上与玻璃纤维复合压制,可以形成隔热板,由于板内部有大量的孔洞,密度较低(约为450-600Kg/m3),因此将其粘合到墙体不易脱落,即使脱落也不至于发生比较大的伤害。该材料的隔热性能优越,30mm厚的隔热板的隔热性能与350mm的水泥墙相当,与400mm厚的粘土砖墙相当。
西安科技大学 2021-04-11
可调谐外腔式半导体激光器
西安交通大学 2021-04-10
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体(Bi2Se3,Bi2Te3)等二维量子材料的系统研究,提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素,以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应,进而调控其能带结构,消除金属性拓扑表面态,获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索,发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se,并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量,证明Bi2O2Se材料具有合适带隙(~0.8 eV)、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(>106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOX:Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te)。
北京大学 2021-04-11
InP 基 2 微米波段半导体激光器
可以量产/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具 有高质量,低成本的衬底材料,InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工 艺,且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及 器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控,其面内波 长不均匀性低至±3nm,相应的激光器件性能指达到国际先进水平。 目前市场对2微米激光器的应用需求主要
中国科学院大学 2021-01-12
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体,又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法(CVT 法)。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 (3.4W/cmK),与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学 2021-01-12
高端半导体光掩膜版量产关键技术
光掩膜版(又称光罩,掩膜版,英文 Photo-mask )是芯片制作中实现设计图形转移的载体,是决定其微细结构和线宽精度的核心材料和工具。 目前中国半导体掩膜版的国产化率10%左右,90%需要进口,高端掩膜版国产化率3%,miniLED和microLED产业升级也需要更多高端掩膜版。随着中国市场需求的持续提升,掩膜版产能严重不足。并且中国半导体掩膜版的产业起步较晚,技术滞后,核心技术和装备基本让国外公司垄断,特别是在设备、材料领域众多技术处于“卡脖子”状态,例如掩膜版制造的核心装备光刻机、检测机、测量机、修复机和贴膜机等都依赖进口,严重制约中国半导体产业的发展。华中科技大学徐智谋教授团队致力于全套高端半导体光掩膜版的关键核心技术研发与量产,为“卡脖子”技术研究而努力。 具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术;具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下: 1) 工艺突破 团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术,如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化,以及大数据量软件快速处理、补偿等。 2) 装备国产化 A. 超高精度二维测量装备 尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心,主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术,达到国内先进水平,具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标,直接影响到客户的套合精度,该测量设备一直由国外极少数厂商垄断,且价格昂贵,一般在1000万美元以上,高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术,已取得阶段性成果。 B. 缺陷修复装备 掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段,该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术,具备整机制造能力,可降低设备采购成本70%以上。 C. Pellicle自动贴膜装备 随着产品精度的提升和应用领域的高端化,掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle,在IC封装领域90%以上需贴膜,在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断,国内厂家没有提供,国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力,贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营,制造成本可节约90%以上。 3) 厂房建设关键技术 团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验,掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工,可达到VC-D级技术标准,满足纳米级生产技术要求。 【技术优势】 (1)掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术,包括部分装备的国产化,解决“卡脖子”技术难题,量产线建设成本节约30%以上; (2)具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台,验证周期可缩短3倍; (3)拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍,成熟的企业管理经验,保证企业稳步成长,确保投资风险可控。 【合作方式】 股权投资合作共建或政府孵化+中试线。
华中科技大学 2023-03-29
自蔓延高温合成新技术及应用
自蔓延高温合成(SHS)也称为燃烧合成,是利用化学反应自身放热来制备材料的新技术,具有能耗低、工艺及设备简单,产品纯度高等特点。SHS广泛应用于制备陶瓷、金属间化合物、金属陶瓷、梯度材料和复合材料等材料。并且SHS技术与传统技术结合形成SHS制粉、SHS烧结、SHS加压致密化、SHS冶金、SHS焊接和SHS涂层等新方向。其应用范围涉及工业及军用等诸多领域。本项目主要涉及以下四个方面:1.SHS制备陶瓷复合钢管方面:利用高放热的铝热反应体系,在离心力或重力作用下使熔融反应产物中比重不同的相分离,使比重小的陶瓷相凝固在钢管表面形成陶瓷衬层。SHS陶瓷复合钢管具有耐磨、耐蚀、抗热冲击和抗机械冲击等综合性能,可广泛应用于化工、电力、石油、炼铝和冶金等行业,输送电厂煤粉、灰渣、腐蚀介质、铝液、矿山矿粉、尾矿和回填料,以及高酸性、高碱性、高硬度或高温物质的输送。2. SHS制粉方面:采用SHS技术制备硅化物和硼化物粉末,通过控制原料状态、以及合成后的冷却过程,获得均一物相高纯度的所需硅化物和硼化物粉。应用于耐高温的防氧化涂层,例如姿控发动机防护涂层,可明显提高发动机的性能。3.SHS制备钛镍多孔合金:多孔钛镍合金强度高、密度低、耐腐蚀性强,弹性模量与人骨弹性模量接近,生物相容性好,生物界面结合牢固,能被组织固定,是理想的生物医学植入材料,在临床各科和医疗器械等方面具有广泛的应用前景。采用注射成形或注凝成形可以成形复杂的骨骼形状,脱脂预烧后,再预热点火燃烧合成多孔钛镍多孔合金,其孔隙度高、孔隙大小及分布均匀、连通性好。4.SHS处理放射性核废料方面:放射性废料制约核能的和平开发利用。采用SHS直接固化放射性废物的固化效率高、工艺及设备简单,且可有效避免核废物二次污染,易实现规模生产,具有明显优势。该成果已通过部级鉴定,整体技术达国际先进水平,并荣获教育部科技进步二等奖。
北京科技大学 2021-04-11
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