产品详细介绍■ 光谱测量范围：200-1100nm■ 测量重复性：≤3%（主要波长位置）■ 光源：高稳定、高输出能量氙灯光源■ 标准探测器经国家一级计量单位定标■ 标准探测器、待测探测器自动切换■ 光谱响应度曲线自动生成■ 样品室内包含标准样品架、固体样品架和液体电解池样品架■ 被测太阳光伏器件可为无机晶体、有机样品，可固体，也可固体，可加偏执电压等

产品详细介绍太阳能电池QE/IPCE(量子效率)测量系统Solar Cell Scan100        太阳能电池（光伏材料）光谱响应测试、量子效率QE（Quantum Efficiency）测试、光电转换效率IPCE (Monochromatic Incident Photon-to-Electron Conversion Efficiency) 测试等。广义来说，就是测量光伏材料在不同波长光照条件下的光生电流、光导等。    

产品详细介绍Enlogic的EN1000 系列产品---IRMC级别测量系列涵盖了电能测量，功率和环境监测的功能。计费级精度的瓦-时电能测量为用户计费，PUE及效率计量，工程项目规划以及容量管理提供了精准的电能测量数据。持续的为IRMC每相的输入电源和断路器提供实时监测，该实时监测数据能在每个潜在电源问题发生之前提供预警，并保证用户更好的实现输入相和分路之间负荷的平衡，提高设备的可靠性与电源效率。 Enlogic的超薄机身及断路器的设计吻合了用户节约机柜空间的需求。每个Enlogic IRMC上可连接多达6个外置传感器，实现了完整远程监测和报警的解决方案。企业级的网络管理允许您轻松的通过HTTP, HTTPS, SNMP, 或Telnet实现管理功能；而与LDAP/S和AD（活动目录服务）的巧妙整合，允许您轻松的集成到现有的目录服务中。其他显著特点包括带色标识别的输出端口及断路器，标准的锁紧IEC插头，高可视角的OLED 显示屏，以及可现场热插拔的网络管理卡等提高了产品的可靠性并能减少人为错误造成的损失。输入允许输入电压：: 220-240 VAC +6%, -10%Phase Type: 1-phase每相输入电流：: 32A最大输入功率(kVA)：: 7.68输入频率(Hz)：: 50输入插头类型：: IEC309 332P6输入电源线长度：: 3.0m输出输出电压：: 220-240 VAC总输出端口数：: 42IEC C13 输出端口数：: 36Total # of IEC C19 Outlets: 4BS1363输出端口总数：: 2内置断路器的数量：: 2断路器类型: 1-pole hydraulic-magnetic每个断路器的最大输出电流(A)：: 16每个输出端口的最大电流：: (C13)10A, (C19)16A, (BS1363)13A物理尺寸长,mm：: 1826 mm深,mm：: 44 mm宽,mm：: 55 mmMax Depth at Circuit Breaker: 56mm外壳颜色:: Black环境要求：可运行温度：: -5 to 60°C可运行相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing最高可运行海拔高度：: 0-3,000 m存储温度：: -25 to 65°C存储相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing存储最高海拔高度：: 0-15,000 mCompliance ApprovalsEMC: 是安全认证：:环境认证::

产品详细介绍Shining3D-Metric摄影测量系统-三维摄影测量    先临三维自主研发的Shining3D-Metric 摄影测量系统，性能指标达到国际同类产品水平，是大范围三维测量的必备工具，可对中型或大型工件（几米甚至几十米）的快速三维测量和检测；特性 1、快速三维测量与检测-  Shining3D-Metric 摄影测量系统能快速计算出工件表面标志点的精确三维空间坐标，形成一个全局坐标系统，既可与CAD模型进行误差比对，实现大型工件快速三维检测；2、测量结果精确-  控制全局精度，搭配各种三维扫描仪使用，可进一步降低拼接的累计误差；产品规格（Shining3D-Metric摄影测量系统）产品型号 Shining3D-Metric-N     三维测量精度 ≤0.10mm/3m                       测量范围 0.1×0.1×0.1~10×10×10m3          工作环境 -20°~100°C 参考标准 VDI 2634/1 相机标定方式 自标定 匹配方式 编码点全自动匹配 数据传输方式 闪存卡或无线传输 相机规格 单反相机，28mm镜头，≥1200万像素 拼接方式 标志点全自动拼接，手动选点拼接 产品型号   Shining3D-Metric-H 三维测量精度  ≤0.10mm/4m 测量范围   0.1×0.1×0.1~50×50×50m3 工作环境 -20°~100°C 参考标准 VDI 2634/1 相机标定方式 自标定 匹配方式 编码点全自动匹配 数据传输方式 闪存卡或无线传输 相机规格 单反相机，28mm镜头，≥1200万像素 拼接方式 标志点全自动拼接，手动选点拼接 更多三维摄影测量系统，可见：http://www.shining3dscanner.cn/zh-cn/product_3dmetric.html

XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型   功能特点： ■ XM-YEF新生儿生长发育指标测量仿真模型共有3种不同生长指标的新生儿仿真模型，此3种模型人为1套，供学生训练与考核用。 ■ 3种新生儿模型均为男性，其身高分别为52cm、50cm、47cm，头围分别为42cm、34cm、31cm，体重分别为3kg、2kg、1.7kg。 ■ 身长测量：新生儿仿真模型的关节可活动，在自然状态下腿部呈M型，在测量新生儿身长时，操作者可拉直新生儿的关节，并且可推直新生儿的脚，使之与腿部呈90度角。  ■ 可进行新生儿抱持、包裹、擦浴、穿衣、换尿布、喂奶、清洁眼、耳、鼻等基础护理操作，可测量体重、胸围、腹围、头围等。 ■ 可进行皮肤护理。

一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术，它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快，已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域，是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。光缆是当今信息社会各种信息网的主要传输工具，它将取代传统的线路时代，目前在人们的生活和工作中应用广泛。为此公司研制出本实验系统，让学生了解和认识光纤光缆，是学校金工实习（工程实习）与工程检测的不二之选。 二、教学目的  1、熟悉光纤光缆型号及结构，掌握其装配方法、使用环境及保护措施等； 2、了解光缆的开缆工具及开缆过程； 3、熟悉掌握光纤接续基本过程； 4、了解并掌握OTDR的操作方法及注意事项； 5、掌握在手动和自定义模式下，熔接参数对溶解性的影响； 6、了解掌握OTDR及可见光对故障点的定位方法； 7、观测光纤尾端在不同连接头情况下的OTDR曲线； 8、熟悉光缆接续盒的结构，掌握光缆接续的注意事项； 三、实验内容 1、不同种类光纤光缆及光器件的认知和操作实验； 2、剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验； 3、熔接机原理及使用实训操作实验； 4、基于剪断法的熔接损耗测量实验； 5、利用OTDR测量光纤长度实验； 6、利用OTDR测量光纤损耗实验； 7、手动模式下，光纤熔接实训实验； 8、自定义模式下，光纤熔接实训实验；

本发明公开了一种金属软磁复合材料的流延温等静压复合成型制备方法。1）将钝化剂和溶剂混合起来得到钝化液，将钝化液和磁性金属粉末混合，搅拌，烘干，得到钝化粉；2）将钝化粉和有机溶剂，分散剂，粘结剂，增塑剂按照一定的比例混合，搅拌均匀，并经过筛网过滤，除泡，制备得均匀弥散的浆料；3）流延成型；4）素坯温等静压压制。利用流延温等静压复合成型方法制备的金属软磁复合薄膜将固化和等静压工序简化为一道工序，电阻率高，机械强度好，密度和饱和磁通密度有很大提高。结合较成熟的流延工艺和温等静压工艺，使金属软磁复合材料的生产工艺简单化，成本降低，性能优异，在薄膜电感等电子器件的制备中有广阔的应用前景。

本发明公开了一种金属软磁复合材料的高热稳定性绝缘包覆处理方法。它包括如下步骤：1）将金属磁粉过筛进行粒度配比；2）利用溶胶凝胶法对配好的金属磁粉进行绝缘包覆后干燥；3）将干燥后的磁粉与粘结剂混合均匀，加入脱模剂干压成型，将其压制成磁环；4）将磁环于保护气氛中保温0.5~2h，空冷，喷涂，得到目标产物。本发明采用溶胶凝胶法制备的复合粉末包覆均匀、致密，包覆层厚度可控，具有高的热稳定性、高的电阻率以及高的饱和磁化强度，具有优良的磁性能和力学性能；采用溶胶凝胶法在金属磁粉表面均匀包覆一层Al2O3绝缘层，包覆效果优于现有方法，且可操作性强，便于批量生产；大幅降低软磁复合材料的磁芯损耗。

随着忆阻器在非易失性存储器、模拟人类大脑的深度学习等重要领域的研究逐步深入，忆阻器的研究得到越来越多的重视。在固态电子器件和电路中应用二维材料，将有助于扩展摩尔定律，并能获得优于CMOS的先进产品。基于二维材料的忆阻器能够应用于信息存储和神经态计算，具有高热稳定性，阈值型和双极型阻变共存，增强、抑制和弛豫的高度可控性，以及出色的机械稳定性和透明度等优点。 近日，功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授在Nature子刊《Nature Electronics》上发表了题为“Wafer-scale integration of two-dimensional materials in high-density memristive crossbar arrays for artificial neural networks”的封面文章。作者提出二维材料六方氮化硼（h-BN）可以作为高密度忆阻阵列的阻变材料，构建可用于图像识别的人工神经网络的器件。其获得h-BN基忆阻阵列器件成品率高达98%，且表现出超低的周期间差异性（低至1.53％）和出色的器件间差异性（低至5.74％）。图像分类器的仿真结果表明，所测得的器件I-V曲线的均一性足以匹配理想软件实现所需的精度。

本发明涉及电解铝行业，具体涉及一种铝电解槽阴极软母带与铝母线的原位不停电焊接方法。本发 明包括以下步骤:1.原位打磨;2.原位固定;3.原位熔化;4.焊前处理;5.预热;6.放热焊接;7.焊后处理。 本发明用放热焊接直接完成了软母带与铝母线之间的原位连接，规避了软母带片状结构无法在磁场内直 接焊接的缺陷，提高了铝电解企业经济效益，解决了铝电解企业对软母线进行修复的技术难题。该作业 可在系列电解槽不