|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种增强的基于轨迹重构的隐私保护方法
本发明公开了一种增强的基于轨迹重构的隐私保护方法。
电子科技大学
2021-04-10
一种改进的预制混凝土内墙板的限位结构
本实用新型提供了一种改进的预制混凝土内墙板的限位结构，通过设置角钢、预埋件和预留钢筋；预埋件包括钢板和连接钢筋，两个钢板面平行间距设置，且两个钢板之间通过多个连接钢筋固定连接；预埋件埋设在预制混凝土内墙板内；角钢的一侧边与钢梁固定连接，另一侧通过螺栓与预制混凝土内墙板顶部的预埋件固定连接；预留钢筋的一端设在楼层板状混凝土内，另一端穿过楼层板状混凝土并向外延伸到预制混凝土内墙板下端的预留锥形孔内。本实用新型的连接新形式的应用能够使得预制混凝土内墙与主体结构之间形成柔性连接，满足墙体与主体结构之间的相对
安徽建筑大学
2021-01-12
一种用于蒸发发电的发电组件的制备方法
本发明公开了一种用于蒸发发电的发电组件的制备方法，该用于蒸发发电的组件包括载片、第一电极、第二电极和碳材料层，其制备方法具体为：首先，采用导电材料在电绝缘的载片表面制成两个互相平行的电极；然后采用印刷的方式将含有碳材料的浆料搭接在第一电极与第二电极之间；最后对印刷好的浆料层进行退火处理，在两个电极之间形成碳材料层。本发明提供的这种制备方法，采用浆料印刷退火的方法制备碳材料层，并且改进了浆料的材料及制备方法；以此
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米颗粒增强的热障涂层的制备方法
本发明公开了一种纳米颗粒增强的热障涂层的制备方法，用于 在基体表面制备热障涂层，属于热障涂层制备领域，其包括 S1 将纳米 颗粒团聚成 60μm～120μm 的团聚粉末；S2 对团聚粉末进行热处理 以获得烧结粉末，所述烧结粉末粒径为 50μm～100μm；S3 将经步骤 S2 获得的所述烧结粉末送入基体被热源熔化后获得的熔池内，使烧结 粉末与熔池一起冷却凝固，以在基体表面制备获得纳米颗粒增强的热 障涂层。本发明方法过
华中科技大学
2021-04-14
一种基于用户距离的基站天线的调度方法
本发明公开了一种基于用户距离的基站天线调度方法，具体为：首先进行系统初始化，其中包括确定为保证通信的最低信干噪比和基站天线总数，首先基站向服务的本小区用户发送导频信号，用户接收导频信号并计算其与基站之间的距离，然后用户将其距离值发送给本小区基站，基站根据保证基站与用户通信的最低信干噪比以及用户到基站的距离来确定调度天线的个数。本发明适用于发送端配备多天线，接收端配备单天线的大规模多输入多输出蜂窝网络场景，根据小区中不同用户的信干噪比质量不同，基站调度天线数不同，节省了维持多余天线工作的静态能量。同时，每次调用后剩余的天线还可以为其他用户服务，从而提高了下行链路的平均能量效率。
华中科技大学
2021-04-11
中国科大实现首个具有黎曼曲面的弯曲碳纳米螺线管材料
中国科学技术大学杜平武教授课题组实现了首个具有黎曼曲面的弯曲碳纳米螺线管材料，该工作填补了分子基弯曲碳螺旋材料领域的空白。
中国科学技术大学
2022-03-11
人才需求：从事化学或医药制造行业，具有较高技术水平
1.从事化学或医药制造行业，具有较高技术水平；
2.教授、博导，获得省部级科技奖，多论文著作等
山东科源制药股份有限公司
2021-09-13
推介案例 | 哈尔滨工程大学-大疆创新智能机器人实践创新基地
为落实教育部推进产教融合、校企合作相关工作部署，促进高校教学改革，推动产教融合型企业建设，中国高等教育学会于2020年8月启动了2020年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例推选工作，经资格审核、通讯推选、路演答辩、走访考察以及网上公示等环节，共有103项案例认定为2020年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例，近期，“中国高等教育博览会”微信号将陆续推出“双百计划”典型案例推介专栏，欢迎关注。
哈尔滨工程大学
2021-09-26
寒武纪大爆发时期动物门类多样性及其演化关系研究
以埃迪卡拉纪晚期至寒武纪早期的生物群和地层为研究对象，开展动物门类多样性及其演化关系研究。揭示海洋生态系统内动物门类多样性在空间上的变化和时间上的演化过程。同时，发现更多门类的最早化石记录，提高三大亚界内部门类之间谱系演化关系的解析度。
西北大学
2021-02-01
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10