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材料学院刘向峰团队在动力与储能型二次电池关键材料方面取得新进展
研究发现氧空位引入能够有效调控富锂锰基层状氧化物中的库伦斥力，实现TMO6八面体的可逆畸变，同时能够有效抑制过渡金属离子的迁移和溶解，使得电化学性能获得显著改善。
中国科学院大学
2022-06-01
食源性致病菌--阪崎克罗诺杆菌(阪崎肠杆菌）的分子检测方法的建立与 应用
研究分别建立了食品中克罗诺杆菌常规 PCR 和 Real-time PCR 的快速检测方法，方法具有很好的特异性和灵敏性，可以应用于食品中克罗诺杆菌的检测。其中常规 PCR 检测方法选取了两个特异性的基因，使得检测方法具有更高的特异性。Real-time PCR 检测体系中加入了竞争性扩增内标，大大降低了假阴性发生的可能性。相关结果发表在国际刊物 Food Control 上，引用次数达到 30余次。
上海理工大学
2021-01-12
中国高等教育学会关于召开通识教育与拔尖创新人才培养论坛的通知
为更好地迎接通识教育面临的新任务、新挑战，对现有的通识教育课程体系、质量保障及育人模式进行优化展开研讨，推动更多高校积极投入通识教育建设中，为国家培养更多面向未来的拔尖创新人才,经研究，中国高等教育学会决定举办通识教育与拔尖创新人才培养论坛。
中国高等教育学会
2023-09-22
中国高等教育学会关于召开第四届中国城市与高校发展大会的通知
为深入学习贯彻党的二十大精神，积极探索城市与高校协同创新高质量发展的新思路、新理念、新机制，不断促进人才链、教育链、产业链、创新链有机衔接，切实推动城市与高校在落实教育、科技、人才三位一体战略部署中实现同频共振、深度融合、共建共赢，经研究，中国高等教育学会决定举办第四届中国城市与高校发展大会。
中国高等教育学会
2023-09-22
[5月24日·长春]教育高水平对外开放与经济学拔尖人才培养论坛启动报名
为深入贯彻习近平总书记关于教育的重要论述和全国教育大会精神，贯彻落实《教育强国建设规划纲要（2024—2035年）》和三年行动计划，研讨高等教育强国建设新路径新范式，宣传高等教育强国研究成果，中国高等教育培训中心决定举办“教育高水平对外开放与经济学拔尖人才培养论坛”（以下简称“论坛”）。
中国高等教育学会
2025-04-24
四川省科学技术厅关于面向社会公开征求《四川省省级科研院所改善科研条件专项管理实施细则（征求意见稿）》《四川省省级科研院所基本科研业务费管理实施细则（征求意见稿）》意见的公告
为认真贯彻落实《财政部关于印发〈中央级科学事业单位改善科研条件专项资金管理办法〉的通知》（财教〔2021〕100号）、《财政部关于〈中央级公益性科研院所基本科研业务费专项资金管理办法〉有关问题的补充通知》（财教〔2021〕203号）有关要求，更好地服务我省省级科研院所高质量发展。
四川省科学技术厅
2022-04-19
技术需求：机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。
机械方面：机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。电气方面;电气工程及其自动化、机电一体化系统、电气控制与PLC，电机与电器、电力工程等学科。
山东赛瓦特动力设备有限公司
2021-08-19
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
低介低损耗LTCC微波介电材料及流延技术
成果描述：我们研发的低介低损耗LTCC微波介质材料主要参数满足： 烧结温度：900度 介电常数：5.8~6.5可调 Qf：≥50000市场前景分析：该材料可广泛应用于各种LTCC天线、滤波器等微波集成器件领域和LTCC集成模块的封装领域，市场前景非常好。与同类成果相比的优势分析：目前国内还没有该类型的产品问世，相应研究所和企业主要是购买国外的Ferro公司的A6材料。由于A6材料价格昂贵，且主成分为玻璃体系，限制了其推广和应用。本成果材料主要为陶瓷体系，与LTCC工艺的兼容性很好，且成本低廉，优势明显。
电子科技大学
2021-04-10