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云上高博会热搜榜(7.28-8.3)TOP10企业、高校榜单来啦​
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云上高博会 2025-08-04
云上高博会热搜榜(8.4-8.10)TOP10企业、高校榜单来啦​
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云上高博会 2025-08-11
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云上高博会 2025-08-18
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云上高博会 2025-08-25
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云上高博会 2025-09-01
用于同时检测CU2+ Pb2+ Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法
本发明涉及用于同时检测Cu2+,Pb2+,Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器.它对溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本发明可在江河湖泊,生物医学领域(如血液,体液),工业废水,中药,蔬菜,水果,茶叶等领域中对Cu2+,Pb2+,Cd2+同时进行定性和定量检测.
东北电力大学 2021-04-30
一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器及其制备方法
本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的碳基光子晶体背反射器,由两种结构不同的光子晶体叠加构成,其结构为[A/B]mAE[C/D]nC,其中A;B;C;D;E的厚度分别为d1=50nm,d2=100nm,d3=70nm,d4=140nm,d5=120nm,m;n为两种光子晶体的周期数,m取3,n取4。其制备方法是:RF-PECVD法在普通载玻片上交替沉积a-Si:H和a-C薄膜。本发明的碳基光子晶体背反射器,具有一维光子晶体全角反射,可实现600—1300nm光波段平均75%的反射率,增加光波在太阳能电池吸收层中的传播光程,提高光子利用效率,增加光电流密度和光电转换效率。制备工艺简单。
河北师范大学 2021-05-03
中国科学技术大学在过渡金属氧化物薄膜室温反常霍尔效应研究中取得重要进展
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心的王凌飞、吴文彬教授课题组与西北大学物理学院的司良教授合作,在钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜的磁输运性质研究中取得重要进展。
中国科学技术大学 2022-10-17
热议二十大 | 管培俊:科教兴国新征程与高等教育的使命
举世瞩目的中国共产党第二十次全国代表大会胜利闭幕。习近平在大会上作的题为《高举中国特色社会主义伟大旗帜 为全面建设社会主义现代化国家而团结奋斗》的报告,引发热烈反响。中国高等教育学会副会长管培俊撰文谈学习体会。
中国高等教育学会 2022-10-31
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统
III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库,使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上,应用该计算机辅助分析系统,可采用统一的成分空间表达方式,将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能(能量间隙或波长)、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围,投影于一平面,构成III-V族半导体体系综合优化图,用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时,该系统还发展了非平衡过程分析研究方法:亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等,这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统,目前主要是作为应用研究,服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计,以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计,在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库;瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。
北京科技大学 2021-04-11
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