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三节腰椎模型XM-135A
XM-135A三节腰椎模型
XM-135A三节腰椎模型显示正常腰椎、椎间盘和神经根。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
三个月胎儿模型
XM-807三个月胎儿模型
XM-807三个月胎儿模型显示三个月胎儿妊娠发育过程与子宫关系。
尺寸：自然大，9×10.5×8cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-135A三节腰椎模型
XM-135A三节腰椎模型
XM-135A三节腰椎模型显示正常腰椎、椎间盘和神经根。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
实验室三脚升降凳
供应实验室升降凳/三脚凳/学生凳/塑钢凳，欢迎广大客户来电咨询。
凳面材质：塑料(灰白、蓝色)
凳面尺寸：30*30
凳杆材质：塑钢
凳杆直径：50
外部喷涂：环氧树脂
凳脚材质：塑料
升降高度：45-50
备注：以上是实验室三脚升降凳的详细信息，如果您对实验室三脚升降凳的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取实验室三脚升降凳的最新信息。
咨询电话：0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
茚三酮DFO指纹熏显柜
产品详细介绍 HXYD-I型全自动茚三酮DFO指纹熏显柜熏显空间：530×385×298mm，60升价格：6500.00 产品用途：显现茚三酮处理的潜在汗液指纹。显现DFO处理的潜在汗液指纹。显现茚二酮处理的潜在汗液指纹。产品介绍：熏显柜壳体具有保温功能，内部安装加热器，加湿器，循环风扇，温度传感器，湿度传感器。微电脑控制这些器件运行，使熏显舱室内分别产生适合于茚三酮、DFO显现指纹的条件。使用者可以修改参数。技术参数：茚三酮参数：温度80℃，相对湿度80%，30分钟D F O 参数：温度100℃，20分钟外 形 尺 寸：685×430×380mm熏显舱尺寸：530×385×298mm，60升加 湿 方 式：电加热水蒸发加 热 方 式：石英加热管供 电 电 源：AC220V，50Hz 总 功 率：1200W茚三酮功能操作方法：将检材在茚三酮溶液中浸泡，或将溶液喷洒在检材上。等待溶液挥干后，把检材放置在熏显柜的样品架上，关闭柜门。打开电源开关，按键选择茚三酮工作方式，然后设定显现时间，按启动开关，显现过程开始。柜内温度将达到并保持80℃，相对湿度将达到并保持80%。显现时间到，熏显柜自动停机，蜂鸣声提示。使用者可透过透明的玻璃门观察显现效果，并可随时按动“停止”键终止显现程序。DFO功能操作方法：将检材在DFO溶液中浸泡，或将溶液喷洒在检材上。等待溶液挥干后，把检材放置在熏显柜的样品架上，关闭柜门。打开电源开关，按键选择DFO工作方式，然后设定显现时间，按启动开关，显现过程开始。柜内温度将达到并保持100℃。显现时间到，熏显柜自动停机，蜂鸣声提示。使用者可透过透明的玻璃门观察显现效果，并可随时按动“停止”键终止显现程序。
北京华兴瑞安科技有限公司
2021-08-23
新华三路由器
超宽
硬件集群，超大容量，超高扩展。
融合
IT&CT资源融合，为业务上云提供更低时延、更高可靠保障。
极简
SDN+SRv6，简化协议应用数量、降低业务开通时间。
可信
端到端准入和国密方案，让网络接入更安全，数据传输更放心。
新华三技术有限公司
2022-09-19
特种冷凝式燃气锅炉及冷凝式换热器设计技术
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学
2021-04-10
LED智能书写板 外置式/内嵌式（专利产品）
产品规格：≥1200mm*4000mm
产品特点：
1.独家设计
2.设有智能感应器控制盒，操作便捷。将黑板与电子光源的控制统一化，黑板“闭”→光源“亮”，黑板“开”→光源“灭”。
3.解决了录播行业的板书光源难题，拥有板面补光系统，避免了光源落差造成的摄像光源问题。
4.保护学生视力，缓解视觉疲劳，根据学生视觉感受可调节光源强度，从而起到预防近视的作用。
5.设计有LED照明系统，以及LED黑板照明控制器，照明度可达到800Lux，灯光亮度可调节。分：外置式 和内嵌式
面板材质：绿板/米黄板/白板/钨金板/搪瓷板
西安东康实业有限公司
2022-09-15
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10