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一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件
本发明公开了一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件。该 器件包括基板和位于基板上的能产生电磁感应透明现象的金属单元阵 列；所述金属单元阵列包括多个阵列分布的金属单元，所述金属单元 包括第一金属微结构和第二金属微结构，所述第一金属微结构包括第 一金属图形，所述第二金属微结构包括第二金属图形，所述第一金属 微结构和/或所述第二金属微结构还包括半导体元件。本发明能有效解 决现有技术中不能简单快速地对电磁感应透明超材料的工作
华中科技大学
2021-04-14
基于同质器件架构的感算存一体化神经形态硬件
该成果创新性地基于二维半导体的硅基同质器件，首次提出了类脑功能的“传感-计算-存储一体化”神经形态芯片架构，实现了光电传感、放大运算、信息存储功能的一体化集成，为突破冯·诺依曼瓶颈和实现类脑智能提供了一种全新思路。
缪向水教授团队，长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器芯片技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。
同质晶体管-存储器架构的原理及器件结构
缪向水团队长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器芯片技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。
华中科技大学
2022-08-12
一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法
本发明公开一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法。该水平极化翻转的铁电忆阻器件包括柔性衬底；二维铁电功能层，形成在所述柔性衬底上；第一平面电极和第二平面电极，形成在所述二维铁电功能层两侧；将所述第二平面电极接地，当未在所述第一平面电极施加电压时，二维铁电功能层中极化方向无序，器件处于常态；当在所述第一平面电极施加正电压时，所述二维铁电功能层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第一平面电极端朝向第二平面电极端，器件转变为低阻态；当在所述第一平面电极施加负电压时，铁电层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第二平面电极端朝向第一平面电极端，器件转变为高阻态。
复旦大学
2021-01-12
基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度，从而促进器件尺寸微缩；该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒，实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性；器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现，且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下，实现亚10nm沟道长度，突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈，为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
复旦大学
2021-01-12
一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法
本发明公开了一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法，包括：量子效率测试箱、电源箱、激光功率计、吉时利源表、控制驱动电路单片机、计算机等。本测试系统可同时测量待测器件的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)、内量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)及表面反射率(Reflectance，R)，不需要在测试前使用标准器件进行校准，可测试的光谱波段范围较宽，为300nm～2250nm，满足各类不同禁带光伏电池或光电转换器件的量子效率测量需求。
兰州大学
2021-01-12
一种硅光子晶体波导器件的飞秒激光制备系统及方法
本发明公开了一种硅光子晶体波导器件的飞秒激光制备系统及方法，系统包括飞秒激光器、多级半波片、偏振分光棱镜、第一反射镜、空间光调制器、第一透镜、第二反射镜、第三反射镜、第二透镜、电动翻转镜、第四反射镜、高倍物镜、三维加工平台、第三透镜、CCD相机、计算机；由飞秒激光器输出的激光通过多级半波片和偏振分光棱镜，经过反射镜射入空间光调制器；用计算机将加工方案生成全息图，加载到空间光调制器；光束经调制后通过第一透镜、第二反射镜、第三反射镜、第二透镜、第四反射镜，再经过高倍物镜聚焦到硅基片上，通过输入到计算机内的程序控制三维加工平台移动，完成加工任务。本发明加工步骤简易，加工精度高，加工速度快，加工成本低。
湖北工业大学
2021-01-12
一种钛酸铅纳米片与铂纳米粒子复合材料的制备方法
本发明涉及一种钛酸铅纳米片与铂纳米粒子复合材料的制备方法，采用的是光还原沉积法，步骤包括：在钙钛矿型钛酸铅单晶纳米片与去离子水混合的悬浊液中加入六水合氯铂酸溶液、甲醇，然后在真空状态和0℃，在波长λ＞400nm的氙灯下进行光照反应，所得产物经洗涤，真空干燥，即可。本发明工艺简单，由于钛酸铅纳米片在表面具有极化场，有利于光还原沉积的铂纳米粒子在复合材料中稳定存在，且铂纳米粒子的沉积效率高。本发明不仅为高效制备贵金属纳米粒子与半导体纳米材料的复合材料提供了指导，而且制备的钛酸铅纳米片与铂纳米粒子复合材料有望用作光解水材料。
浙江大学
2021-04-13
纳米碳材料高效生产技术应用
成果描述：纳米碳材料在人类的生产生活中正显示出越来越多的重要作用，具有广阔的市场空间。碳纳米材料生产由于成本高及部分技术上的瓶颈制约了大规模生产，市场拓展减缓。我们团队经过十余年的研究和开发，采取研发创新的高新技术，可廉价高效地生产高附加值碳纳米材料（纳米碳管，纳米碳纤维）。目前技术路线可行，实验室小试阶段已完成；团队急需通过有实力企业的诚意投入，共同完成纳米碳材料新产品的放大生产；快速扩大工业化规模生产和市场销售，形成品牌。市场前景分析：可用于多个高技术产品市场，附加值高；例如：可强化锂电池电极材料性能和锂电池的整体性能；可用于超级电容器储存电能；可用于隐身吸波材料；以及飞机、汽车等轻质配件材料，轻质合金钢，强化钢化高分子材料等。其中纳米碳纤维年用量4万吨，纳米碳管年产能数千吨；而且每年都在明显增长。与同类成果相比的优势分析：目前本团队创新研发的新技术的指标主要有催化剂性能指标和碳纳米管纯度指标。碳纳米管 CVD 制备过程中催化剂的性能将直接影响所生产的碳纳米管的性能。碳纳米管的技术指标主要有反应温度、制备 CNTs 单位质量产量、及原料固碳率等。本技术中催化剂反应温度低于800 ℃, 催化剂的产碳能力可达CNTs 60 - 120 kg/kg cat, 原料单程固碳率为 15%-50%；纳米碳材料纯度高，在85%-98%。碳纳米管的纯度高，制备的碳纳米管纯度超过85%；有的达到 98%。国际先进,国内先进。
四川大学
2021-04-10
广谱抗紫外纳米复合涤纶聚酯
在现有聚酯生产工艺基础上，广谱型抗紫外纳米复合粉体与PET聚酯的复合将赋予PET聚酯以良好的抗紫外性能，同时可改善聚酯的力学性能，对提升涤纶聚酯的附加值和提高我国涤纶纤维的国际竞争能力具有重要意义，同时也有利于该技术的推广和应用。本技术制备了纳米TiO ?2/ZnO和TiO 2 -SiO 2 -ZnO复合粉体。TiO 2 -SiO 2 -ZnO复合粉体的紫外性能在350-400nm波段内比金红石型TiO2明显改善。原位聚合法制备了抗紫外复合粉体复合涤纶聚酯。抗紫外纳米复合颗粒在PET基体中的分散均匀，团聚体的尺度在50-90nm之间，复合聚酯的特性粘度、熔点、羧基含量、凝聚粒子和二甘醇含量等重要指标均符合国家标准。高比表面的颗粒作为异相成核剂，提高了PET的结晶度，加快了PET聚酯的结晶速率。随着复合颗粒的增加，抗紫外PET复合聚酯体系表观剪切粘度随纳米粒子含量的升高逐渐下降。加入复合抗紫外颗粒后对PET的热稳定性影响不大。
华东理工大学
2021-04-11
无机纳米材料改性的抗静电腈纶
选用多种修饰剂对无机纳米抗静电材料ATO进行修饰、分散处理，系统地研究了无机纳米抗静电材料ATO悬浮液的稳定性、分散性和流变性，探索了多种纺丝工艺，表征了纳米ATO在纤维中的扩散、分布情况和纤维的结构与性能，解决了纳米ATO改性聚丙烯腈纤维的关键技术。并在腈纶纺丝过程中采用ATO悬浮液为添加剂，使得ATO纳米微粒能够通过扩散、迁移进入纤维表面，从而赋予PAN纤维良好的抗静电性能。 该课题开发的在纺丝过程中添加抗静电剂的工艺路线，避免了腈纶传统纺丝中的聚合物中加入添加剂所造成的纳米微粒凝聚、堵塞喷丝头的缺陷，具有设备投资少、效率高、操作简单、产品质量稳定的优点。该研究成果已在1000吨/年腈纶中试装置上得到应用，生产出质量优异的抗静电纤维。该抗静电腈纶在保持腈纶原有的力学性的基础上，纤维的体积比电阻率下降到108μcm水平，上染率达到90%。该课题所开发的纺丝添加改性剂的生产抗静电腈纶工艺技术，已申请二项发明专利。
东华大学
2021-02-01