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一种锑阳极直接碳固体氧化物燃料电池电堆系统及制备方法
本发明公开了一种液态循环锑阳极管式直接碳固体氧化物燃料 电池电堆系统及其制备方法,属于燃料电池领域。电池电堆系统包括 电池电堆、氧化锑收集池、燃料池、燃料加载装置,电池电堆顶部设 置有电池电堆出口,并底部设置有电池电堆入口;氧化锑收集池顶部 设置与电池电堆出口相连通的氧化锑收集池入口,并其底部设置有供 氧化锑流出的氧化锑收集池出口;燃料池顶部设置有燃料加载装置, 该顶部同时还设置有与氧化锑收集池出口相连通的燃料池入口
华中科技大学 2021-04-14
数字化智慧电钢琴教室
一、方案背景与建设目标 随着教育信息化的深入发展,传统音乐教学模式正面临数字化转型的契机。北京至淼教学设备有限公司致力于通过先进的数字化技术,构建集教学、管理、互动、测评于一体的智慧电钢琴教室。本方案旨在打造一间高效、智能、互动的现代化音乐教室,彻底解决传统大班课“听不清、练不到、互动难”的痛点,实现钢琴教学的标准化与个性化统一。 二、系统总体架构 本系统采用先进的网络化架构,以教师主控端为核心,通过高速局域网连接所有学生终端。系统集成了音频流、MIDI数据流及控制指令流,确保在教学过程中实现低延迟、高保真的双向传输。 核心硬件配置 教师主控台:作为教室的“大脑”,配备高性能触控屏及专业音频接口,负责全班的设备管理、音视频广播及数据收集。 智慧学生电钢琴:每台琴均配备独立的网络控制器,支持MIDI信号采集与传输,具备独立的音频输入输出接口。 网络控制终端:集成在学生电钢琴上,表面贴有专属二维码,作为师生互动的物理入口。 软件平台 智慧音乐教学管理平台:涵盖备课、授课、练习、测评、班级管理五大模块。 三、核心功能详解 本方案重点针对您提出的互动性、实时反馈及数据化教学需求,设计了以下核心功能模块: 多维互动教学系统为了打破传统课堂师生互动的物理隔阂,我们在学生电钢琴的网络控制器表面特别定制了专属二维码。 扫码互动留言:学生无需离开座位,只需使用手机或平板扫描控制器上的二维码,即可进入互动界面。学生可在此发送文字留言或提问,教师端屏幕将实时弹出提示。这一功能有效解决了学生因害羞不敢举手或怕打断演奏的问题,让沟通更顺畅。 一键举手反馈:控制器面板上物理配置了醒目的“举手功能按钮”。当学生在练习中遇到指法错误或乐理疑惑时,按下按钮,教师端对应座位的图标即刻亮起红灯报警。教师可第一时间定位问题学生,进行针对性辅导。 实时乐理测评与统计针对乐理知识教学枯燥、难以即时掌握学生理解情况的痛点,系统内置了智能测评模块。 单选答题功能:学生终端控制器上配置了至少三个物理单选按钮(如A、B、C)。在乐理讲解环节,教师端可下发选择题(例如:“这个音符的时值是多少?”)。 数据统计分析:学生通过按键作答,教师端系统会瞬间收集所有终端的上传结果,并以柱状图或饼图的形式直观展示全班的正确率。教师可根据统计数据,即时判断是否需要重新讲解某个知识点,真正做到“以学定教”。 自主录制与回放复盘为了培养学生的自我纠错能力和舞台表现力,系统支持全流程的录音功能。 一键录制:学生端软件界面设有显著的“录制按钮”。学生按下后,系统自动开始记录弹奏过程中的音频及MIDI信息(包括力度、时值)。 回放与上传:练习结束后,学生可立即点击回放,对比原曲寻找差距。同时,录制的作品可一键上传至教师端。教师可在课后对学生的作业进行批注和评分,形成完整的电子成长档案。 全双工双向传输技术本系统采用了行业领先的低延迟传输协议,确保教学过程的流畅性。 音视频与MIDI同步:系统支持教师与学生之间的语音对讲和MIDI数据同时双向传输。无论是教师示范演奏,还是学生回课,声音与画面均保持毫秒级同步,无卡顿、无延迟。 高保真音质:传输过程采用无损压缩技术,确保钢琴音色的动态范围和细腻度得到完美还原,满足专业音乐教学对听感的高要求。 集中化智能管控教师通过主控台可实现对全教室设备的“上帝视角”管理。 统一开关机:一键控制所有学生电钢琴的电源,节能环保,延长设备寿命。 静音与监听:教师可单独或分组控制学生琴的音量(如全班静音,仅监听某一位学生的练习),互不干扰。 屏幕广播:教师可将自己的教学课件、乐谱或演奏画面实时投射到所有学生端的显示屏上,实现标准化示范。 四、教学应用场景 场景一:乐理与视奏课教师利用多媒体课件讲解五线谱知识,随后通过系统下发选择题。学生使用控制器上的单选按钮作答,系统即时生成正确率报表。针对错误率高的题目,教师进行二次讲解。 场景二:技能实训课教师进行曲目示范,学生佩戴耳机专注聆听。随后学生开始练习,遇到难点时按下“举手按钮”。教师端收到信号后,通过双向语音系统直接与该学生对话指导,或走到学生身边进行手把手教学,而其他学生不受干扰继续练习。 场景三:回课与考核学生利用“自主录制功能”完成课后作业,上传至云端。教师端自动汇总作业列表,点击即可播放学生的演奏录音,并进行在线打分和语音评语。系统自动生成班级成绩分析报告,帮助教师掌握整体教学进度。
北京至淼教学设备有限公司 2026-04-06
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性:为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件,又可应用于微波器件中,本项目提出了铋镥铁石榴石(BiLuIG)薄膜的设计体系,为了使其同时具有良好的磁光和微波特性,本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方,并选用无铅液相外延技术,大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石(GGG)衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路,解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石(SGGG)晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足,突破纯GGG基片上外延超厚(1-20μm)磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括:(1)BiLuIG薄膜材料的配方设计研究:基于四能级跃迁模型,并结合离子替代规律和多离子掺杂技术,寻找最佳配方;(2)液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究:包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等;(3)材料在器件中的验证研究,设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标:(1)建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到1μm-20μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,△H=0.6-2.0Oe,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3) 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义:本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术,获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司(中电九所下属)、陕西金山电器有限公司(4390厂)等单位使用,并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品,用于制备磁光和微波器件,受到好评。
电子科技大学 2021-04-10
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目提出了在钆镓石榴石(GGG)衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路,解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石(SGGG)晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足,突破纯GGG基片上外延超厚(1-20μm)磁光晶体这一难点科学问题。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于红外成像的薄膜测厚仪
本发明公开了一种基于红外成像的薄膜测厚仪,包括光源、准直透镜、分光棱镜、参考路散射玻璃、参考路红外滤光片、参考路反 射镜、测量路散射玻璃、测量路红外滤光片、测量路反射镜、半透半 反分光镜、成像透镜、CCD;测量时参考物经反射镜、分光镜和成像 透镜成像到 CCD 光敏面,被测物经反射镜和成像透镜也成像到 CCD 光敏面,CCD 将图像传送至计算机,经图像处理后根据图像的灰度值 求得被测物的厚度;如此形成双光路测量系统,避免了光源光强变化 的影响;使用散射光透射成像的测量体系,避免了传统红外测厚装置 中存在的干涉影响;设置具有多个局部标准厚度的参考物,该装置可 以获取参考物各个局部标准厚度,从而能够更加精确地测量薄膜厚度。 
华中科技大学 2021-04-11
薄膜蒸发与精馏耦合分离技术及设备
柔性智能互动终端的关键材料与传感器件是实现物联网技术革命的重要技术,柔性透明导电薄膜为其 中不可取代的关键元件。本团队在前期工作中针对纳米银线透明导电薄膜进行了系统的研究,包含材料合 成、导电墨水配方调制、大面积卷对卷制程工艺和柔性触控样机制备,已经初步建立起一条从材料、工艺 到器件应用的产学模式;并做了一系列十余项的专利布局(发明专利12篇,授权专利6篇)。其采用的技 术方法如下: (1)低成本的表面图形化工艺。包含基于光酸显影的可图形化配方调制、基于表面能差异化驱动的 自组装电极图形化,相比较于传统的激光、黄光刻蚀,溶液态的图形化方式成本更低,同时可保证满足柔 性触控传感器的线宽/线距要求; (2)高稳定性的纳米银导电薄膜。基于单分子缓蚀剂修饰的纳米银线稳定性提升方案,相较于业界 传统的单级分子蒸馏存在分离效率不高、能耗 较大和成本较高等问题,而常规精馏方法又会使某 些活性组分发生热变质或分解能等不足。薄膜蒸发 与精馏是一种特殊的液-液分离技术,本技术成果 将薄膜蒸发的高效蒸发性与精密精馏的高分离度融 合于一台完整的设备中,既可避免热敏性物质长期 暴露于加热器内,又可使各组分通过
中山大学 2021-04-10
透明防伪包装薄膜—透明激光全息防伪膜
该成果是原有的铝反射激光全息防伪末的升级替换品。这种薄膜结构简单,仅有信 息层和基底层两层组成。全息图像以激光全息技术拍摄并用激光雕刻和电铸手段,以光 栅条纹的形式复制到镍质金属模版上。以金属模版热压气凝胶或有机高聚物聚氨酯涂层, 形成承载全息图像的信息层,可在薄膜上再现全息图像。
同济大学 2021-04-11
太阳电池用ZAO透明导电薄膜
透明导电氧化物薄膜具有良好的导电性能和透光性能,广泛应用于平面液晶显示(LCD)、电致发光显示(ELD)、等离子体显示(PD)以及太阳能电池、热镜、电磁屏蔽等。在相当一段时间内, In2O3:Sn (ITO) 薄膜作为一种典型的透明导电氧化物薄膜得到了极广泛的应用,但ITO 薄膜中的铟有毒,在制造和应用中对人体有害;ITO 中的In2O3 的价格昂贵,成本较高, ITO 薄膜易受氢等离子体的还原作用,这些缺点在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和应用。新型透明导电ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 价格便宜,来源丰富,无毒,并且在氢等离子中稳定性要优于ITO,在很多领域特别是太阳电池领域具有逐步取代ITO薄膜的趋势。本产品是多层ZAO透明导电膜,具有透过率高和电阻率低的优点,而且非常适合制备绒面,可作为陷波结构应用于薄膜太阳能电池中。 透明导电膜的主要性能指标有两个:透过率和方阻。产业化对透明导电膜透过率的要求一般要达到80%以上,南韩的Woon-JoJeong制备的ZAO膜在可见光区域的平均透过率大于95%,是国际最高水平。国外科研人员制备的ZAO透明导电膜室温电阻率最低可达3×10-4Ω·cm,方块电阻最低可达3Ω/□。国内制备的ZAO透明导电膜一般平均透过率约为80%,电阻率在10-3数量级。 本产品具体性能指标是:透过率>85%,方阻<50Ω/□。 太阳电池是正在蓬勃发展的产业。国务院刚刚颁布的《可再生能源中长期发展规划》中明确提出:到2010年,太阳能发电总容量达到30万千瓦,其中全国将建成1000个屋顶光伏发电项目,总容量5万千瓦,大型并网光伏电站总容量2万千瓦;到2020年,太阳能发电总容量达到180万千瓦,其中全国建成2万个屋顶光伏发电项目,总容量100万千瓦,太阳能光伏电站总容量将达到20万千瓦;另外,光伏发电在通讯、气象、长距离管线、铁路、公路等领域的应用,计划到2010年也将累计达到3万千瓦,到2020年将达到10万千瓦。而全球太阳能光伏市场将从2000年的10亿美元到2015年扩大到1500亿美元。透明导电薄膜是太阳电池中关键的薄膜,需求巨大。
上海理工大学 2021-04-11
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)本质上是一种场效应晶体管,其电性质与传统的MOS场效应管一样,都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大,这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件,当栅源电压小于阈值电压时器件截止,反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的,它是电压控制器件,不吸收信号源电流,不消耗信号源功率,因此它的输入阻抗很高,它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比,ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性,使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势: (1) ZnO为宽禁带半导体材料,可以避免可见光照射对器件性能的影响,保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响; (2) 提高开口率,提高显示器的亮度,进而可以降低功耗; (3) 如果存储电容也用透明材料制备,制备全透明显示器件便成为可能; (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低,即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜,因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等,这又是柔性显示器成为可能; (5) ZnO具有很好的载流子迁移率,使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流,又有效的抑制关态电流的增加;研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展,具有里程碑的意义,为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学 2021-04-13
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI(图1a)。单晶XRD分析表明,DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好,单体间的π堆积也非常紧密,非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低,有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性,同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能(图1b)。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2  V -1  s -1 ,关电流仅为10 −10 -10 −11 A,因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录,同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料,表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学 2021-04-13
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