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3β-羟基雄甾-17(20)-烯-21-酮的合成方法
以 3β-羟基-5α-雄甾烷-17-酮为原料先制得 3β,17-二羟基-20-炔-21-苯基(或为对甲苯基，或为对氧基苯基， 或为对氟苯基， 或为间氟苯基)-5α-雄甾烷， 然后通过 Meyer–Schuster重排得到 21-苯基(或为对甲苯基， 或为对氧基苯基， 或为对氟苯基， 或为间氟苯基)-5α-雄甾-17(20)-烯-21-酮的合成路线。 该方法具有合成步骤少，成本低，反应条件易控制，收率高，适于大量制备的优点。
扬州大学
2021-04-14
高端制造三维图形处理系统
激光制造、增材制造等高端制造技术，在精密加工、航空航天部件加工等众多领域得到大量的应用，可以完成传统加工系统不能完成的大量加工工艺。因为制造工艺复杂，应用涉及众多重要领域，并且所涉及的三维图形处理和控制等核心技术一直掌握在国外厂商手里，因此外国一直将这些高端制造技术对中国进行严格的出口管控，相关技术和系统也成为了中国急需突破的卡脖子工程。其中，三维图形处理系统是高端制造系统中极为核心的功能系统，相关技术也被国外所严格管控，国内有众多技术空白需要突破。
针对该现状，我们对相关核心技术进行了多年的研究，投入了大量的人力物力进行了系统研发，在关键技术上形成了突破，并研制出了可用于替代国外产品的核心系统。也因为我们所形成的技术积累，我们承担了第一批国家重点研发计划项目“航空航天典型部件激光制造”中的三维图形处理系统的研究任务，并在实际应用场景中对我们的技术和系统进行了有效验证。
主要技术指标
（1）可以解析众多主流三维图形文件，读写其中的各种三维模型数据。
（2）可以分析三维对象的拓扑缺陷。
（3）可以多种方式在三维加工对象表面布局复杂加工图案。
（4）可以按照加工工艺参数，完成加工区域划分、图案分割和图元空间投影等复杂的功能。
（5）可完成工件装夹定标、加工区域边界输出、加工路径优化等丰富的功能。
（6）输出可加工的区域图案文件，供 5 轴联动数控中心执行加工操作。
（7）直观的图形操作功能。
西安电子科技大学
2023-03-17
基于体积图形学的MEMS工艺仿真系统
项目的背景及目的 本软件是MEMS器件的设计人员的辅助工具，通过该软件设计人员可以在实际生产之前提前预览到所设计器件的三维几何形状，如果不符合要求可以进行重新设计或者对原来设计进行修改。这样可以大大的降低设计的成本和时间，为MEMS设计人员提供较为感性的认识。 技术原理与工艺流程 基于体积图形学的MEMS工艺仿真系统需要结合体积图形学和专家系统以及物理模型，最终实现MEMS典型工艺的真实模
南开大学
2021-04-14
石墨电极气体开关的充气配比控制装置、充气装置及方法
本发明公开了一种石墨电极气体开关的充气配比控制装置、充 气装置及方法；充气配比控制装置包括第一可控压力阀、第二可控压 力阀、第三可控压力阀、第四可控压力阀、第一气压传感器、第二气 压传感器、第一机电控制器、第二机电控制器、控制终端，第一缓冲 气室、第二缓冲气室和混合气室。按照一定的惰性气体设置方案，通 过一定充气配比方法，控制终端控制机电传感器，使可控压力阀动作， 通过气压传感器监控压力值，使缓冲气室中的充入的气体达到设定的 气压值，最终在混合气室中得到所需的完成配比的混合气体，并完成 对气体开关的
华中科技大学
2021-04-14
一种LED用共掺杂的硅酸盐绿色荧光粉的制备方法
一种共掺杂的硅酸盐绿色荧光粉的制备方法，属于发光材料技术领域，其化学式为Ba2-x/2-2y-zSiO4:Eu2+z,Li+x+y,Er3+y，其中0≤x≤0.25，0＜y≤0.02，0＜z≤0.1。具体步骤为：按化学式中各元素的化学计量比称取钡盐、二氧化硅、铕盐、锂盐、铒盐及适量的表面活性剂；将称取的钡盐、锂盐、二氧化硅、铕盐、铒盐、表面活性剂和适量的配体充分混合，在室温下球磨一定时间，球磨时加入适量的润滑剂；直接烘干，得到前驱体；将前驱体置于有还原性气氛的气氛炉中于1000～1300℃煅烧2～7h，即得所需荧光粉。本发明制备的荧光粉结晶性好，结构疏松，颗粒细小，分布均匀，具有良好的涂覆性能，适于用作近紫外辐射的InGaN管芯激发的LED用绿色荧光粉。
四川大学
2021-04-11
一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法
本发明公开了一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方 法，适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。 本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板，采用溶胶凝胶法在模板 上形成掺杂钴酸镧纳米棒，并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接 触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌，并能在室温下对一氧化碳 有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单，性 能优异。
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
金属杂环戊二烯
合成了第一例碱土金属镁杂环戊二烯（Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 5634-5638; Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 14762-14765.）；第一例稀土金属镥杂环戊二烯（Chem. Eur. J. 2015, 21, 6686-6689; Chem. Eur. J. 2015, 21, 15860-15866; Organometallics 2016, 35, 5-8）和系列铝杂环戊二烯（Inorg. Chem. 2015, 54, 10695-10700.），并深入研究了它们的反应性。
北京大学
2021-04-11
年产20000吨壬烯、十二烯
丙烯齐聚生产得到的三聚丙烯（简称壬烯）／四聚丙烯（简称十二烯）是非常重要的液体有机化工中间体，广泛用于表面活性剂、油品添加剂、塑料橡胶助剂、涂料助剂和油墨树脂等的制造领域。较典型的壬烯下游品种有：壬烯：合成壬基酚（NP），异癸醇(IDA),叔碳酸，二壬基对苯二胺，二壬基萘磺酸盐壬烯：支链十二烷基苯，十二烷基酚，叔十二硫醇，十二烯基丁二酸，高碳醇 丙烯齐聚生产三聚丙烯（壬烯）及四聚丙烯（十二烯）之工艺技术主要包含两部分：齐聚催化剂的制造技术及丙烯齐聚和齐聚体
常州大学
2021-04-14
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学
2021-04-11