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GET石墨电极研磨成型机
主要用于电火花加工（EDM）用石墨电极的成形及其修复。可用于模具制造及其它特种加工行业。该设备采用振动研磨的方法，利用三维复制成型的三维研具，一次研磨出三维石墨电极从而加快EDM石墨电极的制造速度。用该电极电火花加工钢模具，可以快速制造注塑模、锻模、压铸模等。工作范围：600×500×400（mm）；加工进给速度：0～0.8mm/min；设备精度：±0.0
西安交通大学
2021-01-12
一种改性石墨烯及其制备方法
本发明公开了一种具有良好分散性的改性石墨烯，以及制备这 种改性石墨烯的方法。通过非共价键的作用，在石墨烯表面修饰高分 子材料，使其具有良好的分散性。这种改性石墨烯的具体制备方法为： 在芳香族小分子上接枝咪唑类化合物，通过咪唑引发环氧开环聚合或 与末端带有卤素基团的长链高分子直接反应，得到末端为芳香基团的 长链芳香族化合物，并在分散有氧化石墨烯且具有还原性的溶剂中， 通过一步法在还原氧化石墨烯的同时将其以非共价键的形式
华中科技大学
2021-04-14
石墨烯的可控制备及结构调控
本成果包括高纯度不同石墨片层大小石墨烯的可控制备及分离技术，石墨烯的立体 组装技术，如大尺寸石墨烯薄膜、石墨烯气凝胶、褶皱团状石墨烯等。
上海理工大学
2021-01-12
一种石墨烯快速剥离的方法
本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法；该方法包括S1利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯；其中生长温度为750℃～1000℃，生长时间为10～30分钟，生长时通入气体为甲烷10～80sccm和氢气5～10sccm并保持生长气压为常压；S2将所述附着有石墨烯的镍片浸泡在氯化铁溶液中，经过电化学腐蚀后获得剥离后的石墨烯。本发明可以在几十秒到几十分钟内把石墨烯无破损地从基底镍片上剥离下来。这为石墨烯的基础研究和应用提供一种快速的新途径。本发明操作简单，可以快速的把石墨烯转移到任何基片上；剥离后的石墨烯无破损和杂质；剥离石墨烯后的镍片可以继续用于石墨烯制备。
华中科技大学
2021-04-14
合金石墨-高压水热反应釜
主要技术指标
（1）．工作温度：≤500℃
（2）．工作压力：≤20MPa（表压）
（3）、规格；25、50、100、200、500、800ml。另可根据用户需求定做。
（4）.操作方法
1、高压水热合成反应釜用全不锈钢材料，外壳材质为304材质。
2、高压水热合成反应釜使用温度在500度以下，500度以下；工作压力≤20MPa
3、高压水热合成反应釜采用硬密封的原理，不会泄漏。
4、高压水热合成反应釜使用时将法兰上的螺栓松开，溶液杯取出溶液装入杯中，然后放在釜体内，将上盖密封槽与杯体上密封球面装在一起，注意：把紧螺栓时要对立面把紧，用力要均匀。不要一次性将任何一个螺栓把紧，当对立面螺栓均匀用力把紧时，再用力将所有螺栓对面把紧，方可进行操作升温。
5、高压水热合成反应釜当温度达到要求时，准备取出溶液杯将螺栓对立面均匀松开，不允许一次性将任何一个螺栓全松开，那样会损伤上盖密封槽和杯体上端密封面。
6、高压水热合成反应釜注意保护杯体上端密封球面，不能有磕、碰伤，或其它污物。
7、高压水热合成反应釜使用时注意清理上盖密封槽内的杂物，不能有污物和杂质，如不清理干净使用时会泄漏。
8、高压水热合成反应釜上盖外端中心带有密封丝堵，它是用来检验溶液杯密封进气试压接口。日常或使用过程中，不要将它打开，防止泄漏。
9、高压水热合成反应釜在使用过程中，如有泄漏现象返厂修复。
有下列情形的，不在保修范围。
（1）釜体磕、碰变形或严重损伤。
（2）溶液杯体上端密封球面有磕、碰伤痕
（3）釜体上盖密封槽有磕、碰划伤等。
巩义市城区众合仪器供应站
2025-04-27
酞菁/氧化石墨烯纳米复合材料合成用于具有高循环稳定性的超级电容器电极
酞菁是一种具有优异光电特性的廉价小分子半导体材料，但是其在常规有机溶剂中溶解性较差，且性能不佳，限制了其在有机忆阻器中的进一步应用。许宗祥课题组从分子设计层面出发，开发了在常规有机溶剂中具有高效分散特性的金属酞菁纳米线，通过溶液法制备出具有优良红外响应特性的薄膜，并以此构建有机忆阻器，该器件是首次报道具有高稳定性和较强红外响应的有机忆阻器器件。
南方科技大学
2021-04-13
石墨烯体系单原子缺陷研究进展发表
石墨烯中电子除了自旋这个内秉自由度，还有子格赝自旋和谷赝自旋自由度。石墨烯中电子的多自由度给石墨烯带来了很多新奇的物理性质。单原子缺陷是材料体系中最简单的缺陷形式，可以作为一种模型体系来帮助了解缺陷对材料性质的影响和调控。物理学系何林教授课题组长期致力于研究石墨烯中的单原子缺陷，发现缺陷可对石墨烯中自旋、子格赝自旋和谷赝自旋相关的电学性质产生深刻影响。例如，他们利用扫描隧道显微镜（STM）首次证实石墨烯中单原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上实现了对其自旋磁矩调控，实现了三种自旋量子态；观测到石墨烯中单原子缺陷引入的对称性破缺态，并系统地测量了缺陷附近谷极化和谷依赖的自旋极化在实空间的分布情况。 石墨烯中电子的子格赝自旋来自于其六角晶格结构，有A和B两套子格，因此波函数数学形式上类似于自旋。对于电子自旋有很多有意思的可观测物理现象，那么对应石墨烯中的子格赝自旋是否有可观测的物理现象呢？带着这一问题，何林教授课题组开展了深入研究。他们发现石墨烯中的单原子缺陷可以使准粒子在石墨烯手性不同的两个谷之间发生弹性散射，并伴随着子格赝自旋的旋转，在缺陷附近产生一个原子尺度的子格赝自旋涡旋，而赝自旋在涡旋（单原子缺陷）的绕数直接反映了体系的Berry相位（图1）。通常来说，贝利相位的测量需要借助于外加磁场，因为磁场可以驱动准粒子沿闭合的轨迹绝热运动，所以这一的结果提供了一个简单的方法测量不同层石墨烯Berry相位的方法。何林教授课题组利用STM测量单原子缺陷引起的谷间散射形成的电荷密度波振荡，证明电荷密度波振荡在实空间中增加的额外波前条纹数直接反映了子格赝自旋在涡旋的绕数，从而可直接测量不同层石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他们对双层石墨烯进行了详细的研究，并将相关结果推广到多层石墨烯体系。进一步他们还研究了相同和相反绕数的子格赝自旋涡旋的量子干涉。上述结果直接证明了子格赝自旋有很多丰富有趣的物理现象亟待深入研究，也为子格赝自旋物理提供了全新的研究思路。
北京师范大学
2021-02-01
石墨烯体系单原子缺陷研究进展发表
石墨烯中电子除了自旋这个内秉自由度，还有子格赝自旋和谷赝自旋自由度。石墨烯中电子的多自由度给石墨烯带来了很多新奇的物理性质。单原子缺陷是材料体系中最简单的缺陷形式，可以作为一种模型体系来帮助了解缺陷对材料性质的影响和调控。物理学系何林教授课题组长期致力于研究石墨烯中的单原子缺陷，发现缺陷可对石墨烯中自旋、子格赝自旋和谷赝自旋相关的电学性质产生深刻影响。例如，他们利用扫描隧道显微镜（STM）首次证实石墨烯中单原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上实现了对其自旋磁矩调控，实现了三种自旋量子态；观测到石墨烯中单原子缺陷引入的对称性破缺态，并系统地测量了缺陷附近谷极化和谷依赖的自旋极化在实空间的分布情况。 石墨烯中电子的子格赝自旋来自于其六角晶格结构，有A和B两套子格，因此波函数数学形式上类似于自旋。对于电子自旋有很多有意思的可观测物理现象，那么对应石墨烯中的子格赝自旋是否有可观测的物理现象呢？带着这一问题，何林教授课题组开展了深入研究。他们发现石墨烯中的单原子缺陷可以使准粒子在石墨烯手性不同的两个谷之间发生弹性散射，并伴随着子格赝自旋的旋转，在缺陷附近产生一个原子尺度的子格赝自旋涡旋，而赝自旋在涡旋（单原子缺陷）的绕数直接反映了体系的Berry相位（图1）。通常来说，贝利相位的测量需要借助于外加磁场，因为磁场可以驱动准粒子沿闭合的轨迹绝热运动，所以这一的结果提供了一个简单的方法测量不同层石墨烯Berry相位的方法。何林教授课题组利用STM测量单原子缺陷引起的谷间散射形成的电荷密度波振荡，证明电荷密度波振荡在实空间中增加的额外波前条纹数直接反映了子格赝自旋在涡旋的绕数，从而可直接测量不同层石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他们对双层石墨烯进行了详细的研究，并将相关结果推广到多层石墨烯体系。进一步他们还研究了相同和相反绕数的子格赝自旋涡旋的量子干涉。上述结果直接证明了子格赝自旋有很多丰富有趣的物理现象亟待深入研究，也为子格赝自旋物理提供了全新的研究思路。
北京师范大学
2021-04-10
高性能单层石墨烯的绿色生产技术
项目简介： 石墨烯具有优异的导电性和机械性能，在锂电、超级电容器等方面有广阔的应用前景，但国内市场化的石墨烯以多层为主，性能优异的单层石墨烯价格昂贵。本项目开发了一种绿色、低成本、可大规模制备的高性能单层石墨烯技术，工业前景广阔。社会经济效益：低成本、高性能、无污染、应用广、可实现大规模生产。创新点：绿色环保、成本低、性能优异、适宜规模化生产。
西安交通大学
2021-04-11
微晶石墨深加工及应用技术
天然微晶石墨在电磁屏蔽和吸波、燃料电池、电子、润滑剂、自动化、热辐射防护、原子核反应堆、石墨炸弹、火箭发动机等方面有着广泛的应用前景，可提升天然微晶石墨的深加工技术水平和附加值，解决目前天然微晶石墨行业由于无序竞争而造成的低价倾售和资源大量浪费的严重问题，同时也为我国盘活该类矿种，增加有效储量提供技术支撑。本项目已在国家自然科学基金、国土资源部公益性行业科研专项、湖南省科技厅和湖南省国土资源厅等项目的支持下，取得了以下成果：确立了制备高纯超细天然微晶石墨的工艺条件和技术参
长沙理工大学
2021-01-12