高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
膨胀仪
热膨胀系数测定仪用于检测固体材料随温度变化产生的膨胀或收缩量,有卧式及立式(用于大尺寸样)两种结构样式,按温度范围分有-196~100℃、-70~200℃、-30~100℃、室温~1000℃、1400℃、1600℃、1700℃等规格。
湘潭市仪器仪表有限公司 2021-02-01
PCR仪
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
眼球仪
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
星象仪
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
一种微波真空冷冻干燥制备螺旋藻粉的方法
本发明公开了一种螺旋藻微波真空冷冻干燥方法。本发明以新鲜螺旋藻为原料,经过培养、采收、预冻、微波真空冷冻干燥,最终得到螺旋藻粉。干燥得到的产物通过感官品质、水分含量、流动性等物性参数以及藻胆蛋白的含量的测定,表明微波真空冷冻干燥螺旋藻粉不仅具有优良的品质,而且大大降低了能耗,可作为最佳干燥工艺应用于螺旋藻的生产中,且可应用于保健食品开发领域。
北京林业大学 2021-02-01
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积,等。
南开大学 2021-02-01
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积,等。 
南开大学 2021-04-11
一种仿生微孔表面泡沫金属填充太阳能真空集热管
本发明公开了一种仿生微孔表面泡沫金属填充太阳能真空集热管,该真空集热管嵌套有玻璃外管(1)和仿生微孔表面金属内管(2),玻璃外管(1)上端开口,且对接有合金短管(6);仿生微孔表面金属内管(2)上端开口,且沿其开口端的外表面固定连接有金属环形盖(5),所述的金属环形盖(5)外延与合金短管(6)固定连接,在真空集热管嵌套有玻璃外管(1)与仿生微孔表面金属内管(2)之间形成真空;在仿生微孔表面金属内管(2)管壁的外侧涂覆选择性吸收涂层(3),在仿生微孔表面金属内管(2)内部插入泡沫金属填充体(4)。该真空集热管提高太阳能利用率、承压效果好,可增强内部换热降低热损失,有效提高太阳能热水器效率。
东南大学 2021-04-11
环境友好型输电等级单断口真空断路器系列产品
本项目发明了以三分之二匝线圈纵磁触头为代表的系列真空灭弧室触头新结构和分合闸特性可控的弹簧、永磁操动机构,研制开发了系列环境友好型输电等级单断口真空断路器系列产品,其中126kV/2500A/40kA 单断口真空断路器技术指标处于国际领先水平,部分产品出口并在俄罗斯得到广泛应用。相关产品和技术成功推广应用于国内电力设备制造行业领军企业中,对我国占领输电等级真空电力开断技术国际制高点、发展环境友好电力装备、减少温室效应气体的使用具有重要意义。
西安交通大学 2021-04-11
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体,其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层,构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被p-n结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 28 29 30
  • ...
  • 196 197 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1