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核心真空电子器件关键技术
项目研制出倍频程和1.5倍频程宽带低二次谐波连续波行波管，二次谐波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前国内外此类行波管综合技术水平最高的指标。并且研制出了国际上第一只高效率W波段脊加载曲折波导行波管及第一只V波段曲折波导宽带行波管。该项目获得四川省科技发明一等奖。
电子科技大学
2021-04-14
基于新材料的新型真空电子器件的基础研究
本项目研究了超材料的电磁特性、基于超材料的反向切伦科夫辐射、基于纳米材料冷阴极的场发射特性以及它们在高效率、高功率和高频率的真空电子器件中的应用。相关SCI论文共计153篇，SCIE数据库中的他引次数为1058次，代表性论文被《自然-纳米技术》、《物理评论快报》、《先进材料》等国际顶级期刊上发表的SCI论文他引157次。这些学术成果解决了真空电子器件所面临的核心科学问题，在国际真空电子学领域产生了重大的影响。
电子科技大学
2021-04-14
微电子器件高效冷却技术
小试阶段/n通过发展被动式和主动式冷却技术能实现典型移动装备和电子器件的空间冷却需求，具体包括热压/风压自然换热冷却、相变热管换热冷却等被动式技术，半导体热电制冷冷却、喷射冷却和合成射流冷却等主动式冷却技术,获省自然科学一等奖。成果市场前景：有散热需求，就有应用前景。
武汉大学
2021-01-12
电子器件的高效散热技术
随着微电子技术的发展，电子器件的热流密度越来越高，散热已成为其技术发展的主要障碍之一。本项目采用直接液体浸没的沸腾换热方式，开发了高效沸腾换热微结构面，可极大幅度提高散热性能，在电子器件温度低于其正常操作上限温度85oC的条件下，散热热流密度可达150W/cm2以上。沸腾强化换热技术往往在微重力条件下由于气泡难以脱离导致性能恶化而无法应用。近期在微重力条件的实验表明该技术即使在微重力条件下，依然能充分利用热毛细现象进行强化换热，显著提高换热性能。因此，该技术可应用于地面和空间的电子器件高效散热。
西安交通大学
2021-04-11
微纳光学器件及系统
光刻二维码技术： 纳米光学二维码产品是将光学防伪技术和手机、互联网应用有机结合，开发出的新一代产品，并开发出相关的可追溯系统，形成“一站式”的防伪服务。
上海理工大学
2021-04-13
氮化镓高压电力电子器件
已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系，通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律，采用无损伤工艺，提升了器件的均匀性和可靠性，进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压，正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力，为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
中国科学院大学
2021-01-12
电力电子器件封装和状态监测解决方案
围绕该成果共发表或录用论文70余篇，其中SCI收录论文36篇，EI收录期刊论文20篇(一级学报论文17篇),授权发明专利21项
1、针对器件测量，研制了多个测量平台，覆盖器件的静、动态特性测量以及器件的封装绝缘特性测试和器件可靠性及坚固性测试。
2、针对器件电热状态监测的不同应用场景，提出了多个解决方法。包括模块内部电流监测方法、高温模块集成的电流监测方法、器件内并联芯片结温检测方法以及考虑寄生参数的结温监测方法。
3、针对器件封装的关键问题，提出了对应的解决方案。包括：对压接型器件，提出了优化电流均衡的解决方案；对碳化硅器件，提出了瞬态电流均衡的聚类筛选方法；对碳化硅模块，提出了扁平化分裂引出式分组封装方法。
创新点
1、器件测量平台寄生参数优化，各平台具有宽温度范围和高电流等级。其中动态特性测试平台具有国内领先国际先进的高电压范围。绝缘特性测试平台具备热刺激去极化电流测量功能，可表征绝缘材料微观参数。
2、提出模块内非圆形 PCB 罗氏线圈的绕线方法，实现了更准确的模块内部电流测量。研制了 LTCC 材料高温电流传感器，实现了高温模块集成的电流监测。提出时序温敏电参数法，实现了压接器件内每颗芯片结温分布的测量。建立了动态温敏电参数测量和结温在线监测方案，修正了寄生参数的影响，实现了碳化硅器件结温的在线监测。
3、针对压接型功率器件，提出凸台刻槽的方法，均衡凸台寄生参数，在没有牺牲空间利用率的前提下大大降低了电流不均衡性。针对碳化硅器件，提出了转移曲线距离系数的层次聚类分选方法，经筛选过后的器件在并联工作时，有效降低了瞬态电流不均衡度。针对碳化硅器件模块，在传统封装工艺基础上进行封装改进设计，优化 DBC 与芯片布局，改变端子结构，显著降低了模块寄生电感。
华北电力大学
2025-06-27
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学
2021-04-14
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学
2021-04-14
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10