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一种基于CZT变换和剪除分裂基快速傅里叶变换的三维摄像声纳波束形成方法
本发明公开了一种基于CZT变换和剪除分裂基快速傅里叶变换的三维摄像声纳波束形成方法，包括以下步骤：分别计算每个换能器接收到的声波中，与载波频率fk对应的第k个DFT变换系数；利用所得变换系数，构建矩阵C；对应方位角方向，对矩阵C的每一列，进行一维离散卷积运算，得到P×N的矩阵MD；对应仰视角方向，对矩阵MD的每一行，进行一维离散卷积运算，得到P×Q的矩阵ME；利用矩阵ME，构建矩阵MF；计算矩阵MF中每个元素的模，得到三维摄像声纳波束。本发明在FFT运算过程中识别和去除不必要的运算操作，有效降低了三维摄像声纳波束形成方法所需的运算量。
浙江大学
2021-04-11
磁敏电阻芯片及系列传感器
磁敏电阻芯片及相应传感器的开发与应用是磁敏传感技术近二十年来最蓬勃发展并实现产业化的新兴分支。1.我们研制的高分辨率（１０００～４０００脉冲/３６０º）磁编码器（国家自然科学基金项目）其关键技术指标频率响应达３００ＫＨｚ，超过国外同类产品的３０％，是光学编码器频响的３倍。2。我们生产的具有判向功能、从０～数万转速的测速传感器，具有信号无接触测量，无触点、无磨损、无噪声、使用寿命长，分辨高，检测距离远、频率响应宽达到0－200KHZ、性能明显优于光电测速传感器和电感测速传感器。已成功替代纺织进口设备传感器3。无触点磁敏电位器（北京市自然科学基金项目）已获得过国家专利，该产品内部具有信号无接触测量，使用寿命长，分辨率高，转动力距小，高频响应特性好，抗干扰能力强，适用于油、水、粉尘等惡劣环境的特点。4。最新结构的倾斜角传感器（建设部项目），已申报国家发明专利，信号感应检测无磨损 无电噪声 、高可靠性、高分辨率、 高稳定性、特别适用于运动频繁要求使用寿命长的场合，环境适应性强，可用于潮湿、油污、粉尘、盐污、露天等多种工业场合。
北京科技大学
2021-04-11
一种简易电阻电容电感测试仪
本实用新型提供一种简易电阻电容电感测试仪，包括测量电路、FPGA，所述的测量电路包括三个 运算放大器构成的用于测量电阻电容的恒流源电路及用于测量电感的 LC 振荡电路。利用恒流源给电阻 供电，再通过高精度 AD 采样得到电阻两端电压值，运用欧姆定律计算出电阻值。利用恒流源对待测电 容进行充电，通过测量电容充电到一定电压时所需的时间，计算出电容的值。利用已知电容，将电感接 入电路组成 LC 振荡电路，利用 DDS 产生正弦信号作为输入，当产生谐振时输出信号幅度最大，此时即 可得到振荡频率，计算出电感值。本实用新型具有简易经济的特点，巧妙运用 Howland 电流泵，用简单 的硬件电路和软件搭建完成了简易电阻电容电感的测量且系统稳定。
武汉大学
2021-04-13
聚焦电流法地质前探视电阻扫描测量系统
本发明公开了一种聚焦电流法地质前探视电阻扫描测量系统， 该系统包括由双向恒流驱动电路、电压与功率控制电路、电压 V 测量 电路、电流表、测量电极、屏蔽电极所构成。双向恒流驱动电路给屏 蔽电极供以恒定的电流，然后经电流表从护盾上引电流至不同半径滚 刀入地质体，同时测量护盾与地质体之间的电压 V，随着滚刀的转动， 可以实现滚刀横截面上的地质体的扫描测试。按照本发明，可以实现 视电阻的扫描测试，且结构简单、安装便捷、易于实现，可以实现实时、不中断地视电阻的测量。
华中科技大学
2021-04-14
高温超导体电阻转变温度测量仪
1.测量R-T主机一台（主要完成温度的测量和电阻测量，以及为样品提供电流的恒流源）
2.测量X-T用主机一台（主要完成温度的测量和显示，磁化率的测量和显示）
3.测量实验台架一套（测量零电阻和磁化率共用）
4.测温传感器（PT100）
5.低温杜瓦（内径φ120×80）
长春市长城教学仪器有限公司
2021-02-01
YZZ-10 直流电阻测试仪
产品详细介绍YZZ-10 直流电阻测试仪 仪器仪表 >> 电工及自动化仪表 >> 电阻测量仪
一．概述
本直流电阻测试仪采用单片机控制，大屏幕汉字液晶显示，具有打印输出功能（及232接口）。仪器八个档位均由软件校正，精度达万分之一。可自动换档。机器体积小、重量轻、耗电省、测试数据稳定可靠。是取代直流单、双臂电桥的高精度换代产品。是测量电力变压器等各种感性负载电阻及低压开关接触电阻、电线电缆或焊缝接口电阻的理想仪器。
二．工作原理
本仪器内有一个直流恒流源。在测量时，机器向被试品馈入恒流，该电流在被测体上产生相应的压降，这一电压值取回本机，经放大采样计算后得出电阻值。（R=U/I）
三．技术指标
1、使用条件：
环境温度： -15℃～40℃
相对温度： ≤85％RH
2、测量范围：1K档：1---999.9Ω; 1Ω档：0.1 ---999.9mΩ
3、测量精度：0.2%±5个字
4、分辨率： 1μΩ
5、恒流源： 1A/5ma（2A/10ma）
6、可交流 （AC220V）工作也可直流工作 功耗：≤15W(25W)
7、外形尺寸：330×300×160mm
8、重量： 3.8kg
2KΩ
陕西意联电子科技有限公司
2021-08-23
单分子场效应晶体管
通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。
北京大学
2021-04-11
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学
2021-04-13
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2 V -1 s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高亮度新型发光晶体管（技术）
成果简介：发光晶体管是一种集发光和晶体管的“开/关”功能于一体的光电 子集成器件，它在发光器件、光互联的集成电路和激光二极管中具有多种重 要的应用前景。它不仅能增加发光单元像素点的孔径，而且由于开关晶体管 数量的减少而降低主动矩阵显示的制造费用，能耗低。再者，通过栅压来控 制载流子积累及连续地从源极和漏极注入载流子，这是给有源层提供载流子的一种独特方法，可以研究电场作用下量子点的光电性质。 基于石墨
北京理工大学
2021-04-14