ZnO 压敏陶瓷是以 ZnO 粉料为主体，添加微量的其他金属氧化物添加剂(如 Bi2O3,Sb2O3, Co2O3, MnO2, Cr2O3 等)，经过混合、成型后在高温下烧结而成的多晶半导体陶瓷元件。自 1968 年日本松下开发出 ZnO 压敏电阻以来， ZnO 压敏电阻就以其造价低廉、制造方便、非线性系数大、 响应时间快、残压低、电压温度系数小、漏电流小等优良性能，应用广泛于高压输电线路、城市地铁直流供电线路以及铁路电网系统。随着超高电压大功率输变电工程的发展，对输变电设备的安全性和可靠性要求越

产品详细介绍上海汉标电子科技有限公司坐落于上海浦东新区康桥工业区，是一家集科研、生产、销售、服务于一体现代化的经济实体，公司专业生产BX7/BX8滑线变阻器，线饶电阻器，BP系类稳定变阻器，BC1瓷盘变阻器，各类电阻负载箱等电阻类产品，产品广泛使用于各类电力电子、航天、汽车、电气设备（电梯 /变频调速、起重机、铁路、船舶、机床、电焊机等）、通讯、电源、蓄电池、低压电器及各大、中场院校实验室。主营：BX7/BX8滑线变阻器，滑线电阻，线饶电阻器，可变电阻器，BP-300/400/500稳定变阻器，焊机负载箱，BC1瓷盘变阻器，BCW无底盘瓷盘电阻器，RXG20波纹电阻，RXG20铝壳电阻，变阻器，ZB1-ZB4板型电阻，ZX2 ZX12 ZX15 ZX9起重调速电阻器，RT RS RY RZ系类电阻器，大功率电阻箱，电阻负载箱，BX7D滑线式变阻器，滑动变阻器，交流负载箱，直流负载箱，三相负载电阻箱，发电机组负载，电池放电负载箱，放电电阻负载箱，阻性负载箱，感性负载箱，容性负载箱，交直流假负载及各类电子元器件测试负载装置,电子元器件老化车，开关电源老化车，电焊机老化测试台，节能灯老化，荧光灯老化测试，LED老化测试设备，老化电阻，测试电阻，变压器老化测试，扬声器老化测试，UPS负载测试，电源测试台，电焊机老化测试台，各类电子元器件测试台。

实验原理   巨磁电阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。   仪器概述 本实验主要内容包括对巨磁电阻GMR模拟传感器的磁电转换特性、GMR磁阻特性、GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性的测量及探究，对运用GMR模拟传感器测量电流的探究，对GMR梯度传感器的特性探究及应用，以及学习磁记录与磁读出的原理与过程。   仪器特点   独立的实验模块：A、巨磁电阻GMR基本特性测量模块；B、巨磁电阻GMR测量电流模块；C、巨磁电阻GMR梯度传感器测量齿轮的角位移模块；D、巨磁电阻GMR磁卡读写模块。   丰富的实验内容：（1）测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线。（2）测量GMR的磁阻特性曲线。（3）测量GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线。（4）测量通电螺线管的磁场分布曲线。（5）用GMR传感器测量导线电流。（6）用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解GMR转速（速度）传感器的原理。（7）通过GMR传感器实现磁卡记录与读出的原理。 便捷的数据采集接口：实验电源配置4个模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 实验1：GMR模拟传感器的磁电转换特性测量   实验2：GMR磁阻特性的测量   实验3：GMR模拟传感器测量电流   部件清单 可调直流 (恒压恒流) 电源I，12V/1A   BEM-5055 直流电压电流表I，2V/20mA   BEM-5056    巨磁电阻基本特性测量模块   BEM-5717    巨磁电阻测量电流模块   BEM-5718    巨磁电阻角位移测量模块   BEM-5719    巨磁电阻磁卡读写模块   BEM-5720    连接导线，香蕉插头，0.8米，红   BC-105084   【4】 连接导线，香蕉插头，0.8米，黑   BC-105083   【4】 连接导线，mini 八针导线   BC-105243    电源线   BC-105075   【2】 用户手册   CD-M-BEX-8511B   

"以α-BaTeMo2O9为代表的含碲的化合物是一类新型光电功能晶体，在偏光、声光、拉曼等光学领域内具有重要的应用价值。此类化合物具有透光宽，双折射大，易生长，物理化学稳定等优点，是偏光和声光器件的优选材料。 山东大学在该系列晶体生长和器件的研究方面具有独立的知识产权，可以生长出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高质量（光学均匀性≤10-5）的单晶；并在器件的制作中突破了国际上单轴晶体的限制，偏振棱镜消光比>30000:1，达到高质量冰洲石器件水平；声光调Q器件衍射效率>84%，高于同等条件下的TeO2器件。晶体生长处于世界领先水平，器件设计具有国际、国内专利，总体水平处于国际领先。该成果获得教育部自然科学二等奖，主要用于先进光学及其电学领域，如医疗、军事、激光加工、激光雷达、激光探测等。据统计，目前国内声光调制器件和偏光器件总产值约为2亿元。而现有的材料已经不能满足相应研究和产业的需求。作为新型光电功能晶体及其器件，在满足现有要求的基础上，填补了此类材料和器件在中红外波段内的国际空白。此外，独立的知识产权有利于产品推广，具有重要的社会和经济效益。 "

通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。

项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300

包含：1.5V*2电池盒(黑)，单联3档船形开关，各种色环电阻，直插式S9013三极管，高亮¢5mm红色发光二极管，K2A46台阶插座等。教学功能：完成高低电平的讲解和电平检测器的应用，对晶体三级管开关特性进行深入分析和晶体三级管开关特性在数字电路中的应用。教学应用：1、利用此示教板让学生进一步熟悉万用表电压档、电流档的使用。2、利用此示教板深入讲解晶体三级管的开关特性。3、利用此示教板引导学生共同完成书中小试验。

本发明公开了一种基于CZT变换和剪除分裂基快速傅里叶变换的三维摄像声纳波束形成方法，包括以下步骤：分别计算每个换能器接收到的声波中，与载波频率fk对应的第k个DFT变换系数；利用所得变换系数，构建矩阵C；对应方位角方向，对矩阵C的每一列，进行一维离散卷积运算，得到P×N的矩阵MD；对应仰视角方向，对矩阵MD的每一行，进行一维离散卷积运算，得到P×Q的矩阵ME；利用矩阵ME，构建矩阵MF；计算矩阵MF中每个元素的模，得到三维摄像声纳波束。本发明在FFT运算过程中识别和去除不必要的运算操作，有效降低了三维摄像声纳波束形成方法所需的运算量。