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基于数字相敏解调和虚拟电感技术的非接触式流体电阻抗测量装置
本实用新型公开了一种基于数字相敏解调和虚拟电感技术的非接触式流体电阻抗测量装置,包括绝缘测量管道、激励电极、检测电极、金属屏蔽罩、虚拟电感模块、信号处理与通讯模块以及微型计算机。信号处理与通讯模块产生特定频率的交流激励信号通过激励电极,在串联谐振状态下,利用虚拟电感模块产生的感抗消除电极与流体通过绝缘管道形成耦合电容容抗的影响,使检测电路的总阻抗等于管道内流体的等效阻抗;然后将检测信号进行数字相敏解调,获取流体电阻抗的实部信息和虚部信息。本实用新型为解决管道中流体的电阻抗测量问题提供了一种可行途径,具有传感器结构简单、非侵入、电感值可调、对管道内流体流动无影响等优点。
浙江大学 2021-04-13
负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法,该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4,M代表Cu、Ti、Sn、Al;其是以组成阳离子的氧化物为起始原料,球磨,经过多次煅烧,加入有机粘结剂造粒成型后,烧制而成,烧成片状样品后,两端面上银电极,电极烧渗后,在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料,在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学 2021-01-12
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法,所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成,其中所述 内电极材质为贱金属镍,所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果:(1)本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺;(2)本发明采用贱金属 Ni 为内电极,可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本;(3)采用传统的固相烧 结方法,端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学 2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法,所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成,其中所述 内电极材质为贱金属镍,所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果:(1)本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺;(2)本发明采用贱金属 Ni 为内电极,可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本;(3)采用传统的固相烧 结方法,端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学 2021-04-14
GZX92A绝缘电阻表检定装置 兆欧表检定装置
产品详细介绍  /////////////////////////////////////////////////////////////////////////                                                                //////////////// 深圳市世纪经典检测仪器有限公司 销售热线:15914142916 传真:0755-84812743 邮箱:186jl@163.com                                                                //////////////// ///////////////////////////////////////////////////////////////////////// 一、概述 绝缘电阻表(兆欧表)是国家强制检定计量器具,其检定规程为JJG622-89。检定装置的主要标准器为高压高阻箱和高压电压表。GZX92A型绝缘电阻表检定装置将高压高阻箱(高阻输出部分)和高压数字电压表(电压输入部分)合为一体。 检定装置中电阻输出部分的测量上限为200GΩ,标称工作电压为5kV。该装置设计有独立的泄漏屏蔽端钮和接地端钮,在测量过程中无明显不稳定及短路、开路现象。满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程和JJG166-93直流电阻器检定规程的要求。可用于各种型号的指针式绝缘电阻表的检定。 检定装置中电阻输出部分选用获得专利的滚动式高压开关,使用10万次后仍可满足检定规程的要求。其具有较长的技术寿命和机械寿命。检定装置中电压测量部分的标称测量电压为5kV,输入阻抗≥10GΩ。本装置能测量兆欧表的开路电压、中值电压和峰值电压。 二、主要技术参数 1. 电阻输出(高压高阻箱)部分 1.1 电阻输出部分的准确度等级及工作电压(电流)    阻值   100GΩ ×10GΩ ×1GΩ ×100MΩ ×10MΩ ×1MΩ 准确度等级 5 5 2 1 0.5 0.2 标称电压 5000V 5000V 5000V 5000V 2500V 1000V   阻值   ×100kΩ ×10kΩ ×1kΩ ×100Ω 准确度等级 0.2 0.2 0.2 0.2 标称电流 1mA 8mA 20mA 50mA   1.2 调节范围:100Ω~200GΩ,调节细度为100Ω 1.3 使用环境条件 1.3.1 参考温度范围:20~25℃    1.3.2 标称使用温度范围:18~28℃        1.3.3 参考湿度范围:40~60% 1.3.4 标称使用湿度范围:25~75% 1.4 电阻变差极限:在参考条件下,由单一影响量发生变化所引起的变差 影响量别   标称使用范围 允许的变差 环境温度 18~28℃ a/2 % 相对湿度 25%~75% ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a% 工作电压 (1~1/5)标称电压 ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a%   ★ a为检定装置中电阻输出部分电阻盘准确度等级(各电阻盘a值不同) 1.5 绝缘电阻:检定装置中电阻输出部分的电路与电路无电气连接的任何其它外部金属间的绝缘电阻,在标称电压下测得的电阻值不小于5TΩ。 1.6  绝缘强度:检定装置中电阻输出部分的电路与测试用参考接地点之间,应能承受频率为45~65Hz的实际正弦交流电压11kV并历时1min的试验,而不出现击穿与飞弧现象。 1.7 检定装置中电阻输出部分输出端的残余电阻应<0.1Ω,其变差<0.01Ω。 1.8 外形尺寸:442mm×270mm×145mm 1.9 重量:<5kg 2.电压测量(高压直流数字电压表)部分 2.1 测量范围:0~5500V 2.2 准确度:±(1%读数±1个字) 2.3 供电电源:DC9V 2.4 输入电阻:≥10GΩ 2.5 显示:四位半、液晶显示 2.6 峰值电压测量回路满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程中图3的要求。  
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
一种基于光子晶体高弹态法制备高质量透明制件的成形方法
本发明属于塑料加工成形技术领域,并公开了一种基于光子晶 体高弹态法制备高质量透明制件的成形方法,包括以下步骤:1)准备 材料;2)获取加工条件:利用热重分析法获得光子晶体的分解温度, 利用差示扫描量热法获得材料的玻璃化转变温度和粘流转变温度:3) 准备模具;4)加入材料;5)升温加热:升温加热使光子晶体进入高弹态, 并保温以保证光子晶体完全转化为高弹态;6)保压降温:升压使光子 晶体相互结合,然后停止加热并保压,随模
华中科技大学 2021-04-14
制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置
本发明公开了应用混合型喷嘴喷印制造有机场效应晶体管的方 法,包括以下步骤:1)喷印 Gate 极;2)喷印介电层;3)成形导电单元: 混合型喷嘴喷出的液体在接收基板上沉积形成导电单元及覆在导电单 元上的油层;4)转印;5)制造连接电极层;6)组合封装。本发明工艺简 单,在混合型喷嘴制备完成的情况下,静电纺丝工艺实现简单,对环 境要求也较低;成本低,设备成本低,同时制造过程中均只需要一定 浓度的溶液,损耗少;精度、分辨率高,不需重复定位,而且静电纺 丝所得纤维器件均在微纳尺度,集成度完全满足电路要求;
华中科技大学 2021-04-14
解析了MFN1片段在不同GTP水解状态下的晶体结构
解析了MFN1片段在不同GTP水解状态下的晶体结构,阐明了MFN1水解GTP的机制,并提出了MFN1介导线粒体外膜栓连的模型。这为进一步阐明线粒体外膜的融合机制以及线粒体形态的变化和相应生理功能的正常发挥之间的关系提供了研究基础。同时,还为研究相关神经退行性疾病和癌症的发病机制以及干预手段提供了信息。
中山大学 2021-04-13
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途: Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点,在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说,靶材是至关重要的,它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一,较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移,从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材,其性能不能满足低 TCR(≤25ppm/℃)要求。 技术原理与工艺流程简介: 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下:温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域: 集成电路、电子元器件 合作方式及条件:具体面议
天津大学 2021-04-11
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