将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面，同样可大大提高ZnO纳米片的光催化性能，结果如下图所示，这主要归因于石墨烯量子点与ZnO纳米片形成p-n结，促进光生载流子的分离效率。 此外，将 N 掺杂石墨烯量子点与 TiO2 纳米片复合，构筑高效可见光催化剂， 可

成功开发具有自主知识产权的新型浅色导电晶须，用晶须替代纳米颗粒作为基体制备导电填料加入纤维基体中，具有比导电超细颗粒更好的分散性，而且由于晶须是棒状结构，分散在纤维中可以通过搭接的方式首尾相接，更利于纤维导电。浅色导电晶须的开发研究对白色导电纤维的制备提供了理论和实践基础，葛明桥教授团队开发的白色导电纤维经检测达到 109Ώ（熔融纺丝）和 106Ώ（湿法纺丝）达到导电纤维要求，是国内导电纤维领域的一项重大突破，可提高白色导电纤维自产率，应用前景广阔。 关键技术 （1）将高速搅拌与化学共沉积法结合，制备出的浅色导电二氧化钛纳米晶须的电阻率达到了 103 Ώ•cm。 （2）将纳米晶须添加入纺丝液中，通过湿法纺丝方法制备出复合导电纤维，该种纤维的电阻达到了 106Ώ。 （3）与企业合作制备导电母粒，进而通过熔融纺丝方法制备出各种复合结构的导电纤维，该种纤维的电阻达到了 109Ώ。 知识产权及项目获奖情况 发表学术论文 9 篇；申请专利 6 项 项目成熟度 建立了 50L 的纳米晶须合成反应釜，实现产业化生产 投资期望及应用情况 目前已与部分企业合作，成功制备该导电材料并应用于化纤、纤维素等。

产品详细介绍深圳市穹明科技有限公司是一家专注于新型金属复合材料，集研发、生产、销售于一体的高新技术企业。总部位于深圳，生产基地设立于惠州，旗下品牌有穹明、龙津、深明三个系列，满足不同客户的品质需求。公司以领先的技术，优越的质量，周到的服务赢得客户的信赖。秉承着“人无我有，人有我优”的研发理念，立足于功能性、人性化、智能化产品发展路线，致力打造更加优秀、环保的新型金属复合材料。       深圳穹明科技通过ISO9001:2008国际质量认证体系，公司产品通过GB/T8624-2012防火A级，GB/T9978-2008耐火两小时检测，还通过了GB/T20247-2006吸音检测，GB/T23444-2009质量等级优等产品，GB/T19889.3-2005隔音降噪达到6级，经过GB 18514-2001检测甲醛乙苯含量合格产品，通过GJB3007A-2009和SJ/T10694-2006防静电功能检测；产品符合GB50016-2014建筑设计防火规范，符合GB50174-2008《电子信息系统机房设计规范》，符合GB50073-2013《洁净厂房设计规范》等等。荣获国家多个外观与实用新型专利证书及发明专利。       自成立以来，深圳穹明科技就树立打造百年企业，构建世界一流企业的目标，匠心独运，以工匠精神锻造自己的产品；秉承“忠诚、严谨、高效、创新”的经营理念，诚信经营，口碑相传，深得广大用户的喜爱，一直都以稳健的步伐在发展着。先后参与了：深圳地铁三号线、腾讯深汕云计算数据中心、宁夏云基地计算中心、亚马孙云计算中心、深圳世界大学生运动会、深圳T3航站楼、西藏中国银行西藏自治区分行等项目的建设，在为这些项目提供产品和服务的过程中积累了大量宝贵的经验。      深圳穹明科技产品服务范围：主要服务于国家部委、政府行政机关、银行、保险、证券等金融机构计算机中心以及高档写字楼；医院、学校、科研院所、民航、地铁等交通站场；标准化工业厂房、食品﹑制药﹑化工等厂房，专业实验室或研发中心；会展中心、运动场馆、商业街、高端会所以及星级酒店；电信、移动、联通以及国家电网。产品涉及范围广至计算机数据中心、机房中心、IDC数据中心、网络中心、监控中心、消防控制中心、公安交警110指挥中心、服务器中心、高级多功能会议厅、高端参观通道、以及隔断等诸多领域。

产品详细介绍为什么说大数据是建设未来智慧城市的核心？(下篇) 大数据驱动的智慧城市3.0五大构想 智慧城市是一个长期、不断演进的课题，为此，中兴通讯提出了智慧城市3.0的五大构想： 1、引领下一代ICT基础设施部署。首先，要加大前端智能感知设备的部署，例如智能水表、电表、路灯、垃圾桶等等，拓展城市数据来源。 2、建立大数据开放机制。智慧城市3.0要做好三件事：建立数据采集、传输、应用等环节，端对端的数据安全保障体系；在数据资源相关的规范管理方面做好立法保护工作；联合国家部委及TMF等标准组织，推进政府数据开放，交换访问接口、安全保密等共享标准的制定。 3、推动大数据的应用。依托大数据平台，一方面针对开放交易的数据，经过清洗、脱敏处理，形成标准化的数据；另一方面在政务、企业云、旅游、交通等具体应用上进行自主运营，通过画相建模、人工智能学习等进行大量的应用。 4、推进城市互联、构建智慧城市群。智慧城市3.0时代将以大数据中心为核心节点，通过跨境电商、智慧物流、智慧园区、智慧旅游等应用，加快与“一带一路”国家的数据交流，以数据流带动信息流、文化流。 5、打造大数据的生态圈。致力于加强于各行业顶尖企业的交流合作，在大数据分析领域，建立从数据源、大数据基础设施、大数据分析、大数据可视化、数据运用的大数据生态圈。 小结如果说中兴通讯智慧城市2.0建立了数据共享与交换平台，那么通过智慧城市3.0的构想，可以感觉到3.0的阶段更强调大数据的分析与应用，通过数据驱动城市智慧产业的升级。 过去，基础设施和垂直行业应用系统建设取得了一定基础，如想进一步提升整个城市的智慧化水平，就需要在积累大数据的分析处理和应用中体现更多的价值，可以预见，在智慧城市3.0时代，中兴通讯已走在了探索智慧城市大数据挖掘、分析与应用的道路上。 总结起来看，3.0时代将以大数据为核心，以大连接为基础，这个阶段强调以人为本的大数据运营。中兴通讯相信，它可以解决城市发展过程中面临的深层次问题，从而实现城市智慧式管理和运行，促进城市的和谐和可持续成长。案例推荐：宁夏西部云基地采用世界领先的环保节能技术，建设世界一流的绿色环保数据中心基地，整个基地的钢结构数据中心与地域气候的结合，再加上穹明科技的金属复合墙板，完美的拼接构成提供数据中心机房的完美框架，使PUE值达到1.1，成为目前国内唯一的全自然冷源数据中心，大大降低了二氧化碳和热空气的排放，真正实现了节能高效、绿色环保。了解详情请点击下面链接：http://weibo.com/ttarticle/p/show?id=2309403973185648393814

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).