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原位合成AlN/Al电子封装材料技术
西安科技大学自2007年开始就对电子封装材料制备技术开始研究，目前已经开发出AlN/Al、SiC/Al系列电子封装材料制备技术。涉及原位合成、无压浸渗、热压烧结等多种制备方法。本项成果为一种原位合成AlN/Al电子封装材料技术，目前此项技术已获批国家发明专利1项。
西安科技大学
2021-04-11
钼酸铜纳米棒复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种钼酸铜纳米棒复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明钼酸铜纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸铜纳米棒65‑80％、聚丙乙烯5‑7％、聚苯乙烯5‑7％、烷基聚氧乙烯醚0.05‑0.5％、乙酰丙酮钛3‑8％、聚乙烯蜡3‑7％、水3‑6％，钼酸铜纳米棒的直径为25‑100nm、长度为0.5‑3μm。本发明提供的钼酸铜纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数低、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
铝酸铈纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种铝酸铈纳米棒电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明铝酸铈纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铝酸铈纳米棒65‑80％、聚乙二醇3‑6％、聚丙乙烯3‑6％、木质素磺酸钠0.05‑0.5％、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3‑8％、乙烯‑四氟乙烯共聚物10‑15％，铝酸铈纳米棒的直径为30‑100nm、长度为1‑2μm。本发明提供的铝酸铈纳米棒电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13
电子封装用铝基复合材料
电子封装用铝基复合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等复合材料。它们采用专利挤压铸造方法制备，该工艺生产成本低、设备投资少、制成的材料致密度高，且对增强体和基体合金几乎没有选择，便于进行材料设计。“金属基复合材料工程技术研究所”在这一工艺上拥有多项发明专利，技术成熟，并具有独立开发新型材料的能力。 本电子封装材料具有低膨胀、高导热、机械强度高等优点，可以与Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持热匹配。与目前常用的W/Cu、Mo/Cu复合材料相比，导热性、热膨胀性能相
哈尔滨工业大学
2021-04-14
锡酸锑纳米线复合电子封装材料
简介：本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锑纳米线65‑80％、聚乙烯醇3‑5％、聚苯乙烯3‑5％、丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐共聚物0.05‑0.5％、异丙醇铝3‑6％、聚偏氟乙烯7‑14％、水3‑5％，锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20‑30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-13
电子封装用高性能陶瓷电路板
【技术背景】
电子封装是将构成半导体器件的各个部件（芯片、基板和导线等）按规定要求合理布置，通过贴片、打线与焊接等工艺，达到保护芯片，实现器件功能的目的。随着芯片功率的不断增加和封装集成度的不断提高，散热成为影响器件性能与可靠性的关键。对于半导体器件而言，通常温度每升高10℃，器件有效寿命降低30-50%。由于芯片一般贴装在封装基板（又称电路板、线路板）上，因此，基板除具备基本的机械支撑与布线（电互连）功能外，还要求具有较高的导热、耐热、绝缘、耐压能力与热匹配性能。目前常用封装基板主要分为树脂基板（印刷线路板、PCB）、金属基板（MCPCB）和陶瓷基板。其中，陶瓷基板由于具有热导率高、耐热性好、高绝缘、耐腐蚀、抗辐射等技术优势，广泛应用于功率半导体和高温电子器件封装。
【痛点问题】
目前市场上常见的陶瓷基板（主要包括厚膜印刷陶瓷基板TPC、直接键合陶瓷基板DBC和活性金属焊接陶瓷基板AMB等）制备工艺温度高、线路层图形精度差、难以实现垂直互连，无法满足电子器件小型化、集成化封装需求。特别是随着半导体照明（LED）、激光器（LD&VCSEL）、第三代半导体、5G通信等技术发展，对陶瓷基板性能提出了新挑战。
【解决方案】
本成果开发了电镀陶瓷基板（DPC）制备技术。由于采用半导体微加工技术，DPC陶瓷基板具有导热/耐热性好、图形精度高、可垂直互连、材料与工艺兼容性好等技术优势，广泛应用于各种功率半导体器件（如大功率LED、激光器LD、电力电子MOSFET等）和高温电子器件，替代进口，满足功率器件低热阻、小型化、集成化封装需求。特别是在近期新冠病毒疫情防控上，采用DPC基板封装的深紫外LED消毒器件发挥了巨大作用（具有高效、广谱、非接触、环保、轻巧等优势）。
华中科技大学
2021-11-16
一种钼酸锂纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65‑80％、聚乙烯醇8‑12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、异丙醇铝4‑8％、微晶石蜡4‑8％、水3‑7％，钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
高性能电子封装材料用联苯型环氧树脂
1、 成果简介：（500字以内）环氧模塑料作为微电子封装材料，以其低廉的成本、高性能化和可靠性等特点，已成为最重要的封装材料。目前，95 %以上的集成电路都用环氧模塑料进行封装。近年来，环氧树脂封装模塑料紧随超高集成电路的快速发展，新品种虽然不断地涌现，也面临着前所未有的挑战。耐高温、低吸水率一直是高性能环氧模塑料的发展方向。我们开发的联苯型环氧树脂是高耐热性、低吸潮性、低应力环氧树脂的一个典型代表。在环氧树脂骨架中引入联苯基团，一方面可以提高其耐热性;另一方面可以减小自由体
吉林大学
2021-04-14
一种铋酸钡纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种铋酸钡纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明铋酸钡纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸钡纳米棒65-80%、聚苯乙烯10-15%、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5%、三甲氧基硅烷5-10%、聚乙烯蜡4-10%。本发明提供的电子封装材料使用铋酸钡纳米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蜡作为原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
电力电子器件封装和状态监测解决方案
围绕该成果共发表或录用论文70余篇，其中SCI收录论文36篇，EI收录期刊论文20篇(一级学报论文17篇),授权发明专利21项
1、针对器件测量，研制了多个测量平台，覆盖器件的静、动态特性测量以及器件的封装绝缘特性测试和器件可靠性及坚固性测试。
2、针对器件电热状态监测的不同应用场景，提出了多个解决方法。包括模块内部电流监测方法、高温模块集成的电流监测方法、器件内并联芯片结温检测方法以及考虑寄生参数的结温监测方法。
3、针对器件封装的关键问题，提出了对应的解决方案。包括：对压接型器件，提出了优化电流均衡的解决方案；对碳化硅器件，提出了瞬态电流均衡的聚类筛选方法；对碳化硅模块，提出了扁平化分裂引出式分组封装方法。
创新点
1、器件测量平台寄生参数优化，各平台具有宽温度范围和高电流等级。其中动态特性测试平台具有国内领先国际先进的高电压范围。绝缘特性测试平台具备热刺激去极化电流测量功能，可表征绝缘材料微观参数。
2、提出模块内非圆形 PCB 罗氏线圈的绕线方法，实现了更准确的模块内部电流测量。研制了 LTCC 材料高温电流传感器，实现了高温模块集成的电流监测。提出时序温敏电参数法，实现了压接器件内每颗芯片结温分布的测量。建立了动态温敏电参数测量和结温在线监测方案，修正了寄生参数的影响，实现了碳化硅器件结温的在线监测。
3、针对压接型功率器件，提出凸台刻槽的方法，均衡凸台寄生参数，在没有牺牲空间利用率的前提下大大降低了电流不均衡性。针对碳化硅器件，提出了转移曲线距离系数的层次聚类分选方法，经筛选过后的器件在并联工作时，有效降低了瞬态电流不均衡度。针对碳化硅器件模块，在传统封装工艺基础上进行封装改进设计，优化 DBC 与芯片布局，改变端子结构，显著降低了模块寄生电感。
华北电力大学
2025-06-27