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“ KV/MV” 同源双束医用 IGRT 加速器
1 成果简介放射治疗是主要肿瘤治疗手段之一。我国目前每年有共计约 200 万肿瘤患者需要接受放射治疗,目前国内装备的直线加速器只能满足其中约五分之一左右的需求。据专家估计现在全国每年新增的医用直线加速器数量应该近 150 台,年均增长率近 15%左右。目前国内的放射治疗直线加速器市场尤其是中高端市场基本被三家跨国公司瓦里安、医科达和西门子所占据, 100%的中高端以及 60%以上的低端市场都被国外公司占据。 现代放射治疗需要影像引导,医用加速器与影像设备一体化是革命性发展方向。近年来,影像技术和计算机控制技术有了长足的发展,国外发展了称之为影像引导放疗( ImageGuided Radiation Therapy, IGRT)的技术和设备。医科达的 Synergy以及瓦里安的 OBI等 IGRT加速器一经推出,就迅速普及推广。 但是,目前国际上放疗加速器厂商的 IGRT 设备,都分别存在各自技术缺陷。医科达的Synergy 以及瓦里安的 OBI(图 1 右下),都是使用 MV 级射线治疗,同时,与治疗射线束轴 90 度方向另加一套 KV 级 X 射线影像系统的方式来实现 IGRT。这种结构除了增加制造成本外,非同源影像所反映的治疗靶区运动变化情况也有先天的致命缺陷,无法保证治疗空间坐标和成像空间坐标的一致性,带来治疗误差;西门子的 MVision(图 1 左上) 以及Tomotherapy 公司的 Hi-Art 则利用治疗用的 MV 级射线成像,解决了同源问题,但由于 MV级射线能量高,无法得到高质量图像。“ 同源” 结构, KV 级射线的影像,成了几家主要厂商的无奈取舍,“ KV/MV 同源双束” 加速管技术就是解决以上问题的完美组合。各厂家近十年来均非常重视“ KV/MV 同源双束” 加速管技术的研发。  图 1 几种 IGRT 技术的对比 清华大学 2006 年 12 月承担了十一五科技支撑计划 “ 放射治疗及与影像定位一体化装置的研制” 课题,经过两年多的攻关,发明了国内外尚没有的“ KV/MV 同源双束” 加速管,并制造出能稳定出束,快速切换高能和低能的“ KV/MV 同源双束” 加速管,高能 6MV,低能达 500KV,其他指标亦完全符合设计要求,并研制出“ KV/MV 同源双束” IGRT 加速器样机。 2009 年该课题通过科技部、卫生部验收。2 技术指标3 应用说明本设备可以在病人每个射野照射治疗前进行 KV 级图像配准,验证位置误差,实现精确放疗。由于同源,定位便捷精确, KV 级影像带来的高质量影像,也完全满足位置验证的需求。该设备应用于我国千余家放疗单位(医院),还可出口海外。4 效益分析国外IGRT加速器售价在 1000~2000万元/台,本设备成本约 200万元,预计售价500~1000万元,预计年销售 30~50 台,年销售额约 3 亿( 2008 年 Varian 公司全球放疗销售额 17 亿美元)。技术创新、自主知识产权的国产医用 IGRT 加速器产业化成功,不仅可以改变我国中高端医用加速器长期依赖进口的局面,还可出口海外市场,其经济、社会效益极大, 推广前景广阔。5 合作方式清华大学目前正进行产品化工作,寻求战略投资及合作伙伴。
清华大学 2021-04-13
脑干脑神经核传导束XM-655
XM-655脑干脑神经核传导束   XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成,显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。 尺寸:放大 材质:优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-655脑干脑神经核传导束
XM-655脑干脑神经核传导束   XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成,显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。 尺寸:放大 材质:优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置
本发明提供一种超高频RFID电子标签的读取方法及装置,包括:根据输出功率大于最大输出功率,获知根据频率增量增加工作频率,获得当前工作频率;在当前工作频率下,根据功率增量逐步从最小输出功率增加输出功率直至大于最大输出功率,每次增加输出功率前,读取与当前工作频率一致的目标标签。本发明通过动态调整工作频率与输出功率,遍历读取处于不同工作频率、位于不同距离的所有超高频RFID电子标签,大大提升了超高频RFID读写装置的应用范围。
中国农业大学 2021-04-11
“电力电子高可靠性关键技术及其产业化”项目
世界上70%以上电能通过电力电子技术进行变换与控制,提高电力电子运行可靠性具有重要意义。本项目拟从故障预诊断与健康管理的新角度,研发一系列电力电子高可靠性关键技术。主要研究内容包括:基于“端部特性”的变流器IGBT模块故障预诊断技术、IGBT功率模块结温监测技术、变流器自检测试技术以及基于开关降频的变流器延寿运行技术等。在此基础上,进一步研发具有实用价值的变流器IGBT模块故障预诊断仪以及结温测量仪(包括离线检测式与在线监测式),并积极与企业合作进行工程应用于推广。 作为近年来发展起来的高新技术,世界上目前尚无具备电力电子故障预诊断与健康管理功能的商业技术与产品。随着电力电子的迅速发展与广泛应用,市场迫切需要一系列能安全、有效、经济提高电力电子可靠性的技术与产品,因此本项目的研发工作具有广阔的市场前景。 项目组在前期工作基础上正积极需求企业合作,开展相关技术的工程应用与推广工作。目前正与英飞凌公司以及中石化茂名分公司洽谈技术合作,具体拟定的项目为:"变流器IGBT功率模块结温在线测量技术研究", 英飞凌公司, 项目计划实施时间2016.1-2016.12;"高压变频器健康状态检测与评估", 中国石化茂名分公司, 项目计划实施时间2016.3-2017.2。 英飞凌公司是目前世界上电力电子器件最大的制造商,它们的产品广泛应用于航空航天、驱动牵引、冶金机械传动、输配电系统、新能源发电等领域。为提高英飞凌电力电子产品的运行可靠性,英飞凌公司将资助我们研发变流器IGBT功率模块结温测量技术。目前双方已确定技术合同附件,正进入立项流程中。 中石化茂名分公司是我国最大炼油和石化产品生产基地之一,拥有大量高压变频器等电力电子设备。为进一步确保生产安全,他们希望同济大学项目组能在变频器设备停运期间开展健康状态检测与评估工作,为设备后期运行与维护提供科学依据。目前该项目已基本确定检测方案。
同济大学 2021-04-11
一种基于电子信息技术的自动测试设备
成果描述:本实用新型公开了基于电子信息技术的自动测试设备,包括第一壳体,所述第一壳体的顶部安装有第二壳体,且第一壳体和第二壳体为长方体结构,第一壳体和第二壳体的侧边之间安装有密封件,且密封件环绕在第一壳体和第二壳体之间,所述密封件的横截面呈E形,且密封件插接在第一壳体和第二壳体的侧边上,所述第二壳体的顶部安装有温度计,且温度计的探针插入第二壳体的内部,第二壳体的顶部嵌装有显示屏和键盘,第一壳体的底部插接有散热翅片,且散热翅片插入第一壳体的内部,所述散热翅片的侧边设有通孔,且通孔位于第一壳体的外部。本实用新型散热效果好,同时避免了由灰尘和湿气带来的干扰,测试更加准确,提高了元器件的寿命。市场前景分析:本实用新型散热效果好,同时避免了由灰尘和湿气带来的干扰,测试更加准确,提高了元器件的寿命。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
西安智多晶微电子有限公司研发高端FPGA设计制造技术
西安智多晶微电子有限公司,成立于2012年,总部位于西安,北京设立有EDA软件研究中心。创始团队拥有三十多年丰富的FPGA设计制造经验,曾就职于海外该领域领先企业,并担任多个专业方向技术带头人。核心团队来自于国内各知名院校和优秀的FPGA研发团队,是国内目前集硬软件设计、生产、销售最具竞争力的高科技企业。公司专注可编程逻辑电路器件技术的研发,并为系统制造商提供高集成度、高性价比的可编程逻辑器件、可编程逻辑器件IP核、相关软件设计工具以及系统解决方案。赋能产业,“芯”系未来,是智多晶的奋斗愿景,团队致力于在LED驱动、视频监控、图像处理、工业控制、4G/5G通信网络、数据中心等各行业应用充分发挥FPGA的方案优势,以市场和客户为导向,帮助合作伙伴提升其核心竞争力。公司目前已实现55nm、40nm工艺中密度FPGA的量产,并针对性推出了内嵌Flash、SDRAM等集成化方案产品,截至2018年已批量发货2KK片。通过严谨科学的设计,360度围绕客户的技术支持及服务,以及贯穿全流程的高标准测试管理,我们正在为更多的行业合作伙伴提供最符合需求的高性价比FPGA整体解决方案。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
清华大学 2021-04-10
一种电子节气门控制系统的控制方法
本发明提供一种电子节气门控制系统的控制方法,包括油门踏板预测单元、阻力分析单元、特性分析单元、电机驱动缓存单元以及节气门控制单元,其所提供的电子节气门系统包括了两种工作模式,其在预测模式下,可以利用预设的多层神经网络模型,根据车手开始踩踏板的初始位置以及初始加速度,对踏板最终的位置进行预测,并且根据油门踏板的预测终止位置对节气门进行控制,可以有效减少节气门控制时间,从而减少加减速过程中的时间延迟。
东南大学 2021-04-11
第58•59届中国高等教育博览会电子参观指南
第58•59届中国高等教育博览会电子参观指南
中国高等教育博览会 2023-03-03
构建NiTe纳米阵列的界面电子结构调控助力电催化氧析出
通过构建有效的纳米界面来调控催化剂的电子结构,设计制备出高效廉价的氧析出反应异质结电催化剂,并结合实验结果和理论计算对界面调控催化性质的机制进行了研究。他们首先以泡沫镍为基底,通过直接化学刻蚀的方法制备出泡沫镍负载的“十字柱”型的NiTe纳米阵列。进一步通过离子交换反应在NiTe表面修饰NiS纳米颗粒来调控NiTe的电子结构, 制备出NiTe/NiS 异质结催化剂。NiTe/NiS异质结催化剂中NiS和NiTe之间强的电子相互作用能够触发电子从“Ni”向“S”转移,从而有效调控催化中心“Ni”的电子结构,使得Ni的“d带中心”左移,从而优化Ni对活性中间体的吸附,降低了OER反应所需的能量,大大提高催化活性,仅需要257mV 的过电位就可实现100mA cm-2的电流密度。这项工作为理解电催化剂的结构-活性关系和开发高效的电催化剂提供了新的思路。
中山大学 2021-04-13
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