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残余应力原位高能声束调控系统
残余应力原位高能声束调控系统通过高能声束耦合模式能够实现对任意曲面固体材料内残余应力的进行消减,具有单通道和多通道阵列消减模式,利用高能弹性波的能量改变残余应力势能场,从而达到消减和调控残余应力集中区域的目的。
北京理工大学 2021-02-01
汽车线束工艺开发系统软件
成果简介:汽车线束是汽车电路、电信号控制的载体,素 有汽车神经之称。每辆汽车中平均需要 65 套线束,市场需求量 超过 10000 万套。汽车线束企业虽已普遍采用 CAD 软件,但工 艺流程仍是人工设计,迫切需要一种有效的工艺设计与信息管 理系统,提高工艺设计效率和质量。 主要功能包括:辅助线束工艺设计人员完成标准模板图和 排线图的绘制,内联工艺卡和预装工艺卡的设计,自动生成下
合肥工业大学 2021-04-14
一种光功率分束器
本发明公开了一种光功率分束器,包括衬底以及在衬底上自下 而上依次排列的包层、下导波层和上导波层;上导波层为图形层,沿 水平面上向右方向依次刻蚀有输入波导、准直透镜、光束整形透镜组、 相移光栅、傅里叶变换透镜、第一相位补偿结构、直流分量相移器、 第二相位补偿结构和输出波导阵列;其中,准直透镜、光束整形透镜 组、相移光栅、傅里叶变换透镜、第一相位补偿结构、直流分量相移 器和第二相位补偿结构的厚度相同;输入波导和输出波导阵
华中科技大学 2021-04-14
一种多光束分束器
本发明公开了一种多光束分束器,其特征在于,所述多光束分 束器为柱状光波导,所述光波导的横截面为等边多边形,边数为 L; 工作时,待分束的光束与光波导的主轴呈锐角,从光波导的一端入射, 入射后的光束在所述光波导内经光波导不同的侧面多次全部反射,最 终均匀分成多束子光束从光波导另一端出射。本发明提供的多光束分 束器,结构简单,分束均匀,尤其是能实现奇数份均匀分束,光损耗 小,可实现分光器复用,并可应用于光通信、光检测等领
华中科技大学 2021-04-14
一种多光束分束器
本发明公开了一种多光束分束器,其特征在于,所述多光束分 束器为柱状光波导,所述光波导的横截面为等边多边形,边数为 L; 工作时,待分束的光束与光波导的主轴呈锐角,从光波导的一端入射, 入射后的光束在所述光波导内经光波导不同的侧面多次全部反射,最 终均匀分成多束子光束从光波导另一端出射。本发明提供的多光束分 束器,结构简单,分束均匀,尤其是能实现奇数份均匀分束,光损耗 小,可实现分光器复用,并可应用于光通信、光检测等领
华中科技大学 2021-04-14
XM-655A锥体系传导束模型
XM-655A锥体系传导束模型   XM-655A锥体系传导束模型包括皮质脊髓束和皮质延髓束,前者以深红色表示,后者以粉红色表示,神经核用彩色球表示,传导束用铁丝表示,主要显示它们的起止经过和联系。 尺寸:放大,50×23×73cm 材质:铁丝+塑料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
东南大学分析测试中心聚焦离子束双束系统采购公开招标公告
东南大学分析测试中心聚焦离子束双束系统采购 招标项目的潜在投标人应在微信公众号“苏美达达天下”获取招标文件,并于2022年06月16日 14点00分(北京时间)前递交投标文件。
东南大学 2022-05-27
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的标签检测设备
成果描述:本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析:本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
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