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供应屏蔽机房烟雾报警器,高温烟雾报警器价
产品详细介绍供应屏蔽机房烟雾报警器,高温烟雾报警器价格,常闭烟雾报警器厂家名称:点型光电式烟雾探测器型号:SN-828-2PL(联网型)  生产厂家:世宁科技烟雾探测器,适用于酒店、库房、宾馆、餐厅、旅社、工厂、等公共场所。当探测到空气中的烟雾达到一定的浓度时,立即发出报警信号,有效预防火灾,避免生命的损失,财产损耗。 性能稳定的酒店、超市专用火灾烟雾报警器,酒店消防报警装置价格功能特点:1、采用微处理器控制2、自动复位/断电复位可选3、红外光电传感器4、联网输出N.C. / N.O.可选5、LED指示报警6、金属屏蔽罩,抗电磁干扰7、环境适应性强  8、SMT工艺制造, 稳定性强 9、防尘、防虫、抗白光干扰设计技术参数:   工作电压:DC9-35V    静态电流:≤2mA   报警电流:≤10mA    工作温度:-10℃~+50℃    工作湿度:≤95%RH    报警方式:联网输出 / LED指示报警    监测面积:20平方米   灵敏度等级:1级   报警输出:继电器输出(常开、常闭可选)    外形尺寸:Φ104*51mm不用担心,有世宁科技, 一切都是那么简单。我公司同时大量供应门磁窗磁,烟雾报警器,燃气报警器,红外探测器,个人防护用品,商用防盗报警器材,工程建筑类报警主机,总线制主机及相关配件家用防盗报警器。销售经理: 刘生 15013775514/0755-89206127 商务Q 272820915供应屏蔽机房烟雾报警器,高温烟雾报警器价格,常闭烟雾报警器厂家
深圳市世宁科技有限公司销售一部 2021-08-23
包头燃气泄漏报警器,银川燃气报警器厂家,
产品详细介绍包头燃气泄漏报警器,银川燃气报警器厂家,西宁燃气报警器价格产品名称:燃气探测器产品型号:Sn-838-2U产品类型:燃气探测器系列产品规格:标准 探测器工作电压为直流供电。报警后可输出一对继电器无源触点信号(常开、常闭可跳线设置), 用于控制通风换气设备或为其它设备提供常开或常闭报警触点。煤气报警器款式繁多,具体的安装需跟技术人员沟通进行选择,咨询电话: 刘生 15013775514/0755-89206127 商务Q 272820915功能特点: 1、自动复位 2、采用微处理器控制 3、高可靠性传感器  4、故障自动检测指示  5、探测天然气、液化石油气  6、SMT工艺制造, 稳定性强技术参数:感应气体 : 可燃气体(天然气、液化石油气、煤气等)工作电压:AC220V  消耗功率:≤2W 工作温度:-10℃~+50℃  工作湿度:≤95%RH  报警方式:联网输出 /声光报警  报警声压:≥70dB/m  报警浓度:10%LEL  报警浓度误差:±5%LEL  报警输出:继电器输出(常闭 ) 外形尺寸: 110*70*40mm售后服务:三个月内有质量问题包退换,一年内包修,终身维修安装位置:燃气探测器应安装在泄漏气体最易聚集的地方或必经之路上,离气源小于3米。煤气、天然气用户:距顶棚0.3米左右。液化气用户:距地面0.3米左右。不要将报警器安装在厨房或燃气具的上方,燃烧废气和炒菜产生的油烟会使器频繁报警加速老化。燃气探测器:天燃气和液化石油气达到报警浓度:0.1~0.3%,煤气浓度达到报警0.1~0.5%.包头燃气泄漏报警器,银川燃气报警器厂家,西宁燃气报警器价格
深圳市世宁科技有限公司销售一部 2021-08-23
HD-SDI转HDMI转换器、转AV转换器
产品详细介绍HD-SDI转HDMI/AV转换器产品介绍MSTAV101HD-SDI转AV/HDMI转换器可以将HD-SDI信号转换成高清多媒体HDMI信号和复合视频AV(CVBS)信号。同时会将SDI所带音频信号分离转换后嵌入到HDMI信号中,以实现声音及图像同步传输。该设备还具有本地环出功能,用户可以在本地监控摄像头的情况。产品优势全硬件转换处理,具有图像清晰度高,画质好;无需要软件支持,使用简单,即插即用。传输距离百通1694A:SD-SDI400米,HD-SDI200M,3G-SDI140M。带HD-SDI接口信号环出,方便本地监控使用同时可以转换成AV或HDMI信号,方便选择使用产品参数视频输入:SD/HD/3G-SDI(自适应)视频输出:HDMI数字信号,SD/HD/3G-SDI 、AV(CVBS)支持格式:SD:  525i @ 59.94Hz, 625i @ 50HzHD:  720p @ 23.98Hz / 24Hz / 25Hz / 29.97Hz / 30Hz,720p @ 50Hz / 59.94Hz / 60Hz1080i @ 50Hz / 59. 94Hz / 60Hz,1080p @ 23.98Hz / 24Hz / 25Hz / 29.97Hz / 30Hz3G:  1080p @ 50Hz / 59.94Hz / 60Hz视频带宽:2.970Gbps支持SMPTE 425M(A级和B级),SMPTE424M,SMPTE292M,SMPTE259M-C。输入电源:DC12V/250mA温    度:-20°C~+60°C湿    度: 0~80%
上海熙昂电子科技有限公司 2021-08-23
亮度传感器,光亮度变送器,辉度传感器
产品详细介绍照度传感器产品介绍 产品介绍  GZD系统光照度变送器采用对弱光也有较高灵敏度的硅兰光伏探测器作为传感器;具有测量范围宽、线形度好、防水性能好、使用方便、便于安装、传输距离远等特点,适用于各种场所,尤其适用于农业大棚、城市照明等场所。根据不同的测量场所,配合不同的量程,线性度好、  防水性能好 、可靠性高、  结构美观、安装使用方便、抗干扰能力强。 使用标准 1个单位的照度大约为1个烛光在1米距离的光亮度。 夏日晴天强光下照度为10万 Lux(3~30万Lux); 阴天光照度为1万 Lux; 日出、日落光照强度为    300~400Lux; 室内日光灯照度为         30~50Lux; 夜里                    0.3~0.03 Lux(明亮月光下); 0.003~0.0007 Lux(阴暗的夜晚) 以上参数公供参考   技术参数:   供电电压:          12VDC~30VDC 感光体:         带滤光片的硅蓝光伏探测器; 波长测量范围:         380nm~730nm;   准 确 度:                   ±7% 重复测试:                  ±5%; 温度特性:                 ±0.5%/℃;   测量范围:                0~200000Lux   输出形式:           二线制4~20mA电流输出 三线制0~5V电压输出 液晶显示输出 232/485网络输出   使用环境:           0℃~40℃、0%RH~70%RH(带液晶); 0℃~70℃、0%RH~70%RH(不带液晶) 大气压力: 80~110kPa 联系我们: 电话: (010)57167501/7502 网址:   www.diysensor.com 手机:  13488682012 Q Q:     335363231 地址:北京市朝阳区奥运9#院  
北京无线联科技有限公司 2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的标签检测设备
成果描述:本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析:本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的自动冲模装置
成果描述:本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析:本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件,应用磁流体的热磁对流效应,把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2.温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3.磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术,提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展,达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明,散热效果好,能达到电子器件冷却要求,满足工业生产的需求,在生产过程中无污染,无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中,具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院 2021-04-11
三维光电子集成研究上的重要进展
近几年,硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前,解决的办法之一是引入光子学器件,部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件,这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力,同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战,是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作,提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统,该系统与现有的COMS制备工艺兼容,可以实现光子学和电子学的三维集成和互联,为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路,包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括:1. 使用低温COMS兼容制备工艺,可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统;2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺,使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容;3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近,便于集成;4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段,这是硅材料无法做到的;5. 光电探测器工作于光伏模式,可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成,可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能,同时,有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献:Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).
北京大学 2021-04-11
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