人工智能技术飞速发展,我国大体上能够与世界先进国家发展同步。我国拥有自主知识产权的文字识别、语音识别、中文信息处理、智能监控、生物特征识别、工业机器人、服务机器人、无人驾驶汽车等很多智能科技成果已进入市场,但是9%以上是软件、算法产品，在人工智能神经网络芯片研发方向上,我国又是落后于美国5-10年左右，可以预见的是,将来我国的人工智能神经网络硬件又将进口大量的IBM、Google、NVIDA、Braodcom等公司的产品,遵循的标准又将按美国的标准,在市场上处于弱势地位。

近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护等显著优点,所以在国际上被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。随着其价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。业界普遍认为,半导体灯取代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。而半导体发光二极管（Light Emitting Diode , 简称LED）被认为是最有可能进入普通照明领域的一种绿色照明光源，按固体发光物理学原理,LED发光效率能近似100 % ,并具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、响应时间极短、光色纯、抗冲击、性能稳定可靠及成本低等优点,因此被誉为21 世纪新光源,有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。虽然LED具有以上的很多优点，但是发光效率和使用寿命仍是制约其普及应用的主要因素。 目前国内大多致力于LED外部封装结构的研究，而公司里多采用进口芯片，如cree芯片，再在现有基础上进行外部封装结构和设计。而即便是散热好，寿命长，取光效率比较好的封装结构，国内所能达到的水平也就是刚刚超出100lm/w。主要原因在于其封装材料的选择和封装结构的不合理性，浪费了芯片的出射光，从而降低了取光效率。而国外LED不仅在外部封装结构，而且在芯片方向都明显优于国内水平，所以基本垄断国内LED的市场，尤其对于功率型白光LED的垄断相当严重。而这些高亮度半导体LED芯片生产技术掌握在以美国Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及欧洲的Osram等为首的少数大公司手中。 现在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场,其光效需要达到150lm/ W。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED 的量子效率,同时还要求在LED 的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界（环氧树脂）的界面反射。本产品是通过特殊镀膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用寿命，达到2万小时以上，而且可以使发光效率达到120lm/w到160lm/w。拥有这样长寿命和高出光效率的白光LED，必将引领整个照明市场，必将产生丰厚的利润，具有非常好的发展前景。

本项目中的视频模拟前端（AFE）芯片是一个完整的200MSPS、10位单片模拟视频接口芯片，用于将YPbPr或RGB计算机视频等格式的模拟视频信号转换为数字视频信号。芯片可支持高达1080p的HDTV电视，以及高达1600X1200的UXGA计算机视频。 芯

现阶段牛津纳米孔公司所开发的MinIon测序仪尚存在若干内在缺陷，如单次使用成本极高，单次检测正确率低，检测通量小，检测速度慢等天然缺陷。在这个意义上，我国科研工作者尚存实现自主知识产权并超越国外同行的机会

南开大学在天津市科技发展计划科技攻关项目《建立和应用肿瘤转移相关基因生物芯片筛选抗肿瘤转移药物的研究》的资助下，进行了肿瘤转移相关基因生物芯片的研究，在设计探针后，完成制备了含有213个肿瘤转移相关基因的基因芯片。申请国家发明专利：乳腺癌转移相关基因基因芯片的建立及其建立方法，专利（申请）号：20061013107.3（已公示）。 应用上述基因芯片所进行的大量的研究工作，表明该基因芯片有很好的应用前景。由于该基因芯片的成本低于全基因组芯片，有利于大量推广使用。与科研机构、医院和药厂等

南开大学在天津市科技发展计划科技攻关项目《建立和应用肿瘤转移相关基因生物芯片筛选抗肿瘤转移药物的研究》的资助下，进行了肿瘤转移相关基因生物芯片的研究，在设计探针后，完成制备了含有 213 个肿瘤转移相关基因的基因芯片。 应用上述基因芯片所进行的大量的研究工作，表明该基因芯片有很好的应用前景。由于该基因芯片的成本低于全基因组芯片，有利于大量推广使用。与科研机构、医院和药厂等相关企业合作，大量制备该基因芯片，实现产业化，投放市场使用，可实现良好的社会和经济效益。 应用价值： 基础研究：可应用该基因芯片进行肿瘤转移分子机制的基础研究，筛选与肿瘤转移相关的信号传导途径。 应用研究：可应用该基因芯片筛选抗肿瘤转移的药物；在临床上对切除的肿瘤组织进行检测，进行原代细胞培养的基础上检测对不同化疗药物的敏感性，为临床治疗方案提供依据。

动态电压恢复器（DVR）的串联补偿装置已经得以应用，其良好的动态性能和很高的性价比使得它成为治理动态电压问题，特别是电压骤降/骤升的最经济、最有效的手段。相比于传统电压源型逆变器式结构的动态电压恢复器（DVR），AC-AC变换器式DVR无需直流储能单元能量可以双向流动、功率因数高，谐波含量低、动态响应速度快、易集成等优势。本发明提出了一种基于Quasi-Z-Source AC-AC变流器的动态电压恢复器（DVR）及其智能控制方法。该动态电压恢复器（DVR）串联在电网公共耦合点与负载之间，由若干个Quasi-Z-Source AC-AC变流器和隔离变压器组成。Quasi-Z-Source AC-AC变流器既可以升压也可以降压，其输出电压既可以和输入电压同相也可以和输入电压反相。基于以上独特特性，本发明采用单相补偿、双相补偿、三相补偿的智能控制方法通过注入相应的补偿电压达到补偿电网电压骤降/骤升的目的。

本装置是智能电网中电能质量控制关键设备之一。电能质量问题大多可以归结为电压质量问题，特别是公共结点(PCC)的电压质量问题。电网电压存在的各种干扰，如电压暂升、暂降、过压、欠压、谐波、瞬变等，将导致一些重要负荷或对电压质量敏感的设备不能正常使用、性能降低、寿命缩短，还会造成一些生产设备无法工作、甚至损坏，严重的电压质量问题还可能造成重大事故。

JO408型直流伏特计供学校学生在实验中测量直流电路中电压。 Model JO408 DC voltmeter is suitable for students to measure the voltage in a DC ciruit in laboratory

产品详细介绍JKZC-G2/3/6系列非接触式静电电压表校准装置关键词：非接触式，静电，静电装置1. 概述    随着工业技术特别是信息产业发展，静电对各部门的影响越来越大，静电电压表和静电场强表使用越来越多，对静电进行定期计量校准、标定检定是确保静电防护的基本条件。   JKZC-G系列静电电压表计量装置能迅速准确计量校准、标定检定目前国内外大部分的静电电压表和静电场强表.。标准型主要适用于电子、航天、兵器、国防等与电子元器件、电子设备相关的行业。高压型非接触式静电电压表主要适用于石油、化工、油库、消防、天燃气、印刷、纺织、印染、橡胶、塑料、生产、储运安全管理部门中有关静电电压表的校准。可以校对正和负极双极性静电电压表校对装置，完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》要求。二、符合：完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》；符合标准：JJF 1517-2015非接触式静电电压测量仪校准JJF 1517-2015三、产品特点：1.既可校准接触式静电电压表，也可校准计量非接触式静电电压表；2.完全符合国家军用标准GJB《非接触式静电电压表校准规程》；3.即可校准静电电压，也可校准静电场强；4.数字显示，分辨率高，分辨率和准确度高 ；5.稳定性好，体积小、重量轻；6.从0起连续可调，计量范围宽； 7.多重保护、操作安全放心；8.多功能夹具，可夹圆形或方形及平面的静电电压表、场强表的探头；9.全套包括静电标准源、标准电极、定位支架及直流高压分压器等　3.1正和负极双极性：JKZC-G2主要技术指标测量范围            0～±20kV 分压比精度          0.5级验收              0.3级最大允许误差        ±1%正高压电源输出电压量程        0-20KV  b：负高压电源输出电压量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V稳定性              0.1% 电压调节细度        ≤10V刻度尺范围         （1~300）mm；电压输出误差        优于±1%刻度尺误差优于      ±（0.1~1）mm绝缘支架的绝缘电阻  >1TΩ绝缘支架的耐受电压  >25kV距离调节装置的调节细度≤0.2mmJKZC-G3主要技术指标测量范围            0～±30kV 分压比精度          0.5级验收              0.3级最大允许误差        ±1%正高压电源输出电压量程        0-30KV b：负高压电源输出电压量程        -20kV -0最小分辨率          ±1V稳定性              0.1% 电压调节细度        ≤10V刻度尺范围         （1~300）mm；电压输出误差        优于±0.001%刻度尺误差优于      ±（0.1~1）mm绝缘支架的绝缘电阻   >100TΩ绝缘支架的耐受电压   >50kV距离调节装置的调节细度≤0.1mm