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实验室通风工程
产品详细介绍
济南金华鹏科技有限公司为实验室通排风系统提供了量身定做的解决方案，包括从单个通风柜或实验室房间的控制及监控，直至对整个实验室大楼全部通风设备的控制。
济南金华鹏科技有限公司
2021-08-23
（RO）设备工程配套产品
产品详细介绍
（RO）设备工程配套产品
软化水设备、锅炉软化水设备、纯净水设备、纯水设备、水处理设备
进口（RO）膜元件、 预处理罐 、一体化加药系统 紫外线杀菌器 、（RO）工程特种泵 、（RO）压力容器、 臭氧发生器 具体图片查看清登录网站 http://www.talda.cn
公司名称：泰安通利达水处理设备有限公司
联系人： 白经理
电 话： 0538-3308188
传 真： 0538-3301099
手 机： 18769828999
邮 编： 271600
邮 箱： fctld8188@163.com
网 址： www.tatld.cn
地 址： 山东泰安肥城市新城办事处工业园
泰安通利达水处理设备有限公司
2021-08-23
工程机械用钢
工程机械用钢青岛特钢生产的工程机械圆钢主要用于液压挖掘机、推土机、装载机、道路机械、工程起重机械、国防工程、交通运输、能源建设、矿山工业建设、农林水利建设、工业与民用建筑、城市建设、环境保护等领域。因钢材纯净度高，成分与性能均匀，淬透性稳定
工程机械用钢
青岛特钢生产的工程机械圆钢主要用于液压挖掘机、推土机、装载机、道路机械、工程起重机械、国防工程、交通运输、能源建设、矿山工业建设、农林水利建设、工业与民用建筑、城市建设、环境保护等领域。因钢材纯净度高，成分与性能均匀，淬透性稳定，获得用户的一致好评。
青岛特殊钢铁有限公司
2021-09-13
工程项目管理系统
为什么选择我们服务与实力并列，解决您后顾之忧
7x24小时无忧服务业内*质的售后服务、7x24小时及时响应确保您运营无忧
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青岛安瑞信息技术有限公司
2021-09-10
工程创新类教学设备
提升学生创新能力，为学生提供新开发的大门；
西安天翼智控教育科技有限公司
2022-07-09
RFID工程技术仿真
针对学习门槛高、教学开展难、实验原理阐述不明等问题，应用仿真技术形象展示系统器件及运行逻辑。
新大陆教育
2022-06-23
关于晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制的研究
研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。
北京大学
2021-04-11
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11