研发阶段/n本发明涉及一种铝合金表面复合高速钢耐磨层的制备方法，首先，在铝合金表面热喷涂０．２ｍｍ－１．５ｍｍ厚度的高速钢涂层，然后通过搅拌摩擦加工，使热喷涂的高速钢涂层均匀镶嵌、熔合在铝合金表面层中，形成一层良好的耐磨层，涂层和基体间产生冶金结合。本发明通过搅拌摩擦加工，使热喷涂涂层均匀镶嵌、熔合在铝合金表面层中，形成一层良好的耐磨层，涂层和基体间产生冶金结合。本发明获得的高速钢耐磨层硬度＞５２０ＨＶ，结合强度＞７０ＭＰａ。

本实用新型提供一次性三层结构吸水隔离铺巾，包括表面透水防渗表层，中间吸收层和底层拒水层;所述吸水隔离铺巾的边缘处压制有导流槽。本实用新型可以防止体液血液流下，提高了手术视野的清晰 度，降低了手术环境和对手术者的污染，有效防止职业暴露。

本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、ＡｌＮ中间层、非掺杂ＡｌＧａＮ缓冲层、ｎ型ＡｌＧａＮ层、非极性ＡｌｘＧａ１?ｘＮ／ＡｌｙＧａ１?ｙＮ多量子阱吸收分离层、非掺杂ＡｌｚＧａ１?ｚＮ倍增层、ｐ型ＡｌＧａＮ层，在ｐ型ＡｌＧａＮ层上设置的ｐ型欧姆电极，在ｎ型ＡｌＧａＮ层上设置的ｎ型欧姆电极，其中０（ｘ（ｙ（ｚ（１。本

本发明公开了一种残余应力层深分布辅助测量装置，包括底部 支撑装置、工件支撑装置、传感器支架及位移传感器，所述底部支撑 装置包括底座、两导轨、伺服电机和滚珠丝杠机构，所述工件支撑装 置包括连接板、V 型块和工件限位机构;所述工件限位机构包括安装 在连接板上的限位架及安装在限位架上的压紧装置，所述压紧装置位 于 V 型块的上方;所述传感器支架安装在底座上，所述位移传感器上 下位置可调整地安装在传感器支架上，所述位移传感器用于与 V 型块 上的待测区域接触

本发明公开了一种基于超声图像内容实现层间测距的方法。包含以下步骤:从大量已知间距的斑块 对中提取帧内特征与帧间特征;将所得帧内特征与帧间特征作为输入参数，已知间距作为输出参数，投 入高斯过程回归进行训练，得到训练好的回归器;对于随机选定的斑块对，计算其对应的帧内特征与帧 间特征，作为输入参数，投入已经训练好的回归器，可直接得到输出参数，作为预估的斑块间的距离。 本发明方法不再依赖于固定的标准解相关

本发明公开了一种多元物质原子层沉积膜制备方法和装置，所 述方法，即使基片相对于原子层沉积反应腔直线运动，依次通过其内 用于完成不同原子层沉积的原子层沉积系统，基片通过每个原子层沉 积系统时：调整基片温度为相应原子层沉积反应最适温度。所述装置， 包括原子层沉积反应腔、基片承载台、运动平台和温度控制装置；原 子层沉积反应腔依次设置有多个原子层沉积系统；基片承载台，设置 在原子层沉积反应腔下方；运动平台，与基片承载台连接，带动基片 承载台运动；温度控制装置，设置在基片承载台下方。所述方法能高 效快速的制备多元物质原子层沉积膜，所述装置，能方便的通过现有 原子层沉积系统组装，兼容性强，功耗低，沉积效率高。 

本发明涉及土层锚固用土层内撑开式伞形土锚锚头及其撑开工具，解决了现有土锚不能立即承载、锚固力低、钢绞索较长，并且施工工序较多等问题。本发明包括锚头和撑开工具；锚头由两块承力板铰链连接组成，两块承力板铰接处设有推进槽；两块承力板内侧面之间由张角限位索连接，且还分别连接着土锚钢绞索；撑开工具的推进杆前端设有三角状切土导向头，推进杆上套设有滑动套管，滑动套管两侧分别连接着连接板和扇形凸块，滑动套管下部的推进杆上设有限位环。本发明结构简单，承力板张开后施加预紧力，土锚立即承载。施工工序少、操作方便，工期短。本发明锚头张开后的垂直投影面积可达到 0.7 至 1.5 平方米，单个锚头土锚的拉拔力达到 150KN 至 500KN，因此锚固力高。

本实用新型公开了置物箱，属于置物箱技术领域。置物箱，包括底座，底座底面上固定安装有万向滚轮，万向滚轮上固定连接有锁紧装置，底座上方设置有封闭式置物装置，封闭式置物装置包括有大型置物柜和小型置物柜，大型置物柜和小型置物柜均包括有柜门和置物腔，柜门的一侧竖直棱边上固定安装有铰链，柜门通过铰链与柜体活动连接，另一侧竖直棱边上固定安装有电子锁；封闭式置物装置上端固定连接有置物台，置物台的侧壁上嵌入安装有扫码服务装置；本实用新型有效解决在火车站、机场等场所未设置公共置物设施，旅客临时置物较为不便

产品详细介绍 可根据客户的要求批量定做

研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一，也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石，目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展，急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级，带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象，已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求，因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样，当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时，光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进，光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特点，利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片，具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片，基于量子阱二极管发光探测共存现象，探索关键微纳制造技术，研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象，首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片，这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注，化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术，在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下，InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计，无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例，其外延片结构如图2所示，从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数（层厚度与In的比例等等）可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术，制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连，光线从透明的蓝宝石衬底发出，这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短，不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合，提升感知系统性能，而且缩小了器件整体外形，符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势； 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺，不再需要对LED和PD进行单独的封装，而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一，极大地缩短了集成系统的制作周期； 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD，简化了生长异质材料的复杂性，缩短了器件流片的周期，使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产，有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台，并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验，能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图，从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片，本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能，如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片，我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统，如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时，实现对外界光信号的探测与感知，通过后端系统处理后，再将信息通过阵列显示出来，实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者，他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文，获授权中国发明专利23项，美国发明专利2项，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道，荣获2019年中国电子学会科学技术奖（自然科学）、2019年南京市十大重大原创成果奖等。