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盲肠和阑尾模型XM-510
XM-510盲肠和阑尾模型
XM-510盲肠和阑尾模型显示回盲盲肠和阑尾的形态结构。
尺寸：11×11×21cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
头中部和前部断层面模型
XM-629B头中部和前部断层面模型
XM-629B头中部和前部断层面模型由2部件组成，置于基板上，头部作正中矢状切、额状切，显示头中部和前部断层面的结构，共有51个部位指示数字标识标志及对应文字说明。
尺寸：自然大，41×31×5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
卵巢解剖和卵泡发育放大模型
XM-831B卵巢解剖和卵泡发育放大模型
XM-831B卵巢解剖和卵泡发育放大模型由卵巢、初级卵泡、次级卵泡、成熟卵泡、排卵、卵子、黄体、白体等8个部件组成，并显示卵巢内卵泡的发育过程，从原始卵泡、初级卵泡、次级卵泡、成熟卵泡、排卵、卵子和黄体生成等结构。
尺寸：放大，38.5×28×26cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脑干、小脑和第四脑室模型
XM- 617C-2脑干、小脑和第四脑室模型
XM-617C-2脑干、小脑和第四脑室模型可分为小脑和脑干3部分，纵向切片，显示颅神经的内部解剖结构。
尺寸：18×12×13cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
右半脑带血管和神经模型
XM-606A右半脑带血管和神经模型
XM-606A右半脑带血管和神经模型显示大脑半球、间脑、小脑和脑干中脑、脑桥、延髓各个部分以及脑神经和脑血管等结构。
尺寸：自然大，15×15×6cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
人体骨骼附动脉和神经模型
XM-110男性全身人体骨骼附主要动脉和神经分布模型
（170cm）
XM-110男性全身人体骨骼附主要动脉和神经分布模型显示人体全身主要血管和神经的行程及其分布情况、神经分支、脊椎动脉和腰椎间盘等，由男性全身散骨串制而成一整体骨架，成直立姿势，四肢大的关节部分均可活动，一侧骨骼用红色塑料管显示全身主要的动脉，另一侧骨骼用黄色塑料管显示全身主要的神经分布，头颅含可活动的下巴、可移动的头颅盖、骨缝线和三颗可取下的下牙，其中四肢骨和头颅骨可以灵活拆卸组装，整体固定在支架上，带底座，可灵活移动。
尺寸：自然大，高170cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-510盲肠和阑尾模型
XM-510盲肠和阑尾模型
XM-510盲肠和阑尾模型显示回盲盲肠和阑尾的形态结构。
尺寸：11×11×21cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
腈水解酶催化制备亚氨基二乙酸项目
亚氨基二乙酸(IDA)是生产除草剂草甘膦的重要中间体。它也被用于生产新型两性铬络合 品红染料、漂白活化剂、顺铂类抗癌药物等。目前生产亚氨基二乙酸主要有化学合成法和生物 合成法。利用高效、高酶活、稳定的产腈水解酶生产亚氨基二乙酸，符合绿色化学的发展方 向，有着化学方法无可比拟的优越性。本项目筛选到一株高效、高酶活、稳定的产腈水解酶的 菌株，一步水解得到所需的亚氨基二乙酸。 本项目通过筛选适合的菌株、对菌株发酵优化以及整个催化过程的优化，最后分离纯化得 到亚氨基二乙酸。整个反应过程条件温和、操作简单、无副产物产生。
华东理工大学
2021-04-11
超临界二氧化碳中染色
超临界二氧化碳对有机物的溶解性随溶质极性、分子量、密度等不同而不同，容易溶解非极性或极性弱、分子量小的有机物。分散染料一般分子极性弱，分子量也不大，因而易溶于超临界二氧化碳。溶于超临界二氧化碳的染料分子是杂乱分散的。因此在这种状态下染色，染浴中的染料活泼，能快速到达纤维表面，接着能较容易地渗入到纤维内部，从而达到染料上染纤维的目的。该项技术的原理在于气体在超临界状态下形成的流体密度低，染料能自动溶解且具有较高的扩散性；染料在超临界二氧化碳中的溶解度随着流体密度的增加而增加，由压力和温度来控制二氧化碳流体密度从而控制染料在超临界二氧化碳流体中的溶解度；提高温度来降低流体的密度和染料在溶液中的数目，促进染料扩散到纤维中去。因此该系统控制参数可比常规水相工艺较为快速的进行调节。该工艺无需助剂，二氧化碳无毒，可循环使用；残留的染料可以粉末状态回收，无废水和废弃物，无需染色后处理和染后烘燥，可节能?0%左右。该工艺染色速度比传统工艺快好几倍，染色效率高。
华东理工大学
2021-04-11
超高迁移率二维半导体BOX
首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。
北京大学
2021-04-11