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一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置
本发明公开一种产生宽谱带可连续调谐相干极紫外光源的方法及装置，所述方法为：产生飞秒激光光束,将激光光束聚焦于工作气体处，在真空环境下所述激光光束与所述工作气体相互作用产生高次谐波；调整所述激光光束的入射能量或所述工作气体的气压，以改变高次谐波的相位匹配条件，使得高次谐波频率发生红移或蓝移，从而实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。本发明还提供了实现上述方法的装置。实施本发明可实现极紫外光源各阶次谐波辐射波长的连续调谐。
华中科技大学
2021-04-14
原子力显微镜(AFM)虚拟仿真系统
真实还原AFM全流程操作从样品制备(滴样、干燥)→探针校准→扫描参数设置→ 三维成像→ 数据分析
虚拟化沉浸式学习利用虚拟现实技术，真实还原仪器操作流程，有效提高学习效率
智能考核系统自动记录操作轨迹、参数设置合理性、数据处理规范性,生成量化评分报告
教师管理平台教师一键查看班级考核排名、错误率统计,精准定位教学难点
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24
扫描电子显微镜虚仿系统
通过"CSTM/NTC试验人员技术能力评价体系"的标准打造实验技术人员的能力，为电镜行业的人才培训打下坚实基础。
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24
菲泰姆超薄切片机虚仿系统
超薄切片机是一种用于制备超薄切片的实验设备，广泛应用于生物医学、材料科学等领域。
它的主要功能是将样品切割成厚度在几纳米到几微米范围内的薄片以便于后续的显微观察和分析。本软件根据菲泰姆自研国产超薄切片机的操作流程，详细展示整个设备的操作流程，高效且直观地指导用户使用设备。
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学
2021-04-14
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11
透射电子显微镜虚仿系统
该系统可用于材料类、生物类、化学类等相关专业的高校学生的理论和实践教学，提高应用型人才培养质量和教师教学科研水平。
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计，包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层（内含微结构）、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压，形成耗尽电场，微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合，提高光生载流子耗尽效率，增强器件响应度和外量子效率。同时，微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层，避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合，提高光生载流子收集的效率，实现紫外全波段探测。
厦门大学
2021-01-12
裸眼3D医学影像设备结构互动系统
裸眼3D医学影像设备结构互动系统采用裸眼3D技术，无需任何外部眼镜，借助内置眼动追踪技术，加上其手持式触控笔设备（其功能类似于笔），与自然手势和动作配合使用，即可实现医学影像设备结构三维立体效果，提供沉浸式互动学习体验。
医影智能
2026-04-16
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列；采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法，控制溅射时间，在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜，制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应，在360nm紫外光照射下，电压为5V时，明暗电流比为5.5×103，提高了一个数量级，同时具有更快速的响应和恢复时间，分别是0.883和0.956s。
东南大学
2021-04-11