高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种有机稀土固体胶束及其制备方法和提高太阳能电池光电转化效率的方法
本发明公开了一种有机稀土固体胶束及其制备方法和提高太阳能电池光电转化效率的方法,有机共轭小配体作为第一配体,一种具有两亲性二嵌段聚合物作为第二配体,二者与稀土元素氯化物溶液混合掺杂进行自组装形成有机稀土固体胶束,以此来提高稀土元素的荧光发射强度和荧光效率。然后将制备好的有机稀土固体胶束旋涂在太阳能电池的ITO层之上,制备成具有有机稀土固体胶束的太阳能电池,由此可以加大电池对太阳光的吸收,提高光电转化效率。其制备工艺简单、成本低、光电转化效率高、对环境友好。制备成具有有机稀土固体胶束的太阳能电池,由此可以加大电池对太阳光的吸收,提高光电转化效率。其制备工艺简单、成本低、光电转化效率高、对环境友好。
青岛大学 2021-04-13
项目名称:烟气冷却冷凝再热除湿脱污消白关键技术及其集成
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学 2021-04-10
清华大学集成电路学院任天令团队在柔性声学器件领域取得重要进展
清华大学集成电路学院任天令教授团队报道了一种基于微结构衬底的MXene声学传感器,用于模仿人耳膜的功能来实现声音的探测与识别。
清华大学 2022-04-01
农田循环生产配套关键机械技术集成与应用研究 ——苗期地膜回收技术和装备
成果简介: 本成果苗期地膜回收装备——1MSM-1000型玉米/棉花苗期地膜回收机,利用地膜在苗期比较完整、抗拉性较好的优势,能够完成我国超薄残膜(0.006~0.008mm)的回收,与作物收获后残膜回收相比,提高了地膜收净率,同时解决了收膜率与伤苗率之间的矛盾。该机具能够实现连续收膜作业,技术先进、作业效率高、价格低廉。创新点如下: 实现了在残膜收起的同时避免对幼苗的伤害;能很好地完成起膜、脱膜和抖土作业,在保证不伤苗、不伤膜的情况下
中国农业大学 2021-04-14
睿芯科技数字模拟电路混合人工智能芯片及传感器研发成果
是一家模数混合式神经网络处理及传感器芯片公司,DVS视觉传感器,数模混合人工智能芯片,创始团队均为瑞士苏黎世联邦理工学院博士,专攻模拟电路及神经网络方向 点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
吉林大学 2021-04-10
一种卡宾-重氮化合物-烯醛的三元共聚物及其 作为双向转换荧光材料和抗癌药物的用途
本发明公开了一种卡宾-重氮乙酸乙酯-烯醛的三元共聚物及其制备方法,即以重氮化合物和烯醛为 聚合反应单体,反应后经过重沉淀、离心、真空干燥沉淀物即可得到产物。该类聚合物主要通过 C1/C1N2/C2 的共聚合反应获得,主链主要由卡宾、重氮化合物和烯醛组成。该聚合物既具有下转换荧 光性质,又具有上转换荧光性质,同时具有很强的光稳定性,可广泛用于光学和光学检测领域;同时, 该聚合物具有抗癌活性,可应用于医药领域。
武汉大学 2021-04-14
一种畜禽粪水重金属钝化与养分氮磷回收的集成处理方法
本发明提供一种畜禽粪水重金属钝化与养分氮磷回收的集成处理方法,利用电离辐照/铁碳微电解流化床的集成技术实现重金属元素的钝化和养分氮磷的活化释放,利用碟管式反渗透/鸟粪石结晶/载水合氧化铁水热炭的集成技术实现养分氮磷的高效回收。铜锌铅铬钝化率大于90%,氮素回收率大于90%,磷素回收率大于95%。
中国农业大学 2021-04-11
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的标签检测设备
成果描述:本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析:本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 133 134 135
  • ...
  • 157 158 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1