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61010硬质玻璃管
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
61009硬质玻璃管
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
方管铝合金样品
-------------------------------------------------------------------------                            一槽内                   二槽内                   三槽内                           一槽外                   二槽外                 三槽外                                     一通连接件               二通连接件              三通连接件                                  铝合金方管                升降条                   防水脚垫 ------------------------------------------------------------------------- 厂家直销各种规格、形状的铝合金型材、实验室试验台桌铝合金框架、铝合金连接件、仪器柜升降条等,欢迎广大客户来电咨询。     备注:以上是方管铝合金样品的详细信息,如果您对方管铝合金样品的价格、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取方管铝合金样品的最新信息。 咨询电话:0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
管式炉(STG系列)
一、 产品描述    系列产品主要针对在真空或者保护气氛下对样品的热处理,优质的炉膛材料和稳定的温度控制系统,可保证实验数据的可靠性;产品采用新型陶瓷纤维材料作为炉膛材料,炉管材质优良,炉管两端不锈钢法兰密封,可在真空下工作,法兰上有进气口和出气口,可通入保护气体,精密针型阀可调节进气流量。 二、产品特点 1、 炉膛材料选用高纯氧化铝陶瓷纤维材料,新型拼装结构,高温不变形、坚固耐用 2、 发热体采用高温合金丝,可承受负荷大,稳定且使用寿命长 3、 炉管采用石英管,两端不锈钢法兰设计简单、合理、易拆卸,方便进出被烧结样品 4、 升温速度快,从室温升到1000摄氏度,一般需要15-30分钟 5、 采用智能PID温控仪表,控温精度高,冲温小,具有温度补偿和温度校正功能,精度为±1℃ 6、 控温仪表具有程序功能,可设定升温曲线,可编程序30段 7、 一体式结构,外观美观、大方 8、 电子元器件均采用知名产品,带有漏电保护功能,安全可靠 9、 本机对工作过程中的超温会发出报警信号,并自动完成保护动作 10、当仪表程序设定完成后,只要按下运行按钮,接下来的工作会自动完成 11、可选配大屏幕无纸记录仪,实现对升温曲线的实时记录,并带有存储卡可对实验数据进行分析和打印 12、可选配气体质量流量计,通入气体可数字精确控制
河南三特炉业科技有限公司 2022-06-22
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
一种有机功能介孔氧化硅的合成方法
本发明涉及一种有机功能介孔氧化硅的合成方法。该方法以三乙氧基硅烷与三烷氧基有机硅烷偶联剂作为硅源,以聚环氧乙烷?聚环氧丙烷?聚环氧乙烷三嵌段共聚物(P123)作为表面活性剂,在酸性条件下通过共聚法一步将有机功能基团耦合到有序介孔氧化硅中,得到了功能化程度远远大于传统共聚法接枝率的有机功能化介孔氧化硅。在反应过程中,通过控制有机硅烷偶联剂与三乙氧基硅烷的加入量比例可调控介孔氧化硅的功能化程度及孔道的有序度。
东南大学 2021-04-14
纳米二氧化硅气凝胶隔热保温材料
成果创新点 与市场上现有气凝胶产品采用超临界干燥技术不同, 本产品采用常压干燥方式制备。 粉体的导热系数达到 0.015W/mK,复合保温毡垫的导热 系数达到 0.022 W/mK,保温性能优于市场上有机保温材料, 而且燃烧性能达到 A 级不燃,兼有保温和防火效果。 通过工艺改进解决了常压干燥制备有机溶剂使用量大 和制备周期长的缺点,而且使用无机硅源和有机溶剂使用 少,制备成本大大降低。
中国科学技术大学 2021-04-14
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法,包括以下步骤:按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内,并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末;采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模,并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机,以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料,采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型,以得到所 述零件的碳化硅素坯;对所述碳化硅素坯进行加热固化;将
华中科技大学 2021-04-14
纳米二氧化硅气凝胶隔热保温材料
与市场上现有气凝胶产品采用超临界干燥技术不同, 本产品采用常压干燥方式制备。 粉体的导热系数达到 0.015W/mK,复合保温毡垫的导热系数达到 0.022 W/mK,保温性能优于市场上有机保温材料, 而且燃烧性能达到 A 级不燃,兼有保温和防火效果。 通过工艺改进解决了常压干燥制备有机溶剂使用量大和制备周期长的缺点,而且使用无机硅源和有机溶剂使用少,制备成本大大降低。 
中国科学技术大学 2023-05-19
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