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高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管-硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管-硅还是石墨烯-硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-02-01
一种基于激光冲击波技术定向超高速喷涂的方法及装置
（专利号：ZL 201510093120.5） 简介：本发明公开一种基于激光冲击波技术定向超高速喷涂的方法及装置，涉及零件加工再制造技术领域。该喷涂方法首先利用电极产生的高温电弧加热熔化涂层材料的喷涂丝成熔滴脱落，熔滴被雾化气体雾化成微滴流，然后由激光脉冲束辐照于微滴流表面上，表面一部分微滴吸收激光能量，瞬间气化和电离形成高压等离子体，高压等离子体继续吸收激光能量膨胀爆炸形成GPa量级的高压冲击波，高压冲击波驱动着微粒流高速喷射到工件表面形成涂层。喷涂装置包括激光发生器、导光分光系统、电弧制液系统、工件夹具系统、回收系统以及控制系统。本发明能够实现高速高效喷涂，涂层与基体的结合强度好，涂层的致密度高、空隙率低，具有较高抗热疲劳和机械疲劳的性能。
安徽工业大学
2021-04-11
多晶硅真空感应熔炼除磷连续化生产关键技术及其产业化
低成本冶金法生产太阳能级多晶硅的技术瓶颈是无法实现真空感应熔炼的连续化生产，因此无法实现规模化量产。因此，本团队开展“低成本太阳能级多晶硅真空除磷连续化生产关键技术及其产业化”的研究，重点要解决太阳能级多晶硅真空感应熔炼除磷的连续化生产关键技术，彻底突破低成本冶金法生产太阳能级多晶硅的关键工艺技术瓶颈。
厦门大学
2021-04-11
利用聚二甲基硅氧烷疏水材料板分离微丝菌的方法
本发明提供一种利用聚二甲基硅氧烷疏水材料板分离微丝菌的方法，该方法的步骤是将污水处理厂曝气池中已发生以微丝菌为优势菌的膨胀污泥混合液滴加在具有凹槽结构的聚二甲基硅氧烷疏水材料板上，冷藏放置保存后，采用氯化钠溶液对聚二甲基硅氧烷疏水材料板进行冲洗，利用相似相容原理实现微丝菌从活性污泥混合液中的分离。本发明的效果是该方法操作简单易行，可快速地实现微丝菌从活性污泥混合液中的分离，克服了微丝菌从活性污泥系统中分离困难的问题，可将分离有微丝菌的聚二甲基硅氧烷疏水板上置于培养基中，进行微丝菌的纯培养，与传统的稀释平板法和涂布平板法等微丝菌纯培养方法相比，加快了微丝菌菌种的筛选，可将微丝菌的纯培养周期缩短3～6周。
天津城建大学
2021-04-11
一种四分之一双波片相位延迟器
本发明公开了一种四分之一双波片相位延迟器，可在紫外、可 见及近红外的波段范围内实现消色差，其特征在于，该双波片相位延 迟器由两个同种材料或者不同材料的四分之一零级波片构成，该两零 级波片沿光轴平行布置，且两光轴夹角为 45°，其中，所述两个四分 之一零级波片的中心波长在波段范围内，且满足使得两零级波片组成 的双波片在该波段范围内各波长点对应的相位延迟量δe(λ)与理想相 位延迟量值π/2 之间差值的最大值取得最小值。与现有的双波片相比， 该相位延迟器将两个零级波片光轴按 45°组合，而不是 90°，得到的 双波片相位延迟器在全波段内有更好的消色差等特性，能够满足光谱 椭偏测量等宽光谱光学系统的使用要求。
华中科技大学
2021-04-11
青海省建成国内首条太阳能晶硅光伏组件回收中试线
7月5日，青海省重点研发计划项目“晶硅光伏组件回收利用技术研究”通过专家验收。项目通过对晶硅太阳能电池组件材料的回收循环再利用研究，探索清洁能源固废规范回收以及可循环、高值化再生利用的新兴产业途径，建成我国首条具有自主知识产权的高回收率太阳能晶硅光伏组件回收中试线，为晶硅电池综合回收利用提供了科技示范样板。
青海省科学技术厅
2023-07-07
太阳能薄膜电池一种关键技术：磁控溅射制备微晶硅薄膜
目前在工业上广泛采用的CVD技术制备硅膜，工艺和设备复杂，成本高，且在安全和环保环节上投入巨大。我们在国内首创出了微晶硅薄膜的PVD法沉积工艺，在温度低于300度的条件下，在单晶硅片和普通玻璃片上制备出不同结晶度的微晶硅薄膜和纳米结构硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生长的微晶硅薄膜，并实现了控制工艺的稳定性和可重复性。利用磁控溅射技术成功实现微晶硅薄膜的制备是一项重大突破，从根本上克服了现有技术的缺点，具有绿色、高效、简单等优点。目前需要合作伙伴，把该实验室技术放大到工业规模。
大连理工大学
2021-04-14
一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法
一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法，它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置，再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到一定接触载荷F；使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动，进行刻划；刻划后，将硅片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中腐蚀一段分钟，即可得到具有预先设定结构的纳米压印硅模具。该方法在多点接触模式下进行，可以方便地控制所加工纳米压印硅模具的图案、排列方式等；刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低，操作简便、步骤简单，能一次性完成大面积的硅(100)单晶片纳米压印模具加工，具有明显的低成本、高效率的特点。
西南交通大学
2016-10-20
三角波激励磁场下磁性纳米粒子粒径分布测量系统及方法
本发明公开了一种三角波激励磁场下磁性纳米粒子粒径分布测量系统及方法，属于纳米测试技术领域。本发明在准确测量三角波激励磁场和磁性纳米粒子磁化强度信号的基础上，得到磁性纳米粒子的磁化曲线。再将磁化曲线在 Matlab 最优化工具箱中进行拟合，最终得到磁性纳米粒子的粒径分布。磁性纳米粒子的磁化曲线可以在实验装·747·置上获取，不需要借助其他外部磁场测量设备,测量成本低。利用全局搜索等优化算法可以从磁化曲线中
华中科技大学
2021-04-14
一种四分之一双波片相位延迟器
本发明公开了一种四分之一双波片相位延迟器，可在紫外、可见及近红外的波段范围内实现消色差，其特征在于，该双波片相位延迟器由两个同种材料或者不同材料的四分之一零级波片构成，该两零级波片沿光轴平行布置，且两光轴夹角为 45°，其中，所述两个四分之一零级波片的中心波长在波段范围内，且满足使得两零级波片组成的 双 波 片 在 该 波 段 范 围 内 各 波 长 点 对 应 的 相 位 延 迟 量 δ<sub>e</sub>(λ)与理想相位延迟量值π/2 之间差值的最大值取得最小值。与现
华中科技大学
2021-04-14