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关于电荷密度波体系红外和超快光谱的研究
LaAgSb2,这是一种二维层状结构材料,分别在207 K和184 K发生两个电荷密度波相变。这两个相变对应的电荷密度波的调制波矢非常小(或者说实空间的调制周期非常大),尤其是高温对应的相变其超格子调制周期几乎接近原晶格周期的40倍。利用红外光谱,他们发现低频光电导谱存在显著的压制,揭示电荷密度波相变导致单粒子激发谱上有能隙打开,绝大部分自由载流子由于费米面上打开能隙而丢失。尤其有意义的是,利用超快泵浦探测他们发现低温存在两个集体激发模式,其能量尺度非常小,在低温极限下分别只有0.12 THz(~0.5 meV)和0.34 THz(~1.4 meV)。通过改变探测光波长等多种实验条件,他们确认这两个集体模式分别对应于两个电荷密度波相变的振幅子集体激发模式。这是首次在电荷密度波材料中观察到能量尺度如此之小的振幅子激发
北京大学 2021-04-11
超声振动红外热像(热波)无损检测设备及技术
1、成果简介 超声振动红外热像(热波)无损检测设备以超声激振被检测对象,以红外热成像方式检测物体的内部缺陷,具有单次检测面积大、速度快、可单面检测、不必拆下总装后的部件、可在外场使用等优点。是一种适合于任何固体材料结构内部裂纹、分层或脱粘缺陷检测的可视化检测设备。主要检测对象有:材料内部微裂纹,复合材料的分层、脱粘和撞击损伤,热障涂层和陶瓷部件上的微裂纹,管道内壁的裂纹和腐蚀坑,C/C复合材料上的裂纹,固体发动机绝热层脱粘,航天胶接结构脱粘,焊缝内部裂纹。该设备和技术是2001年以来4.5次国家自然科学基金、3次航空科学基金、2次航天支撑技术基金共同资助下的自主创新研究成果,具有自主知识产权,有广阔的应用前景。 典型技术指标: 最大激振功率:50-2600W; 图像分辨率:320*240~620*480; 检测时间:5s; 单次检测面积:500mm*375mm及以上。 具体指标可根据实际需要的技术、经济性能合理调整。2、应用说明 用于各类材料、结构内部缺陷的无损检测,如:材料内部微裂纹,复合材料的分层、脱粘和撞击损伤,热障涂层和陶瓷部件上的微裂纹、脱粘,管道内壁的裂纹和腐蚀坑,C/C复合材料上的裂纹,固体发动机绝热层脱粘,航天胶接结构脱粘,焊缝内部裂纹。应用单位有航天二院201所、北京卫星制造厂,技术合作单位有航天6院389厂、北京航空材料研究院。3、效益分析该设备和技术是自2001年以来4.5次国家自然科学基金、3次航空科学基金、2次航天支撑技术基金共同资助下积累的自主创新研究成果,具有国际先进的技术水平,有台式、移动、便携形式,有广阔的应用前景。
北京航空航天大学 2021-04-13
硅谐振微传感器频率特性测试仪
该仪器主要用于测量谐振微传感器(也适用于所有谐振式传感器)的动力学特性:谐振频率,微振幅,品质因数、幅频特性、相频特性等;它也是实现闭环自激系统以及研制和开发各种谐振式微传感器,如微加速度计和微陀螺等不可缺少的测试设备;本仪器的若干新技术也可直接应用于其他需要进行微弱信号检测和处理的场合。适用于从事自动化、测控技术、传感器、仪器仪表等科研院所、企业和高等院校的科研和教学方面的应用。测试仪的创新点为:综合应用了多项新技术,研制过程中发展了弱信号相关检测技术,超低频、低噪声恒流源技术。
北京航空航天大学 2021-04-13
超轻硬硅钙石型硅酸钙保温材料
技术特点超轻硬硅钙石型硅酸钙保温材料(容重≤170kg/m3)以普通建筑石灰及天然粉石英为基本原料,采用高压水热动态法生产。是我国首次自主开发的适合我国国情的超轻型产品,采用全天然原料,以最低的成本实现了批量工业生产。其各项指标均达到或超过日本JISA9510-1984 标准。是目前所有无机硬质保温材料中容重最小,导热系数最低的一种,同时具有较高的强度。其耐热温度为 1000℃,在常见的保温材料中也是较高的一种,因此可以在许多场合取代轻质耐火砖、轻质浇注料、珍珠岩制品、蛭石制品、矿棉、玻璃棉制品及耐火纤维制品
北京科技大学 2021-04-13
超轻硬硅钙石型硅酸钙保温材料
1.技术特点 超轻硬硅钙石型硅酸钙保温材料(容重≤170kg/m3)以普通建筑石灰及天然粉石英为基本原料,采用高压水热动态法生产。是我国首次自主开发的适合我国国情的超轻型产品,采用全天然原料,以最低的成本实现了批量工业生产。其各项指标均达到或超过日本JISA9510-1984标准。是目前所有无机硬质保温材料中容重最小,导热系数最低的一种,同时具有较高的强度。其耐热温度为1000℃,在常见的保温材料中也是较高的一种,因此可以在许多场合取代轻质耐火砖、轻质浇注料、珍珠岩制品、蛭石制品、矿棉、玻璃棉制品及耐火纤维制品。 本材料本项目所开发的170硬硅钙石型硅酸钙保温材料本产品样品检测结果如下: 容重:            170kg/m3 导热系数:        0.045W/m×K(70℃) 抗折强度:        0.29MPa 最高使用温度:    1000℃ (1000℃×3小时烧后线收缩1.04%) 2.技术成熟程度 已实现批量工业生产,并成功地进行了应用试验。 3.应用范围 适用于建材、冶金、石油、化工、电力、轻工等行业热工设备的绝热保温,属环境友好型材料。
北京科技大学 2021-04-13
声表面波有毒气体传感器阵列
项目处于研发熟化阶段。申请发明专利70余项,授权40余项(含美国专利2项),初步建立了一套自主知识产权体系。发明了多种用于检测有毒气体的聚合物气敏材料及其低毒合成方法,其中PHFA的灵敏度是美国PNNL的BSP3的3倍;提出了双端谐振型乐甫波传感器,发明了聚合物波导薄膜和叉指电极的优化制备工艺方法,与法国ENSEIRB的器件相比,将传感功能结构的灵敏度提高了12倍;发明了SAW气体传感器的温湿度补偿技术、快速解吸方法和电磁屏蔽方法。研制的手持式SAW气体传感器能对0.1mg/m3
电子科技大学 2021-04-14
一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法
本发明公开了一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法。基于硅 基液晶在同样的偏置电压下,对不同波长入射光有不同的相位调制的 特性,对在硅基液晶波长工作范围内的光信号实现分析与监测,并能 在入射光波长未知的条件下,对该波长进行测量,并能随着相位调制 精度的提高,提高波长的分辨精度。本发明元件少,系统结构简单紧 凑,对光路的准直要求不高,无需苛刻光路的耦合与复杂操作就能进 行波长的分辨,并且有着与入射光偏振态无关的特性,在分辨出波长 的同时,还能对入射光束的偏振态进行测量,适用范围更广。 
华中科技大学 2021-04-14
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互连技术可以有效的解决集成电路进一步发展的尺寸限制同时可以极大的提高芯片间信息传输的速度和频率。Si基光子集成是实现集成电路光互联的核心技术和重要研究方向。然而,Si因为其间接带系的特性很难作为发光材料使得Si基光源的缺失成为制约Si基光子芯片的瓶颈,而传统Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs,InP等由于优良的光电转换效率已经在光电子器件领域得到广泛的应用。因此,Si基与Ⅲ-Ⅴ的集成是实现Si基光子芯片的一种理想途径。
南京大学 2021-04-14
一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法
本发明公开了一种基于硅基液晶的波长分辨监测方法。基于硅 基液晶在同样的偏置电压下,对不同波长入射光有不同的相位调制的 特性,对在硅基液晶波长工作范围内的光信号实现分析与监测,并能 在入射光波长未知的条件下,对该波长进行测量,并能随着相位调制 精度的提高,提高波长的分辨精度。本发明元件少,系统结构简单紧 凑,对光路的准直要求不高,无需苛刻光路的耦合与复杂操作就能进 行波长的分辨,并且有着与入射光偏振态无关的特性,在分辨
华中科技大学 2021-04-14
一种基于波矢测量的红外成像探测芯片
本发明公开了一种基于波矢测量的红外成像探测芯片,包括面阵红外折射微透镜、面阵非制冷红外探测器和驱控预处理模块;其中,面阵非制冷红外探测器位于所述面阵红外折射微透镜的焦面处,被划分成多个阵列分布的子面阵非制冷红外探测器,每个子面阵非制冷红外探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元;面阵红外折射微透镜包括多个阵列分布的单元红外折射微透镜,每单元红外折射微透镜与一个子面阵非制冷红外探测器对应。本发明的红外成像
华中科技大学 2021-04-14
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