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振动样品磁强计 VSM磁性材料磁学参数测试 磁滞曲线测量系统
        VSM(也叫做M-H磁滞曲线测量系统)测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线,磁滞回线,退磁曲线,升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等),得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度,剩余磁化强度,矫顽力,最大磁能积,居里温度,磁导率(包括初始磁导率)等),可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料,VSM可以测量从-196℃到900℃的温度变化的磁性变化。   主要参数: 测量磁矩范围:10-3emu-300emu(灵敏度:5*10-5emu) 相对精度(30emu):优于±1% 重复性(30emu):优于±1% 稳定性(30emu):预热24小时,24小时连续工作优于±1% 温度范围:从-196℃到900℃ 固定磁极间距35mm,极面直径60mm 磁场:由电磁铁提供,从0-3.5T   主要参数: 抗磁,顺磁,铁磁,亚铁磁,反铁磁材料和各向异性材料 颗粒状和连续磁记录材料以及GMR,CMR,交换偏置和旋转阀材料 磁光材料 容易容纳散装材料,粉末,薄膜,单晶和液体     VSM的组成:   型号 DXV-550 电磁铁 √ 稳流电源 √ 振动头,振动架 √ 振动杆,样品室 √ 振动源 √ 锁定放大器 √ 高斯计 √ 探测线圈 √ 电脑 √ 打印机 √ VSM可以单独准备高温和低温设备。     主要设备:   电磁铁 电磁铁应为可调式双共轭或固定间隙的。 45°放置 型号 高低温磁场,磁极间距:35mm(T) 冷水方式 DXV-550 3.4 水冷 DXV-400 3.0 水冷 DXV-380 2.7 水冷 DXV-300 2.4 水冷 DXV-250 2.2 水冷 DXV-220 2.0 水冷 DXV-175 1.6 水冷 DXV-130 1.2 自然冷却 DXV-100 0.8 自然冷却 DXV-60 0.5 自然冷却   稳流源 电源为可调式高稳定度稳压稳流自动转换直流电源,功率为2~30KW 。在稳流状态时,稳流输出电流能在额定范围内连续可调 (一)主要功能   (1)输出功率:额定功率从1-12kw。   (2)保护:缺相保护、过流保护、短路自动保护。   (二)技术指标   (1)电源为稳流输出:电流值可从0-额定值连续可调。   (2)显示方式: 电流表4位半LCD数字显示。   (3)显示精度:±(1%+2个字)   (4)当负载为电磁铁,且输出电流大于最大电流一半时,电源输出的电流稳定度优于5*10-4   (5)工作时间:连续8小时工作(环境温度20±5℃)   (6)输入电压:单相220V/三相380V±10%        (7)输入频率:50Hz   振动系统 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈   磁测单元 (1)量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu (2)磁场量程:0.5kOe”、“1kOe”、“2kOe”、“4kOe”、“8kOe”、“16kOe” 和 “32 kOe” 显示在4位半LCD数字表头。.分辩率0.1mT,相对精度优于±1%。 (3)振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5,输出功率大于50W。   联想电脑 打印机:hp-1018 高温炉和温度控制设备: 加热功率是100W. 炉子的温度范围是室温到900℃ 通过4位半LED数字控制。分辨率:0.1℃ 低温杜瓦和温度控制装置 样品室的温度与控制范围是 77K-273K 通过4位半LED数字控制,分辨率:0.1K  
厦门盈德兴磁电科技有限公司 2026-04-07
我国科学家在围着床期动物胚胎细胞谱系分离调控研究方面取得新进展
围产期胚胎的发育调控一直是发育生物学的“黑匣子”问题,近日,华中农业大学科研团队在《Autophagy》杂志上发表题为“ATG7-mediatedautophagyfacilitatesembryonicstemcellexitfromnaivepluripotencyandmarkscommitmenttodifferentiation”的研究论文,阐述了围着床期胚胎谱系分离中选择性自噬与细胞命运决定的调控机制。
科技部生物中心 2022-04-04
分子植物卓越中心等发现OsPHR-OsADK1分子模块调控菌根共生的分子机制
近日,中国科学院分子植物科学卓越创新中心研究员王二涛团队等在New Phytologist上在线发表了题为A PHR-regulated receptor-like kinase,OsADK1 is required for mycorrhizal symbiosis and phosphate starvation responses的研究论文。该研究揭示了OsPHR-OsADK1模块调控菌根共生和磷信号响应的分子机制。
分子植物科学卓越创新中心 2022-10-26
通过超构表面实现对非线性倍频光子的自旋、轨道角动量的同时调控
把具有C3旋转对称性的超构单元按照一定序构排列起来形成圆形的超构表面,超构表面携带的拓扑电荷为q,理论分析表明这类超构表面上产生的非线性谐波的自旋和轨道角动量分别为:s=±σћ;l n =(n∓1) σqћ。对应倍频谐波情况:s=-σћ;l SHG =3σqћ。因此,结合光的自旋角动量控制的非线性几何相位与拓扑电荷的概念,可以通过超构表面上实现对非线性谐波辐射过程中光的自旋、轨道角动量的同时控制。了解了相关物理机制,为如何在微纳尺度上产生并控制光的自旋、轨道角动量两个维度,设计高密度、多功能光信息处理芯片等奠定重要科学与技术基础。
南方科技大学 2021-04-13
通过分子工程调控实现高选择性二氧化碳电还原转化
基于MDE具有明确活性中心结构的特点,团队进一步结合原位/在线X射线吸收光谱和理论计算深入揭示了取代基调控催化剂性能的机理(图3)。研究团队发现,NiPc MDEs的CO2还原起峰电位与Ni中心的部分还原紧密相关,而不简单取决于理论计算中的反应能垒。氰基(CN)取代可以使分子更容易被还原,因此具有更正的起峰电位。此外,OMe取代可以提高催化过程中Ni-N键强度并促进CO中间体脱附,从而提高催化剂稳定性。
南方科技大学 2021-04-14
由Egr-1 基因启动子调控CD/TK 双自杀基因治疗骨肉瘤技术
骨肉瘤是一种青少年常见的恶性骨肿瘤,目前治疗手段主要是外科切除加化疗,这种治疗方式存在很多不足。该课题拟通过放射与基因手段联合应用进行治疗骨肉瘤研究,依据可信,立项充分。自杀基因CD/5-FC 和HSV-TK/GVC 系统基因治疗临床试验方案已经得到了一定程度地开展,并且取得了不错的结果,而本课题通过辐射诱导基因Egr-1 启动子调控双自杀基因CD/TK,治疗骨肉瘤,从一个新的角度开展治疗骨肉瘤的研究,立体新颖,如果该方法被验证可行,将会为骨肉瘤的治疗提供一种新的治疗手段。该课题组已经构建出GFP 做标志的Egr-1 调控CD/TK 双自杀融合基因的腺病毒载体pAdEgr-1-CD/TK,而且已经证明其序列正确以及Egr-1 的活性,因此在此基础上进一步研究其对骨肉瘤的治疗效果,实验方法可行,预计能够按时完成课题项目。
四川大学 2016-04-26
二氧化硅中空微球的产业化生产与结构调控关键技术
本团队采用新型结构导向技术来实现亚微米和纳米二氧化硅中空微球的溶胶凝胶法和沉淀法高浓度制备,能够满足大规模工业生产的需要,并能对其纳米壳层结构进行精准调控,为相关功能材料的性能设计提供合成技术基础。现有二氧化硅中空微球制备技术的投资成本高、设备生产率低、控制难度大,无法在工业规模上对其特有的纳米结构进行精准调控,严重限制了中空微球在高端产业中的应用。本团队基于全新的中空结构导向技术,在间歇反应釜中通过溶胶凝胶法和沉淀法实现中空微球的高密度、大批量生产,具有设备生产率高、微球结构规整、壁厚可控、容易复合改性等优点,突破了中空微球规模化生产的技术瓶颈。通过改变导向剂分子结构和生产工艺微调,可在 50-400 纳米范围内对中空微球的壁厚进行精准调控,使其对不同波长的光信号产生各种响应,并能通过控制中空和多孔结构调节比表面积、导热系数、阻尼特征、机械强度等性能,满足不同功能材料领域的要求。该技术还可以实现脂溶性物质或纳米颗粒与二氧化硅的复合,制备出具有功能多样性的复合中空微球, 如将氧化锡锑(ATO)与二氧化硅中空微球复合,可制备兼具紫外光、可见光、近红外反射和隔热功能的复合中空微球保温填料。 
华南理工大学 2023-05-09
科研进展 | 西湖大学细胞命运调控实验室破解人源Eag2的延迟整流机制
作为生命的单位,细胞通过细胞膜与外界进行隔离,也通过细胞膜与外界进行信号转导和物质能量交换。细胞膜上有多种元件感受外界的刺激,并实现细胞状态的转变,科学家也可以利用这些元件,在细胞外增加刺激,从而调控细胞命运。
西湖大学 2023-03-22
调控组蛋白修饰的新思路《德国应用化学》刊发西湖大学吴明轩团队最新成果
组蛋白H3的N端翻译后修饰在调控基因转录活性和染色质结构方面发挥着非常重要的功能,其异常修饰可能会导致发育紊乱和癌症的发生。
西湖大学 2022-11-29
李学宝课题组在棉纤维发育的分子调控机制研究中取得新进展
近日,我校生命科学学院李学宝教授课题组在棉纤维发育的分子机制研究方面取得重要进展,研究成果在线发表于著名植物学期刊《The Plant Journal》(Li et al. 2018,DOI:10.1111/tpj.14108)。
华中师范大学 2021-02-01
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