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一种基于回流焊的光纤光栅磁传感器的制备方法
本发明公开了一种基于回流焊的光纤光栅磁传感器的制备方法， 该方法包括以下步骤：1)选取长方体形状的硅片并进行超声清洗；2) 用磁控溅射的方法在硅片上溅射一层一定厚度的磁致伸缩薄膜；3)选 取可以在高温条件下使用的光纤光栅并进行超声清洗；4)用磁控溅射 的方法在光纤光栅上溅射一层一定厚度的金属薄膜；5)将镀了金属薄 膜的光纤光栅固定在磁致伸缩薄膜上；6)采用回流焊的方法，将镀了 金属薄膜的光纤光栅焊接在磁致伸缩薄膜上，
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米粒子交流磁化率虚部的成像方法
本发明公开一种磁纳米粒子浓度成像方法，其主要创新在于采用交流磁化率的虚部来进行浓度成像，有效提高磁纳米粒子成像的空间分辨率。对磁纳米粒子施加交流磁场和直流梯度磁场，检测出一次谐波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化强度变化量计算出磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部。通过控制直流梯度磁场的零磁场点位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子交流磁化率的实部和虚部，进而利用交流磁化率的虚部实现磁纳米浓度成像。从仿真数
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米粒子交流磁化率的温度测量方法
本发明公开了一种基于磁纳米粒子交流磁化率的温度测量方法，所述方法包括如下步骤：(1)确定待测对象区域，并利用通电螺线管对待测区域施加交流激励磁场；(2)利用探测线圈采集交流激励磁场下待测区域的磁感应强度 H1；(3)保持交流激励磁场不变，将磁纳米样品放置于待测对象的待测区域内，利用探测线圈采集施加磁纳米样品之后待测区域的磁感应强度 H2；(4)计算磁纳米粒子的交流磁化率χ的实部χ’和虚部χ”；其中的 A1，A2，α都
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法
本发明公开了一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法。采用交流磁化强度一次谐波幅值实现磁纳米浓度成像，只需在一个方向施加高频正弦磁场并在不同方向提供扫描磁场便可实现一维、二维以及三维空间的扫描；用低频三角波扫描磁场或低频正弦波扫描磁场控制空间区域零磁场点的位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子的一次谐波幅值，最终实现磁纳米浓度成像，从而避免了通过改变直流电源的大小来移动零磁场点扫描空间，有效提高了磁纳米粒子成像的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于矢量变换与信号滤波的定子磁链计算方法
本发明公开了一种基于矢量变换与信号滤波的定子磁链计算方法。采用交流电动机定子磁链的电压模型，对输入的反电动势矢量进行幅值和相位变换直接得到原始的定子磁链矢量，然后经过信号滤波与补偿处理得到期望的定子磁链。分别设计了基于可编程的低通滤波器(LPF)和带通滤波器(BPF)的矢量变换方案，并且根据计算磁链幅值尽快收敛于给定磁链值的原则得到优化函数，对 LPF 与 BPF 的优点进行组合，得到性能最优的磁链计算方法。进一步的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于体表反向场的内外伤漏磁检测区分方法与装置
本发明公开了一种基于体表反向场的内外伤漏磁检测区分方法及装置。该方法的特征为：将被检测导磁构件磁化，在上述被磁化导磁构件体表内施加反向磁感应场 B<sub>反</sub>，与体内原有磁感应场B<sub>原</sub>发生矢量叠加抵消，在体表内形成零磁感应区域，使得出现在该体表内区域的缺陷(也即外伤)因无漏磁场产生而无法被探测到；而出现在非体表零磁感应区的缺陷均有漏磁场产生而可以被探测到，包括内、外伤；然后采用磁敏元件分别布置靠近于零磁感应区和非零磁感应
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁表征的铁磁性材料表面轮廓检测识别方法
本发明提供一种基于磁表征的铁磁性材料表面轮廓检测识别方法，该方法先将磁敏元件以 0-5<i>mm</i>的提离距离靠近待检铁磁性材料表面，拾取近表空气域内磁场特征，并转化为电压信号；再采用电压信号幅值比较识别判断法，或者检测信号波形图方法进行表面轮廓识别判断。本发明为非接触式提离检测方式，可以实现在线轮廓检测识别；检测手段能够直接穿透灰尘及污垢等物质而不受干扰，不需要高的待检测表面清洁度及检测工况环境光线要求。该方法原理是基于铁磁性材料在加工完后的剩磁在地磁场作用下的磁表征现
华中科技大学
2021-04-14
小型核化探测遥操作机器人项目介绍
为应对核生化恐怖威胁以及保障核电站的运营安全，迫切需要研制一种适应各种复杂环境、高度机动灵活、远程控制距离远、现场可迅速展开并具有一定应急处理能力的小型核化探测遥操作机器人。 小型核化探测遥操作机器人主要由（1）机器人本体、（2）小型四自由度机械臂、 （3）遥操作控制箱三部分组成。机器人自身配有姿态传感器，GPS定位和激光雷达，结合摄像头的图像信息，可以将机器人周围的环境情况回传给操作人员，使得操作人员可以根据现场情况对机器人的行动进行决策，如图所示。
东南大学
2021-04-11
脑干及下丘脑核团模型XM-617C
XM-617C脑干及下丘脑核团模型
XM-617C脑干及下丘脑核团模型可拆分为4部件，主要显示了脑干的形状结构和间脑神经核团，脑干部除可观察延髓、脑桥、菱形窝和中脑的形态外，还可观察第Ⅱ至Ⅻ对脑神经在脑干部位，间脑可观察到上丘脑、背侧丘脑、后丘脑和下丘脑，在背侧丘脑和下丘脑部显示了各主要核团。
尺寸：放大，14×11×22cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型
XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型
XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型演示面神经、舌下神经的核上下瘫和皮质核束的正常通路。
一、显示内容：
■ 椎体系：演示由中央前回和中央旁小叶前部的巨型椎体细胞和其他类型的椎体细胞以及额、顶叶部分区域的椎体细胞的轴突共同组成椎体束，其中一部分下行至脊髓的纤维束，另一部分止于脑干脑神经运动核的纤维束。
■ 面神经核核上瘫：演示核上运动神经元受损，产生对侧眼裂以下的面肌瘫痪，表现病灶为对侧鼻唇沟消失，口角低垂并向病灶侧偏斜，流涎，不能鼓腮、露齿等。
■ 面神经核核下瘫：演示面神经核核下神经元受损，可致病灶侧所有面肌瘫痪，额横纹消失，眼不能闭，口角下垂，鼻唇沟消失等。
■ 舌下神经核核上瘫：演示舌下神经核核上神经元受损，可产生伸舌时舌尖偏向病灶对侧。
■ 舌下神经核核下瘫：演示舌下神经核核下神经元受损，可产生全部舌肌瘫痪，伸舌时舌尖偏向病灶侧。
二、技术参数：
■ 尺寸：34×34×81cm
■ 材质：PVC材料+木框
三、标准配置：
■ XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型：1台
■ 电源线：1根
■ 说明书：1册
■ 保修卡合格证：1张
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23