本实用新型提供了一种基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明阳极IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴传输层、发光层、电子传输 层、电子注入层和阴极,所述的氯化綱水溶性薄膜的制备方法包括以下步骤：步 骤一、将粉末状的氯化锢溶解于去离子水中得到混合溶液；步骤二、将上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。该结构优点在于:不 仅制备方法简单,成本彳氐廉,环境友好,而且能够有效的提高阳极界面载流子的 注入效率，提高OLED器件的光电性能。本实用新型属于有机电致发光器件领 域，特别涉及一种基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。

本项目属敏感电子学与传感器研究领域。主要围绕电子聚合物纳米气敏薄膜调控与气体传感器敏感动力学开展了系统研究，在电子聚合物分子结构设计与合成、敏感聚合物有序薄膜聚集方法及性能调控机制、气体传感器敏感机理等方面取得了一系列创新性成果，为气敏材料的设计与调控以及传感器性能的改善提供了科学依据，开拓了电子聚合物薄膜气体传感器新领域。发表SCI论文87篇，SCI他引839次，其中在国际化学传感器权威期刊《Sensors and Actuators B》上发表论文16篇，受到了国内外同行的高度评价和认可。本项目

本发明公开了一种自支撑 PEDOT-PSS 薄膜，包括质量比为 3:7～ 15:2 的 PEDOT 以及 PSS，所述 PEDOT-PSS 薄膜的厚度为 1μm～50 μm，方块电阻为 0.10Ω/sq～120Ω/sq，电导率为 210S/cm～1827S/cm。 本发明还公开了该 PEDOT-PSS 薄膜的制备方法以及在光电子器件的 电极中的应用。本发明制备所得的 PEDOT-PSS 薄膜具有良好的自支撑 性能以及导电性能，在光

BiFeO3薄膜反铁磁序的研究是理解磁电耦合效应和实现电场控制磁性的前提，然而观测反铁磁结构实验手段有限，薄膜中多个铁弹畴的存在进一步使其分析更为困难。因此，BiFeO3薄膜反铁磁结构及其应变调控的物理机制一直还存在争议。 研究发现应变可大幅度调控反铁磁磁矩朝向，且在大的拉应变作用下反铁磁磁矩朝向与铁电极化的垂直关系被打破，结合第一性原理揭示应变对反铁磁序的调控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和单离子各向异性间相互竞争导致；该工作打破了之前一般认为的Bi

本项目将巨霍尔效应这一纳米体系的新效应应用于器件领域，以纳米铁磁金属颗粒薄膜替代现有霍尔器件的掺杂半导体活性层材料，是一个全新的技术，取得了多项具有原始创新性的技术成果，进一步推进了纳米材料在新材料技术、电子信息技术等领域的应用。相关成果已获国家发明专利授权九项。 纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异、抗核辐射等优点，在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途，市场前景广阔。

具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。这种太阳电池采用一种碲钼多层复合薄膜作为碲化镉太阳电池的无铜过渡层。一方面，由于过渡层具有碲的析出相，因此在碲化镉退火后，无需采用湿法工艺获得富碲层。如果采用干法工艺，也无需单独沉积一碲层。另一方面，过渡层具有碲化钼的主相，作为p型半导体，与碲化镉价带不连续很小，可起到很好的过渡作用，实现碲化镉与金属电极间的欧姆接触。采用上述结构的太阳电池，避免了化学腐蚀，实现了低电阻接触，可有效提高太阳电池的性能和改善器件的长效稳定性。

铜铟镓硒CIGS是由铜、铟、镓、硒等金属元素组成的直接带隙化合物半导体材料，其对可见光的吸收系数为所有薄膜电池材料中最高(104-105cm-1)。目前CIGS电池的光电转化效率是各种薄膜太阳能电池之首(19.9％)，接近于市场主流产品晶体硅太阳能电池转换效率，而成本却是其1/3。与高效率高成本的晶体硅太阳能电池和低效率低成本的非晶硅薄膜太阳能电池相比，CIGS薄膜太阳能电池以其性能稳定、抗辐射能力强、光电转换效率高等优势被国际上称为相当具有潜力和下一代廉价的太阳能电池，已成为光伏领域

中山市钙钛矿薄膜光伏电池创新平台是以程一兵院士及其团队在钙钛矿材料与薄膜太阳能电池领域的技术储备为基础,以推进钙钛矿薄膜光伏产业化为目标建立的科研开发型基地。在钙钛矿光伏产业化技术开发的同时,注重结合中山市在灯饰、家居、装备制造等领域的优势产业,服务中山市现有优势产业转型升级。力争中山本地孵化覆盖钙钛矿光伏产业上、下游配套技术的高技术企业,持续引进和培养具有国际化视野的中、青年骨干力量,务实建设高水平的技术骨干和管理人才团队。以此在推动钙钛矿薄膜光伏产业发展进程的同时,带动中山相关产业发展,为当地企业提供科研服务,社会服务和有利的科技创新实验平台。 环境亲和性更好、经济性更高的光伏产业; 薄膜特性使得在建筑幕墙、车辆贴膜及表面涂层等方面具有广阔前景; 由于其弱光发电特性,可深度融合家居、灯饰以及智能穿戴等产业。

远苏精电 实验室快速钻铣雕一体PCB线路板雕刻机 电路板雕刻机 一、技术参数1.加工范围：单面板/双面板2.加工面积：350×300mm3.最小加工线径：3mil4.最小加工线距：5mil5.分辨率：0.03mil6.工作速度：100mm/s7.主轴转速：0～60000r/min，无级调速，软件自动优化转速8.主轴功率：90W9.直线导轨：进口直线导轨10.传动方式：进口滚珠丝杆11.钻孔孔径：0.3～3.175MM12.钻孔深度：0.02-3.5mm13.钻孔速度：150(孔/min)14.控制方式：电脑控制15.通信方式：RS-232/USB16.操作系统：Windons 98/2000/XP/Vista/Win7/1017.最小内存配置：256MB18.体积：750mm（L）×650mm（W）×660mm（H）19.重量：110kg20.消耗功率：250 W21.电源：200V/50HZ22.支持软件：支持Protel99se、Altium Designer、CAD等常用EDA软件（支持所有pcb及gerber格式的文件）23.选配：可选配立式底柜，方便移动，可存储耗材24.选配：可选配电脑25.选配：可选配视觉定位系统 二、产品亮点（1）自动原点定位：可以从任意位置自动回到设定的零点，拥有原点记忆功能。（2）双面板定位技术：保证了定位的精确性与正确性。（3）断点续雕：从任意百分比开始雕刻，或雕刻到某一百分比结束。（4）模拟运行：根据设定的参数，仿真显示实际加工过程。（5）实时显示加工路径：加工前首先显示所有加工路径，在加工过程中实时显示当前位置。（6）任意区域选择雕刻：选择任意区域，进行雕刻。（7）组合雕刻/自动选择刀具：选择两把雕刻刀，自动分配雕刻区域。在不影响雕刻精度的情况下选择一把大雕刻刀，快速铣掉大块的空白区域。（8）万能钻孔：使用固定铣刀挖出任意孔，减少了换钻头的次数。（9）外形铣割：板子雕刻完成后进行外形铣割。（10）智能主轴转速优化功能：根据刀具自动优化主轴转速，从而提高雕刻精度。（11）强兼容性：兼容目前市面上所有EDA软件。（12）操作简单：简单易学，只需20分钟即可熟练上手操作。（13）自动关机：长时间无操作指令则自动关机，保护设备。（14）LED照明：机器自带照明功能，方便运行过程中清晰的观察pcb制板情况。（15）超限保护：当人为操作不当触发X、Y、Z极限保护装置时，机器自动暂停，按复位按钮即可恢复运行。（16）配有自主开发的PCB快速线路板刻制系统软件，一键引导式软件设置及操作界面。（17）采用自主研发高速小跳径自冷主轴电机，非水冷主轴电机：可在0~60000rpm内设置转速，加工时可设置七档转速，软件自动优化转速。（18）机器配有软件限位及硬件限位双重限位保护：当X、Y、Z硬件超限保护后，软件限位会自动开启防止撞机发生。减少超限对精度的影响。（19）加工工作日志：具有远程升级、远程诊断与维护、远程控制、定时预约开关机等功能。（20）自动选择刀具：软件自动选择适合的刀具，无需转换及设置刀路，免除人工选择刀具参数的繁琐。（21）挖孔钻孔：对于孔径大于0.8的孔，直接用铣刀挖孔，无需频繁更换刀具。（22）区域选择雕刻：可选择内、外区域，进行局部雕刻。（23）组合雕刻：选择粗、细两把雕刻刀，软件自动分配雕刻区域。在不影响雕刻精度的情况下，用粗雕刻刀，快速铣掉大块铜箔区域，用细雕刻刀，雕刻出细微线路。加工时间缩短50%。

该成果提供了一种通过抑制受精卵极体释放获得异源多倍体泥鳅的方法，通过该方法可获得高比例的异源多倍体泥鳅。该成果综合利用了杂交技术和染色体组操作技术培育出新型的泥鳅群体，分别获得异源三倍体泥鳅、异源四倍体泥鳅以及异源五倍体泥鳅，其诱导率高达81.25%-100%；该专利提供的方法诱导泥鳅异源多倍体种类多，数量大，后代生长快， 12月龄比正常自交对照组体重平均增加19.99%-142.34%，增重效果明显；该专利采用的方法是利用冰水对受精卵进行冷休克处理，操作简单，材料易得，操作过程无毒无害，对操作者和受精卵均无毒性；该方法同时适用于诱导其他鱼类异源多倍体，具有较强的推广效益。 市场预期：该专利预期可创造不小的经济效益。 成果完成时间：2017年1月