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改性聚合硫酸铁（净水剂）
改性聚合硫酸铁是武汉工程大学开发的新型高效水处理剂，系无机高分子混凝剂，它克服了传统铝盐及其聚铝在较低温度小形成絮凝体小且慢。其沉降速度小甚至无法沉淀的缺陷,可广泛用于生活饮用水、各种工业用水、工业废水及城市污水的净化处理。该产品性能稳定，净水效果优良，不含重金属等有害物质，亦无铁离子的水相转移，无毒无害，使用安全可靠；且具有脱色、脱臭、脱油、杀菌、除去重金属离子和其它有毒物质等多种功效，对COD、BOD有较高的去除率；在低温条件下，其处理原水或废水的效果极佳。产品极易溶于水，配药加药方便，适用水体的PH值范围宽，净化出水的PH值与总碱度变化幅度小，对处理设备腐蚀性小；投药量少，成本低廉，处理费用较其它无机絮凝剂相比，一般可节省20%左右。
武汉工程大学
2021-04-11
老铁止痢可溶性粉制备
仔猪湿热泻痢是因外感湿热毒邪胃肠，长期的湿热壅滞严重影响仔猪的生长发育。 老铁止痢可溶性粉经处方筛选试验而得，其临床效果确实，主要用于大肠杆菌感染引起 的仔猪湿热泻痢的防治，在发病期间有良好的防治效果，可达到标本兼治，清热解毒， 燥湿止痢的效果。实验性临床试验和扩大临床试验研究结果也表明，老铁止痢可溶性粉 对大肠杆菌感染引起的仔猪湿热泻痢的治疗效果较好。 该制剂生产工艺稳定可行，操作简单，质量可控，确保该制剂临床应用时有效成分 的剂量稳定。方中的十大功劳、铁苋菜等均为传统中药，临床中至今未发现严重的毒副 作用，已有的药理学研究以及本课题的研究结果均证实了由这些药物制成的制剂，没有 急性毒性和亚慢性毒性作用。 老铁止痢可溶性粉按照科学的处方组成和工艺制备，保证了方中各药的有效成分， 同时该制剂便于饲养场投药。由于经过体外提取，药物的有效成分可在动物的消化道内 直接被吸收，大大提高了药物的生物利用度，既节约了中药资源，又可适当提高药效。 在使用时采用混水灌服，使用方便的特性有利于该药的推广应用。
青岛农业大学
2021-04-11
连续铁碳微电解流化床设备
此连续铁碳微电解流化床设备的主要原理是将铁屑和碳粒等填充料，填装在主要包括一筒体的特定装置中，制成所谓的电解床。当污水通过时，铁成为阳极，碳成为阴极，产生各种微电化学反应，从而实现废水处理目的。
南京工业大学
2021-04-14
南京德铁实验设备有限公司
南京德铁实验设备有限公司,江苏省高新技术企业。坐落于美丽的十朝古都南京，是集产品研发、生产、销售、服务为一体的实验室设备的高新技术企业。公司产品拥有多项专利证书，广泛应用于高校实验室、技术质量监督局、生物技术公司、食品加工企业以及水产、饲料、畜牧等领域。
公司现主营四大系列产品：酶标分析仪、农药残留检测仪、兽药残留检测仪、自动洗板机。
我们坚持以专业设计、成就客户为经营宗旨，不断努力、开放进取，成就客户。我们深信“技术赢得未来、质量制造信赖”，积极探索新的技术、严格进行产品的测试；我们深知自己的能力非常有限，所以德铁只专注于实验室产品，专一点、好一点，为实验室提供稳定可靠、值得信赖的产品。
南京德铁实验设备有限公司
2021-12-07
铸造铝铁碳磁铁 教学用条型磁铁
产品详细介绍铸造铝铁碳磁铁 教学用条型磁铁
开封磁钢厂
2021-08-23
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
金属和合金纳米粒子组装薄膜材料的气相制备技术
纳米粒子由于具有非常小的颗粒尺寸和大的比表面积，通常显示出许多不同于常规块体材料的电、磁、光和化学特性，在现代工业、国防和高技术发展中充当着重要的角色。随着科学技术的迅速发展，对材料性能的要求也越来越高，因此寻找一种可替代液相法的真空气相法来获得表面清洁纳米粒子的制备技术是开发具有优异性能新型纳米结构材料的迫切要求。特别是纳米粒子组装复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优越性，成为一个重要的前沿研究热点，它有望将“传统功能材料”通过“纳米复合化”达到进一步提高和拓展材料性能的目的。
厦门大学
2021-01-12
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11