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高精度柔性传感器的设计与全印刷制备
柔性传感器由柔性材料(基材)制成,兼具柔韧性和延展性,是柔性电子领域的关键元件之一。 一、项目进展 已注册公司运营 二、企业信息 企业名称 上海索夫特电子有限公司 企业法人 王保余 注册时间 2021.9.3 注册所在省市 上海市 组织机构代码 9130112MA7AH2J59Y 经营范围 技术服务、技术开发、电子专用材料销售、电力电子元器件制造、新材料技术研发 企业地址 上海市闵行区景联路389号9幢1层 获投资情况 团队投资50万元整 三、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 唐桤泽 物理学院/光电信息科学与工程 2020.9.1/2024.7.1 王保余 材料学院/复合材料与工程 2018.9.1/2022.7.1 潘一 材料学院/复合材料与工程 2018.9.1/2022.7.1 赵珩宇 材料学院/新能源材料与器件 2018.9.1/2022.7.1 杨扬 物理学院/应用物理学 2020.9.1/2024.7.1 曾剑涛 物理学院/应用物理学 2020.9.1/2024.7.1 范世昌 物理学院/光电信息科学与工程 2020.9.1/2024.7.1 四、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 张震 物理学院/物理化学 无/讲师 功能纳米材料的可控制备及其在印刷电子领域的应用 五、项目简介 柔性传感器由柔性材料(基材)制成,兼具柔韧性和延展性,是柔性电子领域的关键元件之一。项目通过开发功能型电子墨水,以印刷电子技术为手段,推动高精度柔性传感器增材制造,有效解决高精度和高阈值相悖、多模态信号串扰等技术痛点,助力柔性可穿戴电子发展,更好服务人类智能生活。 自主研发的高精度柔性传感器具有三大核心技术:①设计多级微结构、模块化传感电路,解决模态间的串扰,实现精度、阈值、模态以及稳定性的协同提高;②针对不同传感电路,开发温敏、压敏以及湿敏电子墨水,在填料组成、结构以及复配方面提升其信号响应性能;③采用喷墨打印、点胶打印和丝网印刷等高精度、高效率、节能的制备工艺,实现多模态柔性传感器的逐层叠印生产,同时提升多模态传感电路的印刷精度。所开发三模态柔性传感器实现温度、湿度、压力的同时采集,模态串扰率≤3%,成本降低70%,性能和逐层印制工艺国际领先,已发表4篇发明专利、1篇SCI论文和5项软著。 团队已与上中下游厂商建立良好合作关系,柔性温敏传感器完成中试、小规模试产(120万片),产值120万;温度、湿度双模态传感器应用于柔性红光面膜仪,与厦门银方签订意向订单;三模态传感器工艺较成熟,预计2023年实现量产。
华东理工大学 2022-08-10
基于同轴结构的柔性纤维传感电极及其制备方法
本发明属于生物电化学检测技术领域,具体为一种基于同轴结构的柔性纤维传感电极及其制备方法。本发明柔性纤维传感电极包括银/氯化银参比电极,工作电极,碳材料对电极,聚合物绝缘层;四者关于纤维的几何对称轴为同轴关系,并且同轴结构可以有多种形式;同轴结构可以提高空间利用率,简化电极识别与电路连接工作;电极模量与生物软组织相匹配,有助于形成稳定的器件/组织界面,实现对体内信号的长期监测;纤维形状和电极排布的体积微型化,对外膜的稳定性友好,与生物组织的界面更稳定,可增加使用寿命,具有良好的应用前景。
复旦大学 2021-01-12
一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法
本发明公开了一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法,该系统包括基板转移模块、柔性电子制备模块、激光剥离模块以及封装与装卸模块,基板转移模块用于拾取基板并放置到柔性电子制备模块上,然后将制备好的柔性电子连同基板一起转移到激光剥离模块,最后从激光剥离模块上取回被剥离的基板;柔性电子制备模块用于在基板上完成柔性电子的制备;激光剥离模块用于将制备好的柔性电子与基板分离;封装装卸模块用于将需封装的产品放在封装模块上,并将从基板上剥离的柔性电子封装在产品上,最后将封装好的产品取下。所述方法利用所述系统进行柔性电子的制备、转移与封装。本发明大大缩小了系统的体积,减少了中间环节,节约了空间,提高了生产效率。
华中科技大学 2021-04-14
一体式柔性承插口钢塑复合管
产品概述: 一体式柔性承插口钢塑复合管具有机械、防腐性能优越、寿命长等优点,独特的三层结构**的将环氧树脂的防腐性能与外层聚乙烯的防护性相结合,防腐层厚度可达3mm以上,有效的避免运输、安装、使用过程中防腐层破损,从而降低管材的使用寿命。此防腐工艺已经在输油、气、大型水利项目中大面积推广应用,实践证明此防腐工艺是长输管线**的防腐形式,使用寿命可达50年以上。 性能优势: 防腐性能较好,外层采用3PE防腐,寿命达到50年,是目前国际公认的先进管道外防腐方式。 母材性能增强,产品扩口时采用1000°高温加工处理,相较冷加工不但不破坏母材,更增强母材性能。 尺寸精度高,密封性好,同时对公母口进行定径,公母口椭圆度控制在1mm之内,密封面粗糙度控制在12.5以下,保证密封性能。 安装方便,承插口钢管连接对接速度快,具有安装方便、施工成本较低,开挖土方量少,节省空间。 检测方便,采用双密封结构,在双密封之间设有检测孔。每个接头安装后可立即进行检测。检测用水100ml以下,也可使用压缩空气进行检测。 外3PE内环氧技术,3PE防腐承插口扩口技术(外3PE内环氧)经过长期的应用检验,已证实是目前先进的防腐结构。其外层结合了缠绕HDPE和熔结环氧粉末的优点。实现了防腐性能、力学性能的良好结合。 应用领域: 在石油、化工、市政给水、建筑、运输、通讯电力、印染、农业灌溉、冷藏等管道行业得到了广泛应用。
山东金诚联创管业股份有限公司 2021-08-27
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件,该器件包括入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5);入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、贴附于矩形波导(5)的上表面或下表面;入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5)贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学 2021-04-11
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件,应用磁流体的热磁对流效应,把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2.温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3.磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术,提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展,达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明,散热效果好,能达到电子器件冷却要求,满足工业生产的需求,在生产过程中无污染,无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中,具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院 2021-04-11
基于超陡摆幅器件的极低功耗物联网芯片
随着集成电路的发展,功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代,物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗,尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求,极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制,传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限,这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素,基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件,并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制,可突破亚阈摆幅极限,同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能,具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破,可促进我国物联网芯片产业的发展,显著提高物联网节点的工作时间,具有重要的应用价值。
北京大学 2021-02-01
基于闪蒸喷雾的大功率电子器件冷却系统
随着电子技术的不断发展,电子器件和芯片性能的提高带来电路及其芯片的散热问题日益突出。研究表明:电子器件工作温度在70~80℃水平时,每增加1℃,其可靠性就降低5%。同时由于芯片的不断集成化和微型化,导致散热量的迅速增加,传统的冷却技术已经不能满足散热要求。本技术开发了一种制冷剂闪蒸喷雾高效冷却循环系统,利用闪蒸雾化和相变传热技术,实现了低温高效换热,传热系数高达26533W/(m2·K),表面温度在低于60摄氏度热流密度即可超过100W/cm2(而常规水冷条件下元器件表面温度超过150摄氏度)。
西安交通大学 2021-04-11
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