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考虑热量积累效应的相变存储器单元 SPICE 模型系统及应用
本发明公开了一种相变存储器单元 SPICE 模型系统，包括：单 元电阻模拟模块，用于模拟相变存储器单元电阻；温度计算模块，用 于针对施加的连续脉冲序列，计算每个脉冲信号结束时刻考虑脉冲信 号下热量积累效应的存储器单元相变层温度；晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生晶化的相变层体积；非晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生非晶化的相变层体积以及相变模块，用于选择 晶化速率或非晶化速率计算非晶化率。本发明还公开
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写
华中科技大学
2021-04-14
一种基于写重定向的纠删码存储重构优化方法
本发明公开了一种基于写重定向的纠删码存储重构优化方法， 将写入失效数据节点的数据重定向到由存活节点空余空间所组成的 RS 阵列，将数据重定向过程与包括失效数据节点的重构、重定向数据 的迁移以及迁移所引起的校验数据更新的数据迁移过程分开处理，降 低二者对磁盘、内存、网络带宽等资源的竞争，在加速后台重构过程 ·899·的同时，优化前台用户访问性能。
华中科技大学
2021-04-14
2025年我国大数据产业测算规模超3万亿元 期待大数据带来大市场
工信部日前发布《“十四五”大数据产业发展规划》，提出到2025年，我国大数据产业测算规模突破3万亿元，年均复合增长率保持25%左右，创新力强、附加值高、自主可控的现代化大数据产业体系基本形成。
工信微报
2021-12-14
技术需求、区块链应用技术、地震体数据三维建模、大数据、ARM的智能终端研究
1、区块链应用技术与实践
2、地震体数据三维建模技术
3、大数据算法研究与应用
4、基于ARM的智能终端研究与应用
山东胜软科技股份有限公司
2021-06-15
天津市级课程思政优秀案例-Python数据分析与应用 - 奥运奖牌数据分析
本思政案例值巴黎奥运会火热举办之际，以奥运会数据为载体，引导学生运用Python的Pandas库进行数据清洗、筛选与聚合分析，并通过Plotly工具实现数据可视化。案例巧妙融合数据分析技能培养与思政教育，通过剖析我国奥运奖牌数据变化，让学生直观感受国家体育事业的蓬勃发展，深切领悟体育强国战略背后蕴含的国家意志与民族精神。同时，鼓励学生从数据中探寻体育精神内核，内化于心、践之于行，涵养积极人生态度与爱国情怀。此外，案例数据可视化呈现国际竞技格局，助学生理解多元包容、拓宽国际化视野，增强民族自豪感与文化自信，实现知识传授与价值引领的有机统一。
天津市大学软件学院
2025-05-21
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学
2021-04-14
基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和 晶态剪裁的方法，通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极 性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲，使得相变存储单元中非晶化区的体积 在脉冲调制作用下发生变化，形状近似为圆柱体；通过对两个电脉冲 的幅值、宽度、间隔和极性进行调节，使得相变存储单元的电阻与脉 冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲分时或同时施加在相变存储单元
华中科技大学
2021-04-14
一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行
华中科技大学
2021-04-14
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学
2021-04-14