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磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备及高效光电转换器件
1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位,其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右,但它们需要比较多的单晶硅材料,生产成本高。而对于多晶硅,由于缺陷较多,转换效率比较低。III-V族材料转换效率高,但是材料和生产成本居高不下,难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本,但是由于纳米柱结构具有很大的表面积,载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能,而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法,目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备,另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中,利用刻蚀气体中加入氢气,可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备,通过控制刻蚀时间及氢气含量,精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度,相比于其他生长径向同质结的方法,本方法设备简单,制备效率高。在降低成本方面,纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应,只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作,优化和固定产品制作工艺流程,降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。
清华大学 2022-03-09
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
一种芯壳型纳米线三维 NAND 闪存器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件,该存 储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成,所述 NAND 串垂直于衬 底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件,不仅使器件的结 构更加简单,也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤,简 化了制备过程,对降低制造成本有积极作用
华中科技大学 2021-04-14
一种传输线和漏波天线复用器件及其波束扫描方法
本发明公开了一种传输线和漏波天线复用器件及其波束扫描方法,所述器件包括介质基板,分别位于介质基板上下表面的金属条带和金属地板,以及通过过孔连接金属地板和金属条带的周期性交替排列的电容和变容二极管。金属条带包括两端的渐变微带线结构和中间的人工表面等离激元结构。当变容二极管的容值与固定电容的容值一致时,该器件的表面阻抗一致,实现传输线的功能;当变容二极管的容值与固定电容的容值不一致时,该器件的表面阻抗得到周期性调制,实现漏波天线辐射功能。采用电压作为调节手段,随着电压的改变能够实现波束定频扫描; 该器件制造简单、操作方便、容易集成,只需要一步光刻过程,不仅节省造价,而且避免了多层结构引发的加工误差。
东南大学 2021-04-11
一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源
一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电压源,包括电压预调节电路和带隙基准核电路,电压预调节电路产生一个低温漂、高电源抑制比的预调节电压Vreg对带隙基准核电路进行供电,带隙基准核电路包括启动电路、负温度系数电流ICTAT产生电路、正温度系数电流IPTAT产生电路和非线性电流INL产生电路,非线性电流INL产生电路用于补偿负温度系数电流ICTAT产生电路中的高阶温度分量,通过叠加电流ICTAT、IPTAT、INL并由电流?电压转换电路得到近似零温度系数的基准电压Vref。
东南大学 2021-04-11
一种用于产生多源声发射模拟信号的断铅装置
本实用新型公开一种用于产生多源声发射模拟信号的断铅装置,尤其涉及声发射无损检测实验中,用于产生多个声发射模拟信号的一种铅笔芯折断装置。本实用新型中夹紧装置、推力螺栓安装在基座上,支撑架安装在支撑底板上,推力螺栓头伸入支撑底板的孔中;使用时夹紧装置将铅笔夹紧固定,调整支撑架的位置使其与夹紧装置对正,此时将推力螺栓旋入基座螺纹孔中直至从另一侧露出,将支撑底板安装于推力螺栓上,继续转动推力螺栓使支撑底板上升,铅笔被同时折断,得到多源声发射模拟信号。本实用新型能够模拟声发射无损检测实验中的多源信号,克服了
长沙理工大学 2021-01-12
一种单喷头多料源生物3D打印装置及其方法
本发明公开了一种单喷头多料源生物3D打印装置及其方法,属于组织工程和生物3D打印领域。包括电机固定座,电机,主动齿轮,固定转轴,转盘合件、喷头体、单向连接阀,弹簧片和进料管连接头等结构,固定转轴安装固定,电机通过齿轮传动带动转盘旋转,转盘上单向连接阀通过2个弹簧片夹持压住,且单向连接阀与喷头体有一高度差△h,当单向连接阀转到喷头体处时,喷头体将单向连接阀顶起,并顶起钢球将喷头体与单向连接阀连通,弹簧片弹起将单向连接阀压住,同时生物材料通过进料管连接头进入,实现打印过程。通过转盘旋转可切换打印材料,实现单喷头多种生物材料的打印。其优点是:结构简单巧妙,降低成本,易于实现灵活控制,大大提高打印效率。
浙江大学 2021-04-13
一种自适应增量式的深层网络数据源发现方法
本发明公开了一种自适应增量式的深网数据源发现方法,将深 层网络数据源发现过程分为站点定位和站内搜索两个阶段,在站点定 位阶段引进站点发现机制可以高效扩充站点数据以提高爬行效率;在 站点和站内链接选取采用自适应的排序机制,能够更快的发现深层网 络站点和可查询表单。本方法实现了增量自动高效采集深网数据源, 可用于深层网络数据集成和暗网爬虫,同时也适用于构建在线数据库 目录站点。
华中科技大学 2021-04-14
“思政引领·科技策源·突破圈层” 的创新创业教育改革升级
华东理工大学自上世纪80年代即鼓励研究生、大四学生参与校办企业运行,2006年起开设《创业规划》课程、成立“勤工助学集团”、建设校企联合基地。
华东理工大学 2022-08-10
一种环形索承网格结构的无支架施工方法
本发明公开了一种环形索承网格结构的无支架施工方法,即上部网格分单元吊装至先施工的索网上拼装。环形索承网格结构主要包括柱子、外环梁、上部网格、径向索、环向索和支撑杆。先采用斜向牵引的方法提升结构的径向索和环向索至高空,然后在结构索网下方安装工装配重索和反力架装置并张拉工装配重索,形成支撑索网;再分单元吊装上部网格至支撑索网上,同时通过反力架装置调节工装配重索使控制节点处于设计标高;最后卸除工装配重索和反力架装置,结构成型。该施工方法省去了支架的施工费用,可双向、实时、精确调整施工过程中控制节点的标高,无需主动张拉拉索,有利于看台保护,实现索承网格结构的绿色装配化施工。
东南大学 2021-04-11
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