|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种半固态铜合金连续铸造装置与方法
本发明公开了一种半固态铜合金连续铸造装置与方法。本发明的装置包括炉体，机械搅拌装置从上方插入所述炉体中，所述机械搅拌装置的搅拌头呈螺旋状；所述炉体中还设有热电偶，所述热电偶电性连接至设置于所述炉体外的ＰＩＤ温度控制器，所述ＰＩＤ温度控制器电性连接至高频感应加热器；所述炉体还通过液体管道与水箱、水泵流量计串连；牵引棒的一端从下方插入所述炉体中，另一端固
东南大学
2021-04-14
一种核壳结构合金纳米颗粒的制备方法
本发明公开了一种核壳型合金纳米颗粒的制备方法。该方法包括：使用有机硅烷偶联剂在氧化物基底表面生长出自组装单分子层。随后在生长有自组装单分子层的基底表面通过原子层沉积生长一种金属核心，接着在金属核心上通过原子层沉积选择性地生长另一种包覆核心的金属壳层。该方法可以通过调节原子层沉积的生长循环次数控制核心尺寸与壳层厚度，以及核与壳的合金成分比例。按照本发明使用的基底改性方法实现核壳结构合金颗粒的制备，由于采用了原子层沉积的工艺，因此对于生长的核壳结构合金颗粒能够达到纳米级的可控性。并且基于基底改性的方法对
华中科技大学
2021-04-14
一种核壳结构合金纳米颗粒的制备方法
本发明公开了一种核壳型合金纳米颗粒的制备方法。该方法包 括：使用有机硅烷偶联剂在氧化物基底表面生长出自组装单分子层。 随后在生长有自组装单分子层的基底表面通过原子层沉积生长一种金 属核心，接着在金属核心上通过原子层沉积选择性地生长另一种包覆 核心的金属壳层。该方法可以通过调节原子层沉积的生长循环次数控 制核心尺寸与壳层厚度，以及核与壳的合金成分比例。按照本发明使 用的基底改性方法实现核壳结构合金颗粒的制备，由于采用了原子层 沉积的工艺，因此对于生长的核壳结构合金颗粒能够达到纳米级的可 控性。并且基于
华中科技大学
2021-04-14
一种低温烧结制备含Mg铝合金的方法
（专利号：ZL 201410632592.9） 简介：本发明公开了一种低温烧结制备含Mg铝合金的新方法，属于铝合金制备技术领域。该制备方法包括纳米晶第二相前驱体的制备、球磨混合制备含Mg的铝合金粉末、低温热压烧结铝合金制品以及烧结铝合金制品的脱模四个步骤。该方法有效避免了含Mg的铝合金常规制备过程中Mg烧损及设备和环境污染等问题，同时具有烧结温度低和可一次近成形制备复杂零件的效果。本发明制备的含Mg的铝合金中第二相颗粒细小、弥散增强效应佳
安徽工业大学
2021-01-12
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介：本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10～20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8～14nm和2～6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学
2021-04-14
大颗粒状速溶食品（菊花晶和金银花晶）的开发及产业化
菊花晶和金银花晶具有清热去火的功效，目前市售的菊花晶和金银花晶主要 以粉末状的形态存在，外观形状较差，且溶解时所需的时间较长。本项目开发的 菊花晶和金银花晶颗粒较大，溶解性较好。
溶解时间：热水中 3 s 以内全部溶解，不使用食品添加剂。
效益分析：菊花和金银花中的有效成分具有清热去火等诸多功效，将其从菊花和金银花 中提取出来制备成菊花晶和金银花晶可以提高食用的方便。此外，将菊花晶和金 银花晶与奶粉同时食用，可以有效降低婴儿食用奶粉时引起的上火等问题。因此， 开发具有良好外观形态和溶解性的菊花晶和金银花晶具有较强的市场竞争力。
江南大学
2021-04-11
低成本纳米微晶陶瓷制备技术
本项目开发了一种全新概念的纳米陶瓷制备新工艺新技术。它采用天然矿物和工业废渣来取代高温烧结法中昂贵的纳米陶瓷粉末，使制备成本大幅降低。用高温溶胶－凝胶工艺从根本上解决了材料组成的不均匀性和残留气孔等问题，同时具有生产周期短、效率高、能耗低、制品的均匀性和可靠性好等优点。开发的原位受控晶化技术不仅使材料的晶粒尺寸控制在纳米级，而且还可对晶相数量和结晶形状进行有效控制，可获得具有球状或针状晶体的纳米微晶陶瓷。
湖南大学
2021-04-10
全自动激光晶圆划片机系统
电路是以晶圆为载体，采用一定的工艺，把电路中的元器件和布线制作在晶圆片上，封装为 一个整体，使晶圆上每个晶粒成为具有所需电路功能的微型结构。晶圆切割的过程是将集成有 电路的整片晶圆通过划切分割成单个的晶粒，切割过程又是一种无法恢复的过程，因此，材料 和制造成本的积累以及工艺的不可重复性决定了切割工艺成为整个集成电路制造过程中最关键 和难度最大的工艺环节。 精密机械：可加工的晶圆最小直径可达50mm，在晶圆里面印刷有晶格，每个晶格的宽度 为200μm，晶格间距约为20μm，所以设备的切割精度要求控制在2μm以内，每小时切割15片。 运动平台采用高精度的直线电机平台，定位精度为2μm，重复定位精度为1μm；旋转平台的定 位精度为30″，重复定位精度为4″。 计算机自动控制：划片机系统将根据客户要求以及配合视觉检测系统传输的晶圆数据，自 动生成切割路径，在规定的工作时间内完成晶圆的切割。
华东理工大学
2021-04-11
低成本纳米微晶陶瓷制备技术
本项目开发了一种全新概念的纳米陶瓷制备新工艺新技术。它采用天然矿物和工业废渣来取代高温烧结法中昂贵的纳米陶瓷粉末，使制备成本大幅降低。用高温溶胶－凝胶工艺从根本上解决了材料组成的不均匀性和残留气孔等问题，同时具有生产周期短、效率高、能耗低、制品的均匀性和可靠性好等优点。开发的原位受控晶化技术不仅使材料的晶粒尺寸控制在纳米级，而且还可对晶相数量和结晶形状进行有效控制，可获得具有球状或针状晶体的纳米微晶陶瓷。
湖南大学
2021-02-01
氧化铝微晶陶瓷磨料磨具
本项目以溶胶凝胶技术为基础，辅以其他技术手段，在技术及产品质量指 标上完全达到了世界上最先进的诺顿（法国圣戈班）、3M 公司的水平，实现工 业化生产后，可以打破国外的技术封锁和产品垄断，并解决国内关键加工行业 受国外制约的困难，从而提升国内整体的机械加工水平。
山东大学
2021-04-13