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一种胶体NiO纳米晶的制备方法及其产品
本发明公开了胶体NiO纳米晶的制备方法，将羧酸镍、保护配体、醇或胺和有机溶剂混合，惰性气氛下搅拌并抽真空；将反应器中的混合物加热到100～350℃，反应后经冷却、沉淀剂沉淀、提纯处理，得到所述的胶体NiO纳米晶；所述羧酸镍的通式为：(R1-COO)2Ni，所述保护配体的通式为(R2-COO)nM，其中，R1与R2独立地选自H、C2～C30的烃基或芳基，所述Mn+与羧酸根结合形成的羧酸盐的反应活性低于羧酸镍，n为羧酸根数。本发明还公开了所述制备方法得到的纯相胶体NiO纳米晶，具有易于低温溶液工艺成膜、功函数高等优点，有望应用于有机薄膜太阳能电池、有机发光二极管、量子点发光二极管等诸多领域。
浙江大学
2021-04-11
铁基非晶合金磁性材料及其制备方法
本发明公开了一种铁基非晶合金磁性材料及其制备方法。该合金材料的化 学分子式为：(Fe100-aCoa)x-Dyy-Bz-Siw，式中的x，y，z，w为原子百分数：60≤x ≤75，5≤y≤25，20≤z≤25，0≤w≤10，0≤a≤10，且x+y+z+w＝100。该合金 的制备过程如下：将工业纯金属原料以及FeB合金按合金配方配料，采用真空 感应熔炼成母合金，然后用单辊甩带法制得非晶薄带。本发明具有较好的玻璃 形成能力，且软磁性能优良。所需的原材料大多为工业纯度，从而降低了成本， 同时制备工艺简单，可广泛应用于结构材料和磁性材料等方面。
浙江大学
2021-04-11
利用晶相共生现象可控合成异质结光催化材料
基于半导体异质结概念，首次通过工艺简单，成本低廉熔融盐法合成一系列钽酸钙基半导体异质结复合材料，发现了两元及多元半导体复合物组分及其含量可通过改变前驱物比例简单调控，证明该异质结复合物相，组分变化与光催化制氢性能有着密切关系，阐明不同钽酸钙晶相界面异质结形成促进光生电荷有效分离机制，极大地提高光催化制氢性能。
上海理工大学
2021-04-10
B/N 掺杂型 Al-Ti-C 系晶种合金
铝合金结晶组织的微细化会显著提高铝材的强韧性、组织均匀性、致密性、 耐蚀性、加工工艺性和表面质量等，并减少偏析和裂纹等诸多铸造缺陷。目前， 国内外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中间合金来细化晶粒，但 Al-Ti-B 中间合金 126 的形核衬底质点 TiB2 本身的直径大小在 0.5-3.0μm，而且往往以较大的聚集团 形式存在，如此大的颗粒团在加入到铝合金中后会带来一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中间合金细化效果不稳定，易衰退，难以满足铝制品产品质量的要 求。 Al-Ti-C 中间合金之所以细化效果不稳定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶体存在较多碳空位，从而使之失稳，且随 TiCx中碳空位数量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原来的完全共格逐渐转变为不完全共 格。因此，减少 TiCx中的碳空位是提高其结构稳定性和生核效率的关键。 研究表明，无空位的 TiC 是铝的有效生核衬底，在接近凝固点的铝熔体中， Al 原子能够依附于其周围形成一个完全共格的有序区，最终促进 α-Al 生核和铝 晶粒细化。经过长期的研究和探索发现，TiCx 中的碳空位可以被原子半径较小 的 B、N 等原子填充，最终形成掺杂型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，从而降低 空位浓度并提高异质生核能力。 B 掺杂型 Al-Ti-C 晶种合金中含有大量直径在 1μm 以下（亚微米）的 TiCxB1-x 晶核衬底粒子，且弥散分布，当将该中间合金以微量（0.15%左右）加 入到待细化的铝及其合金熔体中后，立即释放出大量的亚微米级的掺杂型 TiC 晶核，从而使待细化铝合金的晶粒组织得到显著细化甚至超细化（指晶粒直径 在微米级）。因此，采用掺杂型 Al-Ti-C 晶种合金对铝熔体进行晶粒细化处理 将是铝加工行业又一次重要的技术进步。
山东大学
2021-04-13
一种铝基非晶薄带收卷装置
本实用新型公开了一种铝基非晶薄带收卷装置，包括固定底座，所述支撑操作台顶部的两侧均固定连接有限位机构，所述支撑操作台顶部靠近左侧的位置固定连接有表面除杂装置，所述支撑操作台顶部且位于表面除杂装置的右侧固定连接有表面吹干装置，所述固定底座顶部且位于支撑柱的右侧固定连接有收卷固定架，所述收卷固定架的顶部转动连接有收卷滚轮，本实用新型涉及铝基非晶技术领域。该铝基非晶薄带收卷装置，达到了薄带收卷开始阶段便于固定收卷，保证薄带收卷传输过程中不出现偏移褶皱现象，保证薄带表面的光滑度，不被划伤，从而提高光洁度和磁
安徽建筑大学
2021-01-12
电脉冲对亚微米晶材料结构和性能的影响
电脉冲可以显著改变材料微观结构演化路径和扩展材料微观结构的特征参数范围；为材料加工和新材料的制备提供了新的广阔空间。电脉冲退火快速强化亚微米纯铝，短时间电脉冲退火降低拉错密度且不引起晶粒尺寸增大，液氮下电脉冲处理可以析出致密的纳米析出相，提升材料性能。
上海交通大学
2023-05-09
二维材料硒化铟的非晶化方法
本申请涉及一种二维材料硒化铟的非晶化方法。本申请的非晶化方法包括：S1：提供设置有纳米层状硒化铟样品的电学芯片；S2：对电学芯片施加脉冲电压，使硒化铟发生非晶化。本申请通过施加脉冲电压来诱导非晶化，具有快速、精确、节能等优势，适用于高性能电子和光电器件的制造。
兰州大学
2021-01-12
一种利用太平二号蚯蚓同步处理圆币草与脱水污泥的方法
本发明涉及废弃物处理技术，旨在提供一种利用太平二号蚯蚓同步处理圆币草与脱水污泥的方法。包括：养殖床准备；引种太平二号蚯蚓，四十天后有密集蚯蚓活动则表明太平二号引种成功；圆币草与脱水污泥的处理：将脱水污泥与粉碎后的圆币草以7∶3体积比充分混匀后覆于养殖床上，当混合物表层被颗粒状蚯蚓粪所覆盖时，表明混合物已处理完全。本方法工艺简单，对混合物处理效果好，效率高，投资运行费用低，管理方便，处理产物应用前景广阔，体现着低碳环保等特点。
浙江大学
2021-04-11
用太阳能多晶硅切割废料制备太阳能级多晶硅项目
随着光伏产业的高速的发展，硅锭切割产生的切割废料也将出现井喷式的增长。仅2012年一年，我国就用了23万吨的多晶硅，产生了近25万吨的粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)，回收厂家院内废料堆积如山，粉尘飞扬，环境恶劣。而粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)中的SiC和晶体Si粉都是通过高能耗、高成本制备出来的，所以如能将这些废料得以回收利用，不仅减少了环境污染，也会产生出巨大的经济效益。特别是如能将二次废料中价值最高的晶体硅粉得以回收并再用于制造太阳能多晶硅，这对我国减少多晶硅的进口是有重要意义的，所以说，从晶体硅切割废料中回收多晶硅是今后一个重要的发展方向。 （1）本项目可从多晶硅切割废料中提取出太阳能级多晶硅，其技术含量高、生产成本低、能耗小。生产的多晶硅可以替代国外进口产品，减少我国多晶硅的进口量，这对降低光伏能源成本，实现光伏能源的普及有重要意义。 (2) 本项目同时生产的副产品碳化硅制品的最大特点耐高温和耐磨性等性能远好于同类产品，且价格远优于国内同类产品，因此该副产品有着广阔的市场前景，市场竞争力强。该副产品作为耐火材料可广泛应用于冶金、陶瓷、能源、化工等行业。如钢铁厂高炉的炉窑内衬和钢包内衬、电解铝厂铝电解槽的侧部、火法炼锌的罐体的内衬等；如陶瓷行业所用窑炉内所用的窑板和棚板等。 (3) 产品附加值高：由于本项目所用原料主要是来源于光伏行业产生的切割废料，原料的来源丰富且价格便宜，产品的科技含量高，生产成本低，故产品的附加值高。本项目拥有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多项专利。
东北大学
2021-04-11
硅晶片线切割用6HSiC微粉材料的研究及产业化
关键工序生产的自动化 ① 粉碎（雷蒙磨）自动控制系统的研发 研制可对粉碎车间雷蒙磨振动下料、粉碎、气流粗分工况进行实时监测、自动优化控制的自动监控系统。将雷蒙磨因堵塞停机造成的故障次数比现阶段减少75%，且提高工效15%以上。 ② 气流分级自动控制系统的研发 研制气流分级机用自动控制系统，具备以下功能：可根据分级轮主机负载实时自动调节喂料速度、根据所设定的风压值自动调整变频器运行、根据生产工艺要求自动向企业综合信息平台实时发送生产工况参数。 ③ 提纯工序实时检测与信息管理系统的研发 开发可对提纯缸、脱水机、烘干炉等主要设备工况进行实时监控的智能化监控仪设备。 ④ 水力分级自动控制系统的研发 研发水力分级设备用自动控制系统，可根据工艺曲线要求自动控制水流量。采用水泵变频控制，变常规的高低液位控制为恒液位控制，液位控制精度达到0.3%；研制出料自动切换装置，实现出料无人值守。 ⑤ SiC冶炼炉在线自动测控装置的研发 研制SiC冶炼炉在线自动测控装置，可按冶炼工艺和炉温自动进行恒功率综合优化控制，炉温控制精度达到2.5级。成果已在工厂正常运行3年。获得4项发明专利授权，5项软件著作权授权 雷蒙磨粉碎自动检测方法及装置 专利号：ZL200810020792.3 一种提高碳化硅微粉水溢流分级效率的精密控制方法 专利号：ZL200910035173.6 一种燃煤锅炉能效监测方法 专利号：ZL201110091483.7 阵列式LED照明灯具的中心区域温度动态控制方法 专利号：ZL201210356239.3 一种经济型燃煤锅炉能效监测系统及方法 专利号：ZL201110292517.9 一种低冗余度高可靠性船舶发电机组智能测速装置 专利号：ZL201110058228.2一种手机可遥控的总线型区域供热计量管理系统 专利号：ZL201010134495.9
东南大学
2021-04-13