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高压微射流纳米均质分散仪
产品详细介绍英国STANSTED公司最新研发的高压微射流纳米均质仪，全新设计的互作用均质腔体，独创的Impinging Jet Technology Interaction Chamber (IJTIC)技术，采用Diamond（金钢石）材质，结合专利的液压增强驱动设计，无疑会为用户带来全新的体验。 应用 可应用于药剂制备、纳米材料、蛋白动力学研究、生物工程： Nano Particles纳米粒 Lipsomes脂质体 Micro Emulsions微乳 Dispersions分散剂 Cell rupture细胞破壁 产品描述 功率：1.3KW 最大工作压力： 210 MPa (2100 bar) ，30000 psi 处理量：单次0-20ml，连续循环140ml/min 背压舱：40 MPa (6000 psi) ，可选 控制：PLC控制 产品粘度：高浓度高粘度，0-100CST 均质作用腔体和均质阀：互作用均质腔体Impinging Jet Technology Interaction Chamber (IJTIC)技术，压力平衡负载均质阀 最小样品量：5ml 清洗与灭菌：可在线清洗和灭菌，湿件也可高压蒸汽灭菌 压力测量: 数显式，0-420mpa(0-4200bar)，比例缩放 温度测量: 选配 温度控制: 选配，夹套式温度控制 安全性: 安全互锁装置，安全监控，紧急制停。高压系统最高耐受压力达1400MPa（200,000psi) 电源: 230V，50HZ，单相 尺寸: 600×600×700mm 重量: 130KG
安盛联合国际贸易有限公司
2021-08-23
多生态能源互联微电网实验平台
研旭研制的开放式多源互联网创新实验平台以研旭多端口能源路由器为系统核心，可包容多类能源输入，具备多种产出与输运形式的“区域能源互联网”系统。具备以下特点：
1、包容多种能源资源输入，具有多种产出功能；
2、构建“互联网+”智慧能源系统的重要支撑；
3、建立多能流的状态监测和安全评估机制；
4、复杂可变的多能流网络的控制方式；
基于目前高校实验室场地和安全的考虑，南京研旭推出以小型微电网的风光储等分布式能源为基础，不断扩展和融合多种分布式能源的建设方案，可承担科技型电力电子、信息通讯、电力系统、策略调度、电能质量等科研工作。
微电网系统拓扑图：
1）直流母线、交流母线
2）光伏模拟/真实系统
3）风机模拟/真实系统
4）锂/铅酸电池储能系统
5）超级电容储能系统
6）分级负载系统
7）柴油机/充电桩
8）故障模拟系统
9）电能质量检测改善系统
10）微电网控制系统
11）能量管理调度系统
12）配电保护系统
南京研旭电气科技有限公司
2022-07-22
15032微电流放大器
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
15017演示微电流电阻表
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
北极环影微课/慕课系统
北极环影微课/慕课系统不需要大规模拍摄空间，用虚拟抠像技术，配合教师准备的数字教材，将教师人像结合在教学所需的场景，无论是电子板书、多媒体影片、教学简报、课程图片等，搭配自动录制控制系统，控制摄影机的开启、录制工作，全自动化，全智能化无人值守操作，一人独立完成教学视频的制作及剪辑。
功能特点
课件与画面深度融合，多种呈现方式
智能控制课程录制及保存，方便快捷
一人独立操作运行，无需专业学习培训
节省制作空间，不减制作效果
课件在线标注，步步留存
本地录制、网络直播同时触发操作
北京北极环影科技有限公司
服务热线：400-9966080
北京北极环影科技有限公司
2021-08-23
层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路
通过溶剂热方法，成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片，展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用，该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm，比块体VS 2 材料的层间距（0.575 nm）增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷，丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点，层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构，从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能（∆ G H ）。HER测试结果表明，该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能，具有较小的塔菲尔斜率（36 mV dec −1 ）、具有较低的过电位（-43 mV@10 mA cm −2 ）和良好的稳定性（60 h）。此外，通过第一性原理计算的结果表明，层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H （-0.044 eV），媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且，层间距的宽化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。这里，理论计算结果和实验相一致，较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控，可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路，为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。
南方科技大学
2021-04-13
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法， 包括以下步骤：(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体，从而在
华中科技大学
2021-04-14
黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝近C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θ(101)-θm；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台 上，测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(101)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。
四川大学
2021-04-11
黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法，步骤包括：(1) 根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101}，利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向；(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上，根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割， 获得光学元件初样，Δθ＝θm-θ(112)；(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上， 测定光学元件初样切割面的回摆谱，获得衍射峰位值θ′及Δθ′，Δθ′＝|θ′- θ′(112)|；(4)光学元件的精加工，对光学元件初样切割面进行修正，直至Δθ′＝Δθ。
四川大学
2021-04-11
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。
湖北工业大学
2021-01-12