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一种应用于人体生理信号的低通滤波器
本发明公开了一种应用于人体生理信号的低通滤波器;包括一 个滤波单元或多个依次串联连接的滤波单元,滤波单元包括运算放大 电路,电阻 R1、电阻 R2、电阻 R3、电阻 R4、电容 C1、电容 C2 和 电容 C3;电阻 R1 的一端用于连接人体生理信号,电阻 R1 的另一端 通过依次串联的电阻 R3 和电阻 R4 连接至运算放大电路的反向输入 端;运算放大电路的输出端用于输出小于 10HZ 的低频人体生理信号。 本发明采用全模拟电路实现对采集到的人体生理信号的低通滤波。本 发明的基本模块是一个三阶有源
华中科技大学 2021-04-14
基于超材料的远红外单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料的远红外单谱信号探测器,包括·798·自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极。超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,所述金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数,该图形对于远红外电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可
华中科技大学 2021-04-14
基于超材料的太赫兹单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料的太赫兹单谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数,该图形对于太赫兹电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环
华中科技大学 2021-04-14
一种基于忆阻器的超宽带脉冲信号产生装置
本发明公开了一种基于忆阻器的超宽带脉冲信号产生装置,包 括忆阻器控制电路、方波振荡电路、超宽带脉冲产生电路和倍压电路; 方波振荡电路的输入端连接忆阻器控制电路,倍压电路的输入端连接 至方波振荡电路的第一输出端,脉冲产生电路的第一输入端连接至倍 压电路的输出端,第二输入端连接至方波振荡电路的第二输出端。忆 阻器控制电路包括三极管,方波振荡电路包括 TTL 门电路、忆阻器、 射极放大电路,超宽带脉冲产生电路包括反相器、R
华中科技大学 2021-04-14
一种基于 MIC 接口的低频传感器信号传输装置
本实用新型公开了一种基于 MIC 接口的低频传感器信号传输装置,装置包括:传感器信号输出模块,用于输出原始低频传感器信号;频率调制模块,用于对原始低频传感器信号进行频率调制,使其频谱搬移到音频范围内,调制后输出标准方波信号;MIC 声卡采集模块,用于将方波信号通过 MIC 接口接入智能终端声卡,通过声卡对方波信号进行不失真的采样,将其转换为数字信号;数字解调模块,用于对数字信号进行频率解调,得到低频数字信号;显示分析模块,用于对解调得到的信号进行分析处理并显示。实施本实用新型可将外部传感器的低频信号
华中科技大学 2021-04-14
双信号切换液晶升降器-培训考试教室首选-天智时代
产品详细介绍 双信号切换液晶升降器是专门为高端用户设计的,信号切换是两路或两路以上信号输入,根据用户要求,进行自动切换。    一个用户有两路VGA信号输入,一路是网络远程控制信号输入,一路是现场键盘控制信号输入,用户根据需求,按升降器面板上面的切换键,即可实现信号切换。    17寸 19寸 22寸均可实现切换功能。展厅有样可实地参观。
北京天智时代电子科技有限公司 2021-08-23
General通用信号分析软件
产品详细介绍通用信号数据处理与分析ErgoLAB生理测试云平台,除针对EMG、EDA、HRV、RESP信号的专业处理与分析软件之外,还提供了General基础通用信号分析软件,如生物力学信号、环境信号、皮温SKT、眼电等,该分析模块默认为一般化的处理方式,可满足基本的信号处理与分析统计。其他信号如生物力学信号、环境信号、其他生理信号、眼电信号等可在 General 一般性分析模块中进行处理与分析。该模块可以结合人机环境同步平台和生理记录系统采集到的所有生物信号进行离线处理和分析。可对信号进行自由选择、放大、缩小,便于查看数据,在整体呈现数据的基础上,还可以根据片段、事件、场景三种分割方式进行数据呈现;可导出ASCII格式的原始数据、处理后数据和分析后数据;并可导出分析报告单。技术要求:  1、信号处理模块包括基础滤波,包括高通滤波(High Pass)、低通滤波(Low Pass)和带阻滤波(Band Stop);滑动滤波(Smooth),包括滑动均值滤波Moving Average、高斯滤波Guass和Hann窗;Scale变换,包括线性变换(Liner Transform)、指数变换(Power Transform)和绝对变换(Absolute Transform)3种,以及数据降采样(Resample)。手动信号校正方法包括线性插值(Linear interpolation)、样条差值(Spline interpolation)以及通过复制信号区域进行插值。2、信号分析模块信号分析包括时域分析和频域分析,且可时域分析、频域分析自由切换。A.时域分析是将生物信号看作时间的函数,通过分析得到生物信号随时间变化的统计特征。其统计分析指标包括:包括最大值(Max)、最小值(Min)、均值(Mean)、标准差(STD)、最大最小值差(Range)、方差(Variance)。B.频域分析是运用参数模型法和直接傅里叶变化(FFT)将时域分析信号转换为频域分析信号,对信号进行功率谱密度分析,从功率谱密度中确定生物信号的频带。具体包括中值频率(Median Frequency)与均值频率(Mean Frequency)。3、可视化Chart与导出数据模块:包括原始数据Raw Data、处理数据Processed、PSD数据以及整体结果报告。
北京津发科技股份有限公司 2021-08-23
脊柱肿瘤射频消融适形治疗的温度场研究
北京工业大学 2021-04-14
基于Z型六角铁氧体的射频识别天线
本发明公开了一种基于Z型六角铁氧体的射频识别天线,该天线具有至少一层Z型六角铁氧体基片1,一层空气层2,和一个金属基片3,和一个金属反射腔4,和金属接地面5,和一个变形金属微带线6,及射频识别芯片9。本发明采用各向异性六角铁氧体,在保证增益的前提下,有效地实现天线尺寸的小型化。
西南交通大学 2016-10-20
面向 5G 通信基站用氮化镓基射频器件
(一)项目背景 当前以硅、砷化镓为代表的第一和二代半导体接近其物理极限,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点,也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。氮化镓(GaN)特别适合制作高频、高效、高温、高压的大功率微波器件,是下一代通信、雷达、制导等电子装备向更大功率、更高频率、更小体积和抗恶劣环境(高温抗辐照)方向发展的关键技术。 目前氮化镓基射频器件已接近于商用,需解决从走出实验室到小量中试的最后“1 公里”,重点攻克其在可靠性工艺和量产稳定性的瓶颈。 以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点,也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。 半导体作为信息时代的“粮食”,将成为 5G 基建、特高压、城际高铁和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等“新基建”七大领域发展的支柱性产业。而氮化镓为代表的宽禁带半导体先进电子器件,凭借其高效、高压、高温等优势,将在“新基建”中大放异彩,可以弥补传统半导体器件的技术瓶颈,满足更高性能器件要求。 (二)项目简介 5G 要求更高的数据传输速率,发射机的效率会出现指数级的下降。这种下降可以使用包络跟踪技术来修复,该技术已经在较新的 4G/LTE 基站以及蜂窝电话中采用。基站中的包络跟踪需要高速,高功率和高电压,这些只有使用 GaN 技术才能实现。诸如 GaN 助力运营商和基站 OEM 等实现了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大规模 MIMO 的目标。 GaN 可以说为 5Gsub-6-GHz 大规模 MIMO 基站应用提供了众多优势:1、在 3.5GHz 及以上频率下表现良好,对比其他产品优势明显。2、GaN 的特性能转化为高输出功率,宽带宽和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 输出功率下的平均效率达到 50%至 60%,明显降低了发射功耗。3、在高频和宽带宽下的效率意味着大规模 MIMO 系统可以更紧凑。4、可在较高的工作温度下可靠运行,这意味着它可以使用更小的散热器。 根据 Strategy Analytics 的数据,预计 5G 移动连接将从 2019 年的 500 万增长到 2023 年的近 6 亿。所以需求还将不断上涨。 根据Strategy Analytics的数据,预计5G移动连接将从2019年的500万增长到2023年的近6亿。所以需求还将不断上涨。 Efficient Power Conversion 的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow 讨论5G时也说道:“基站中的包络跟踪需要高速,高功率和高电压,这些只有使用GaN技术才能实现。根据Yole Development公司发布的2018年度报告数据显示,随着全球整体数据流量的激增,我国5G产业将迎来大规模的需求增长。预计到2022年,我国5G基站规模将达到千亿市场,5G基站数量将达百万个。所以未来氮化镓基射频器件是5G通信基站收发端的核心。 氮化镓基射频器件是华为和中兴发展 5G 通信产业的核心器件,西安电子科技大学氮化镓射频器件研究团队自 2016 年起就与华为西安研究所、中兴西安研究所等国内主流5G通信公司协同攻关开展氮化镓基射频器件的研究,目前承担的流片服务项目合计约 500 万元。 2017 年,西安电子科技大学与西安市高新区、西电电气集团等联合成立“陕西半导体先导技术中心”,中心致力于推动陕西第三代半导体产业发展,促进以氮化镓为代表的射频器件、功率器件等加速产业化,2019 年团队向陕西半导体先导技术中心转让专利 35 项,作价 2000 万元,双方正在联合推进搭建第三代半导体中试平台,平台将会立足西安,服务全国,提升氮化镓基射频器件量产工艺可靠性,实现相关技术成果转化。 (三)关键技术 本项目由西安电子科技大学作为技术攻关的主要单位,制定技术路线,保障国家重大科技专项“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移动通信 GaN 芯片可靠性机理研究”研究,与华为和中兴联合开展工程合作项目实施,加快解决器件工艺可靠性工程问题,重点开展氮化镓微波功率与太赫兹器件工程技术研究,突破高性能低缺陷外延材料生长、高效率高可靠氮化镓微波功率器件工艺技术等关键瓶颈问题,协助规模量产高效率 S-Ku 波段典型氮化镓功率器件和模块、5G 基站核心射频模块。
西安电子科技大学 2023-07-12
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